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人形机器人主控与计算单元解决方案

人形机器人主控与计算单元解决方案

主控与计算中央计算存储安全加密人形机器人AI主控功能安全信息安全
发布时间:2026-10-22阅读:39

方案简介

主控与计算是机器人的“大脑、安全底线与记忆”。中央计算平台负责AI推理、全局融合和任务规划,安全控制器与SE/TPM分别负责功能安全和信息安全,存储芯片负责运行内存、启动固件、系统数据和参数保存。三者协同,构成机器人从算力到安全到记忆的完整底座。

方案详情

人形机器人的主控与计算单元,由三部分构成。 中央计算平台是机器人的“大脑”,负责全局AI推理、跨模态融合、任务规划和全身策略。它接收感知域预处理后的结构化数据,输出运动指令给动力域总控。选型看AI算力、内存带宽、高速接口和功耗散热,形态包括裸芯片、核心模块和开发套件。 安全与加密是机器人的“安全底线”,分两层。安全控制器负责功能安全,带内核、可编程,独立运行安全监控逻辑,故障时执行安全停机,要求SIL/ASIL认证。SE/TPM负责信息安全,作为平台级信任根,管理密钥存储、安全启动和远程认证,要求CC EAL或FIPS认证。 存储是机器人的“记忆系统”,分四层。LPDDR是运行内存,负责AI推理的临时工作空间;NOR Flash是启动存储,存放Bootloader和固件;eMMC/UFS是系统存储,存放操作系统、AI模型和日志,更高端的场景还会采用NVMe SSD作为大容量数据仓库;EEPROM/FRAM是参数存储,存放标定参数和序列号。四层各司其职,缺一不可。

技术架构

工业运动控制与机器人控制器方案技术架构

推荐型号

中央计算平台

机器人的“大脑”,负责全局AI推理、跨模态融合、任务规划和全身策略。要求高AI算力、高内存带宽、丰富的高速接口和工业级可靠性。形态包括裸芯片、核心模块和开发套件,按算力从入门级到旗舰级分档,适配不同定位的人形机器人。

型号品牌描述参考设计数据手册
KS6X064256CD-Robotics(地瓜机器人)RDK S600开发者套件参考设计
RDK S100 12GBD-Robotics(地瓜机器人)RDK S100 机器人开发者套件参考设计
RDK X3 Module 104032D-Robotics(地瓜机器人)搭载高性能智能芯片,提供端侧通用与人工智能算力,兼容树莓派CM4的模块参考设计
RDK X3 4GBD-Robotics(地瓜机器人)搭载高性能智能芯片,提供端侧通用与人工智能算力参考设计
RDK X5 4GBD-Robotics(地瓜机器人)八核 Cortex®A55 处理器、10Tops BPU 算力、32GFlops GPU 算力,最高 LPDDR4 8GB 内存。套件主要接口包括: HDMI、以太网、USB3.0、USB2.0、4-lane MIPI CSI、4-lane MIPI DSI、3.5mm 音 频接口、CAN 接口、TF 卡槽等参考设计
RDK X5 Module 108032D-Robotics(地瓜机器人)智能计算模组,支持复杂模型和算法,具备多接口和可选配置参考设计
RDK X5 8GBD-Robotics(地瓜机器人)八核 Cortex®A55 处理器、10Tops BPU 算力、32GFlops GPU 算力,最高 LPDDR4 8GB 内存。套件主要接口包括: HDMI、以太网、USB3.0、USB2.0、4-lane MIPI CSI、4-lane MIPI DSI、3.5mm 音 频接口、CAN 接口、TF 卡槽等参考设计
RDK X5 Module 104032D-Robotics(地瓜机器人)智能计算模组,支持复杂模型和算法,具备多接口和可选配置参考设计
945-13730-0050-000Nvidia(英伟达)945-13730-0050-000参考设计
945-13766-0000-000Nvidia(英伟达)945-13766-0000-000参考设计
RK3588Rockchip(瑞芯微)RK3588参考设计
RK3588JRockchip(瑞芯微)低功耗高性能智能硬件和工业应用处理器参考设计
RK3588MRockchip(瑞芯微)适用于汽车应用的低功耗高性能处理器,集成多核处理器、GPU、ISP,支持多种视频编解码,具备高性能外部内存接口和丰富外设接口参考设计
RK3588SRockchip(瑞芯微)RK3588S参考设计
RK3588S2Rockchip(瑞芯微)RK3588S2参考设计
安全控制器

带内核、可编程的功能安全MCU,用于动力、能源、安全域,独立运行安全监控逻辑,故障时执行安全停机。要求 SIL/ASIL 功能安全认证,具备锁步核、ECC、看门狗等硬件机制,工作温度覆盖工业级或车规级。

型号品牌描述参考设计数据手册
TMS5704357BZWTQQ1TI(德州仪器)16/32 位 RISC 闪存 MCU,Arm Cortex-R5F,EMAC,FlexRay,通过 Q-100 车规认证参考设计
S32K344EHT1MPBSTNXP(恩智浦)32位CPU,支持最高320 MHz频率,集成数字信号处理器,具备多种通信接口和外设参考设计
SE/TPM

受控型信息安全芯片,作为平台级信任根,负责密钥存储、安全启动、远程认证和固件签名验证。SE 接口灵活、功能可定制;TPM 遵循 TCG 标准,命令集固定。用于中央主控,私钥永不出芯片,要求 CC EAL 或 FIPS 认证。

型号品牌描述参考设计数据手册
SE050E2HQ1/Z01Z3ZNXP(恩智浦)物联网安全元件解决方案参考设计
SLB 9670VQ2.0 FW7.85Infineon(英飞凌)OPTIGA TPM SLB 9670 TPM2.0可信平台模块参考设计
SLM9670AQ20FW1311XTMA1Infineon(英飞凌)OPTIGA™ TPM SLM 9670 TPM2.0 可信平台模块参考设计
ST33HTPH2X32AHE4ST(意法半导体)带SPI接口的TPM2.0设备参考设计
SE050C1HQ1/Z01SCZNXP(恩智浦)即插即用安全元件参考设计
SE050C2HQ1/Z01SDZNXP(恩智浦)即插即用安全元件参考设计
LPDDR

运行内存,为AI推理和多传感器融合提供临时工作空间。中央主控用LPDDR5/5X,带宽200GB/s以上;域控制器用LPDDR4/4X,兼顾性能与功耗。要求工业级/车规级温度范围。

型号品牌描述参考设计数据手册
MT53E1G32D2FW-046 IT:Amicron(美光)MT53E1G32D2FW-046 IT:A参考设计
C3222PM4CDGUIW-UKingston(金士顿)低功耗DRAM,支持部分阵列自刷新、自动温度补偿自刷新,采用双数据速率架构参考设计
B3221PM3BDGVIW-UKingston(金士顿)低功耗DRAM(LPDDR4 FBGA),支持部分阵列自刷新、自动温度补偿自刷新,采用双数据速率架构参考设计
Q6422XM3BDGVK-UKingston(金士顿)低功耗DRAM(LPDDR4x FBGA),具备部分阵列自刷新、自动温度补偿自刷新等功能,支持双数据速率架构参考设计
K4UBE3D4AB-MGCLSAMSUNG(三星半导体)32Gb DDP LPDDR4X 同步动态随机存取存储器参考设计
NOR Flash

启动与固件存储,存放Bootloader、启动代码和关节固件。中央主控用Octal SPI NOR,速率可达400MB/s;域控和关节用标准SPI NOR。要求高可靠、宽温、长数据保持。

型号品牌描述参考设计数据手册
W25Q01JVZEIQWinbond(华邦)3V 1G-BIT 串行闪存存储器,支持双/四SPI参考设计
W25Q01JVSFIQWinbond(华邦)W25Q01JVSFIQ TR参考设计
W25Q01JVSFIQWinbond(华邦)支持双/四路 SPI 接口的 3V、1G bit (双芯片)SPI 串行闪存参考设计
W25Q01JVTBIQWinbond(华邦)W25Q01JVTBIQ参考设计
W25Q01JVSFIMWinbond(华邦)双芯片串行闪存,支持双/四SPI、QPI和DTR接口参考设计
W25Q01NWZEIQWinbond(华邦)W25Q01NWZEIQ参考设计
W25Q01JVSFIM TRWinbond(华邦)W25Q01JVSFIM TR参考设计
W25Q01NWZEIM TRWinbond(华邦)W25Q01NWZEIM TR参考设计
W25Q01NWTBIM TRWinbond(华邦)W25Q01NWTBIM TR参考设计
W25Q01JVTBIMWinbond(华邦)W25Q01JVTBIM参考设计
W25Q01NWSFIQWinbond(华邦)W25Q01NWSFIQ参考设计
W25Q01NWZEIQ TRWinbond(华邦)W25Q01NWZEIQ TR参考设计
W25Q01JVTBIM TRWinbond(华邦)W25Q01JVTBIM TR参考设计
W25Q01NWSFIQ TRWinbond(华邦)W25Q01NWSFIQ TR参考设计
W25Q01NWSFIM TRWinbond(华邦)W25Q01NWSFIM TR参考设计
W25Q01JVZEIM TRWinbond(华邦)W25Q01JVZEIM TR参考设计
W25Q01NWTBIQWinbond(华邦)W25Q01NWTBIQ参考设计
W25Q01NWTBIQ TRWinbond(华邦)W25Q01NWTBIQ TR参考设计
W25Q01NWSFIMWinbond(华邦)W25Q01NWSFIM参考设计
W25Q01NWTBIMWinbond(华邦)W25Q01NWTBIM参考设计
W25Q01JVTBIQ TRWinbond(华邦)W25Q01JVTBIQ TR参考设计
W25Q01NWZEIMWinbond(华邦)W25Q01NWZEIM参考设计
W25Q01JVZEINWinbond(华邦)W25Q01JVZEIN参考设计
W25Q01JVSFINWinbond(华邦)W25Q01JVSFIN参考设计
W25Q01JVZEIQ TRWinbond(华邦)W25Q01JVZEIQ TR参考设计
MT25QU01GBBB8E12-0SITmicron(美光)1Gb、1.8V多I/O串行闪存参考设计
MT25QL01GBBB8ESF-0SITmicron(美光)1Gb,3V 多 I/O 串行闪存参考设计
MT25QU01GBBB1EW9-0SITmicron(美光)1Gb、1.8V多I/O串行闪存参考设计
MX66L1G45GMI-08GMXIC(旺宏电子)3V、1Gb 容量,CMOS 工艺的 MXSMIO(串行多输入输出)闪存参考设计
MX66UM1G45GXDI00MXIC(旺宏电子)MX66UM1G45GXDI00参考设计
eMMC

系统存储,存放操作系统、AI模型、地图和日志。eMMC 5.1主流,顺序读取约400MB/s,容量32GB起步。要求工业级温度、高耐久、长期供货。

型号品牌描述参考设计数据手册
FEMDRW128G-88A19FORESEE(江波龙)工业级 工规级 工业级 eMMC参考设计
FEMDRW064G-88A19FORESEE(江波龙)工业级 eMMC参考设计
FEMDNN064G-C9A61FORESEE(江波龙)eMMC 支持 eMMC 5.1 规范,具备高速模式和多种功能参考设计
FEMDRW032G-88A19FORESEE(江波龙)工业级 工规级 工业级 eMMC参考设计
FEMDNN032G-C9A55FORESEE(江波龙)FEMDNN032G-C9A55参考设计
EMMC128-IY29-5B101Kingston(金士顿)适用于移动和嵌入式应用的eMMC闪存,具备JEDEC eMMC5.1特性,向后兼容早期eMMC标准,成本效益高,可提升系统性能参考设计
EMMC128-TY29-5B102Kingston(金士顿)采用e·MMC 5.1接口的封装式NAND闪存,支持多种数据总线宽度和数据传输速率模式,具备增强的写入保护和数据管理功能参考设计
EMMC64G-IY29-5B101Kingston(金士顿)采用e·MMC 5.1接口的嵌入式多媒体存储卡,向后兼容,支持多种数据总线宽度和总线模式,具备数据保护和安全功能参考设计
RS70BT7G4S09FRayson(晶存)128GB eMMC参考设计
MKEMF064GT1E-CMK(米客方德)64GB eMMC 商业级 LDPC纠错参考设计
KLMDG4UCTB-B041SAMSUNG(三星半导体)嵌入式多媒体卡解决方案,采用BGA封装,兼容eMMC 5.1规范,支持HS400模式参考设计
THGAMSG9T24BAILKIOXIA(铠侠)e-MMC 管理型闪存参考设计
EEPROM

参数存储,存放标定参数、配置、序列号和校准数据。容量2Kb到1Mb,I2C接口为主,要求400万次以上擦写寿命、200年数据保持、宽温、小封装。

型号品牌描述参考设计数据手册
M24C64-RMN6TPST(意法半导体)64 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-RDW6TPST(意法半导体)64Kbit和32Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-RMN6PST(意法半导体)64 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-WMN6TPST(意法半导体)64-Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-WDW6TPST(意法半导体)64 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-WMN6PST(意法半导体)64 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-WBN6PST(意法半导体)64-Kbit串行I²C总线EEPROM参考设计
M24C64-FDW6TPST(意法半导体)64 Kbit串行I²C总线EEPROM参考设计
M24C64-FMC6TGST(意法半导体)64 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-FMN6TPST(意法半导体)64 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-FMH6TGST(意法半导体)64 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-FCS6TP/KST(意法半导体)64 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-FMB6TGST(意法半导体)64 Kbit I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-DFMN6TPST(意法半导体)64 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-DFCT6TP/KST(意法半导体)64 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-DFDW6TPST(意法半导体)64 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C64-DFMC6TGST(意法半导体)64Kbit串行I2C总线EEPROMs参考设计
M24512-RMN6TPST(意法半导体)512 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24512-RMN6PST(意法半导体)512Kbit I2C串行访问EEPROM参考设计
M24512-RDW6TPST(意法半导体)512 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24512-RMC6TGST(意法半导体)512Kbit I2C串行访问EEPROM参考设计
M24512-RDW6PST(意法半导体)M24512-RDW6P参考设计
M24512-WMN6TPST(意法半导体)512 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24512-WMN6PST(意法半导体)停产 512Kbit I2C串行访问EEPROM参考设计
M24512-WDW6TPST(意法半导体)512 Kbit串行I²C总线EEPROM参考设计
M24512-WMW6TGST(意法半导体)512Kbit串行I2C总线EEPROM,带三条片选线参考设计
M24512-DFMC6TGST(意法半导体)512 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24512-DFMN6TPST(意法半导体)512 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24512-DFDW6TPST(意法半导体)512 Kbit串行I²C总线EEPROM参考设计
M24512-DFCS6TP/KST(意法半导体)512 Kbit串行I²C总线EEPROM参考设计
M24C16-RMN6TPST(意法半导体)16 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C16-RMC6TGST(意法半导体)16 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C16-RDW6TPST(意法半导体)16 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C16-RMN6PST(意法半导体)16Kbit I2C串行EEPROM参考设计
M24C16-RDS6TGST(意法半导体)I2C总线EEPROM参考设计
M24C16-WMN6TPST(意法半导体)16 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C16-WMN6PST(意法半导体)16Kbit I2C兼容EEPROM,具有低功耗和高可靠性参考设计
M24C16-WDW6TPST(意法半导体)16 Kbit串行I2C总线EEPROM参考设计
M24C16-WMN6ST(意法半导体)M24C16-WMN6参考设计
M24C16-WMN6TST(意法半导体)M24C16-WMN6T参考设计
AT24C64D-SSHM-TMICROCHIP(美国微芯)兼容I2C(两线制)的串行EEPROM参考设计
AT24C16C-SSHM-TMICROCHIP(美国微芯)兼容I²C(两线制)的串行EEPROM参考设计
AT24C32D-SSHM-TMICROCHIP(美国微芯)低压和标准电压操作的2线串行EEPROM参考设计
AT24C128C-SSHM-TMICROCHIP(美国微芯)兼容I2C的128 Kbit串行EEPROM参考设计
BR25G256FJ-3GE2ROHM(罗姆)串行EEPROM系列,标准EEPROM,SPI总线EEPROM参考设计
BR24G512FJ-5AE2ROHM(罗姆)I2C总线接口的串行EEPROM,具备宽工作电压、低电流消耗、防误写等特性参考设计
BL24C256A-PARCBL(上海贝岭)256Kbits EEPROM,支持I2C协议,具有硬件写保护功能参考设计
BL24C512A-PARCBL(上海贝岭)512Kbits电可擦除可编程只读存储器参考设计
BL24C64A-PARCBL(上海贝岭)64Kbits电可擦除可编程只读存储器参考设计
CAT24C256WI-GT3onsemi(安森美)256 kb I2C CM0S串行EEPROM参考设计
CAT24C128WI-GT3onsemi(安森美)128 kb I2C CMOS串行EEPROM参考设计
AT24C32M/TRHGSEMI(华冠)EEPROM存储器参考设计
AT24C512CM/TRHGSEMI(华冠)512 Kbit 兼容 I2C 的串行 EEPROM参考设计
AT24C64M/TRHGSEMI(华冠)宽电压操作的串行EEPROM参考设计
P24C64C-SSH-MIRPUYA(普冉)64Kbit I2C兼容串行EEPROM参考设计
P24C256B-SSH-MIRPUYA(普冉)I2C兼容的串行EEPROM参考设计
P24C512B-SSH-MIRPUYA(普冉)兼容I²C的串行E²PROM参考设计
FRAM

铁电存储器,参数存储的高可靠升级方案。写入速度150ns,擦写寿命1万亿次以上,原子写入断电零风险。适合高频调参、实时记录和高可靠场景,容量4Kb到2Mb。

型号品牌描述参考设计数据手册
MB85RS64PNF-G-JNERE1RAMXEED/FUJITSU(富士通)64K (8K × 8) Bit SPI FRAM参考设计
MB85RS16PNF-G-JNERE1RAMXEED/FUJITSU(富士通)16K (2K × 8) Bit SPI Memory FRAM参考设计
MB85RC16PNF-G-AMERE2RAMXEED/FUJITSU(富士通)16K (2Kx8) FeRAM I2C接口参考设计
MB85RC64VPNF-G-JNERE1RAMXEED/FUJITSU(富士通)64 K (8 K × 8) Bit I2C Memory FRAM参考设计
MB85RS256BPNF-G-JNERE1RAMXEED/FUJITSU(富士通)256K (32K × 8) Bit SPI非易失性铁电随机存取存储器参考设计
FM24CL64B-GTRInfineon/CYPRESS(赛普拉斯)FM24CL64B-GTR参考设计
FM25V02A-GTRInfineon/CYPRESS(赛普拉斯)256-Kbit 串行 F-RAM参考设计
FM25CL64B-GTRInfineon/CYPRESS(赛普拉斯)通信接口:SPI 64Kbit 3V参考设计