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micron(美光)+MT25QU01GBBB1EW9-0SIT

micron(美光)的MT25QU01GBBB1EW9-0SIT系统框图
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芯片简介

MT25QU01GBBB是一款1Gb、1.8V多输入/输出串行NOR闪存器件。具有兼容SPI的串行总线接口、单传输速率/双传输速率、执行就地功能、安全保护机制和扩展地址访问。双/四输入/输出命令可将读取和编程操作的传输带宽提高两倍或四倍。支持3字节和4字节地址模式,可访问超过128Mb的存储器。提供专用64字节OTP区域、擦除、编程、安全与写保护、电子签名等功能。

商品特性:

  • 兼容SPI的串行总线接口
  • 支持单传输速率和双传输速率
  • 时钟频率:STR下所有协议166MHz(上限);DTR下所有协议90MHz(上限)
  • 双/四I/O命令,吞吐量可达90MB/s
  • 支持协议:扩展、双I/O和四I/O,均支持STR和DTR
  • 支持编程/擦除挂起操作
  • 支持易失性和非易失性配置设置
  • 支持软件复位;特定型号提供额外复位引脚
  • 支持3字节和4字节地址模式,可访问超过128Mb的存储器
  • 主存储器外有专用64字节OTP区域;可读且用户可锁定
  • 擦除能力:晶粒擦除;扇区擦除64KB均匀粒度;子扇区擦除4KB、32KB粒度
  • 擦除性能:400KB/秒(64KB扇区);80KB/秒(4KB子扇区)
  • 编程性能:2MB/秒
  • 安全与写保护:每个64KB扇区具有易失性和非易失性锁定及软件写保护;非易失性配置锁定;密码保护;硬件写保护,非易失性位BP3至BP0和TB定义保护区大小;上电期间编程/擦除保护;CRC检测原始数据的意外更改
  • 电子签名:JEDEC标准3字节签名(BB21h);扩展器件ID,两个附加字节标识器件出厂选项
  • 符合JESD47H:每扇区至少100,000次擦除循环;数据保持20年(典型值)

项目参考文件

方案商品

  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1Gb、1.8V多I/O串行闪存
MT25QU01GBBB1EW9-0SIT
品牌
micron(美光)
封装
WPDFN-8(6x8)
类目
NOR FLASH
编号
C17366270
接口类型
SPI
存储容量
1Gbit
时钟频率(fc)
133MHz
工作电压
1.7V~2V

描述特性:堆叠设备(两个512Mb裸片)。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量高达90 MB/s

个

近期成交2单