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微硕半导体SGT MOSFET助力立创电子设计开源大赛
SGT这种技术改变了MOSFET内部电场的形态,将传统的三角形电场进一步的变为更为压缩的梯形电场,可以进一步减小EPI层的厚度,降低导通电阻,减小热阻。目前微硕半导体(WINSOK)新一代的低、中压的功率MOSFET,广泛地采用这种技术,如:WSD100N06GDN56、WSD40120DN56G、WSF15N10G、WSR170N04G等。