芯片简介
FM25V02A是一款256Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为32K×8。该器件采用铁电工艺，为非易失性存储器，读写方式类似RAM。可提供151年数据保持能力。与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A在总线速度下执行写操作，不产生写延迟；每个字节成功传输后立即写入存储器阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。该器件通过工业标准SPI总线访问，支持SPI模式0和模式3，作为SPI从器件工作，频率可达40MHz。支持10的14次方次读写周期，写入周期耐久性高于EEPROM。器件包含只读设备ID，可读取制造商ID和产品ID。
商品特性：
- 高耐久性，100万亿（10的14次方）次读写
- 151年数据保持能力
- 无延迟写入
- 高可靠性铁电工艺
- 高速SPI接口，频率可达40MHz
- 可直接硬件替换串行闪存和EEPROM
- 支持SPI模式0和模式3
- 多级写保护：WP引脚硬件保护、写禁止指令软件保护、1/4或1/2或整个阵列软件块保护
- 设备ID：制造商ID和产品ID
- 低功耗：40MHz时工作电流2.5mA；待机电流150μA；睡眠模式电流8μA
- 低电压工作：VDD=2.0V至3.6V
- 工业温度：-40℃至+85℃
应用领域：
- 需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用
- 数据记录
- 工业控制
- 作为串行EEPROM或串行闪存的硬件直接替换
