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SAMSUNG(三星半导体)+K4UBE3D4AB-MGCL

SAMSUNG(三星半导体)的K4UBE3D4AB-MGCL系统框图
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芯片简介

商品特性:

  • 双倍数据速率架构;每个时钟周期进行两次数据传输
  • 双向数据选通信号(DQS_t、DQS_c),这些信号与数据一起发送/接收,用于在接收器处捕获数据
  • 差分时钟输入(CK_t 和 CK_c)
  • 差分数据选通信号(DQS_t 和 DQS_c)
  • 命令和地址在 CK 上升沿输入;数据和数据掩码参考 DQS 的两个边沿
  • 每个管芯采用 2 通道结构
  • 每个通道有 8 个内部存储体
  • DMI 引脚:正常读写操作时为 DBI(数据总线反相),DBI 关闭时用于掩码写入的数据掩码(DM);DBI 开启时用于掩码写入的 DQ 的 1 的计数
  • 突发长度:16、32(OTF)
  • 突发类型:顺序
  • 读写延迟:参考表 13.4 交流时序
  • 每次突发访问的自动预充电选项
  • 可配置驱动强度
  • 刷新和自刷新模式
  • 部分阵列自刷新和温度补偿自刷新
  • 写均衡
  • CA 校准
  • 内部 VREF 和 VREF 训练

项目参考文件

类型名称操作

方案商品

  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

32Gb DDP LPDDR4X 同步动态随机存取存储器
K4UBE3D4AB-MGCL
品牌
SAMSUNG(三星半导体)
封装
FBGA-200
类目
DDR SDRAM
编号
C5827966
存储器构架(格式)
LPDDR4X SDRAM
时钟频率(fc)
2.133GHz
存储容量
32Gbit
工作电压
570mV~650mV

描述建议使用前先进行烘烤

个

近期成交31单