芯片简介
Q6422XM3BDGVK-U是低功耗DRAMLPDDR4。1024M×32位。裸片密度16Gbit。电源：VDD1=1.8V，范围1.7V至1.95V；VDD2和VDDQ=1.1V，范围1.06V至1.17V。数据速率：最高3733Mbps，向后兼容。每个通道八个内部bank，支持并发操作。突发长度BL：16、32和即时；即时模式由MRS启用。可编程RL和WL。预充电：每个突发访问自动预充电选项。可编程驱动强度。刷新：自动刷新、自刷新。刷新周期：8192周期/32ms，平均刷新周期3.9μs。工作温度范围：TC=-25℃至+85℃（标准），TC=-40℃至+95℃（工业温度）。
商品特性：
- 低功耗
- 按存储体刷新
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 存储体屏蔽
- 分段屏蔽
- 通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新（ATCSR）
- 支持所有存储体自动刷新和按存储体定向自动刷新
- 双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
- 差分时钟输入（CK_t和CK_c）
- 双向差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
- 在CK_t的上升沿和下降沿都可输入命令；数据和数据掩码参考DQS_t的两个边沿
- DMI引脚支持写数据屏蔽和DBIdc功能
- 设备寻址
应用领域：
- 适用于典型通用电子设备
