
人形机器人动力与执行单元解决方案
方案简介
动力执行单元是机器人的“运动系统”。它接收中央主控的高层指令,完成步态规划、全身协调和力矩分配,通过EtherCAT或CAN FD下发给各关节,驱动电机精准执行。从腰部、肩部到手指,每一个动作都依赖这一层的实时性、精度和可靠性。
方案详情
人形机器人的动力执行单元,是一条从中央主控到关节电机的完整链路。它覆盖全身几十个自由度,按功能分为几个层次。 动力域总控是这条链路的“小脑”。它接收中央主控下发的高层目标——步态、轨迹、抓握意图——完成步态生成、全身协调、力矩分配和关节调度,通过EtherCAT或CAN FD把具体目标下发给各关节,并汇总关节状态回传中央。 电机驱动与控制是关节的“肌肉与运动神经”。它在本地完成FOC电流环闭环,并与上层协同完成速度环和位置环控制。按集成方式分为三种架构:MCU集成驱动外置功率桥,适合中小功率关节;MCU加独立驱动芯片再驱动功率桥,适合中大功率关节;MCU直接控制内置功率桥的驱动芯片,适合微型关节。 电流反馈是运动控制的“内环眼睛”。它实时采集电机相电流,经电流检测放大器放大、比较器过流保护、基准源提供参考、ADC转换为数字量,反馈给MCU完成电流环闭环。电流采样精度直接影响转矩脉动和力控精度。 数字隔离是驱动与采样链路中的“安全边界”。它在MCU与功率级之间、高压侧与低压侧之间建立电气隔离,切断地环路、阻断共模噪声,确保PWM信号和电流采样数据在强干扰下可靠传输。核心指标是CMTI、传播延迟和通道间匹配。 编码器与编码器前端是关节的“本体感觉”。芯片级编码器基于霍尔、AMR、GMR、TMR等磁传感技术,实时检测转子角度和位置。编码器前端由运放、ADC、比较器和基准源构成,把编码器输出的原始信号调理成MCU能用的干净数字量,完成从模拟到数字的转换。 整条链路的核心要求是一致的:实时性、精度、可靠性和确定性。控制周期要在1ms甚至更低,电流环周期在10到100微秒;通信要支持EtherCAT或CAN FD,保证全身关节同步响应;隔离要扛住几十kV/μs的共模干扰;编码器分辨率要满足从大关节到灵巧手的全范围需求。
技术架构

推荐型号
动力执行单元的核心主控芯片,负责步态生成、全身协调、力矩分配和关节调度。要求高算力、硬实时、支持EtherCAT/CAN FD通信,部分场景需要功能安全机制。通常采用高性能MCU或跨界MCU,集成多路CAN FD、以太网和电机控制外设,工作温度覆盖工业级。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| R9A07G075M24GBG#AC0 | RENESAS(瑞萨)/IDT | RZ 基于 ARM 的高端 32 位和 64 位微处理器 | 参考设计 | |
| F28386DPTPS | TI(德州仪器) | 具有连接管理器、2 个 C28x+CLA CPU、1.5MB 闪存、FPU64、CLB、以太网的 32 位 MCU | 参考设计 | |
| F28386DPTPQR | TI(德州仪器) | F28386DPTPQR | 参考设计 | |
| F28386SPTPS | TI(德州仪器) | 具有连接管理器、1 个 C28x+CLA CPU、1.0MB 闪存、FPU64、CLB、以太网的 32 位 MCU | 参考设计 | |
| F28386SPTPQR | TI(德州仪器) | F28386SPTPQR | 参考设计 | |
| F28386DPTPQ | TI(德州仪器) | 具有连接管理器、2x C28x+CLA CPU、1.5MB 闪存、FPU64、CLB、以太网的汽车类 C2000™ 32 位 MCU | 参考设计 | |
| F28384DZWTS | TI(德州仪器) | 具有连接管理器、2 个 C28x+CLA CPU、1.5MB 闪存、FPU64、以太网的 32 位 MCU | 参考设计 | |
| F28384DZWTQR | TI(德州仪器) | 具有连接管理器、2 个 C28x+CLA CPU、1.5MB 闪存、FPU64、以太网的汽车类 C2000™ 32 位 MCU | 参考设计 | |
| F28384SZWTS | TI(德州仪器) | 具有连接管理器、1 个 C28x+CLA CPU、1.0MB 闪存、FPU64、以太网的 32 位 MCU | 参考设计 | |
| AM2632CPDFHMZCZRQ1 | TI(德州仪器) | Sitara微控制器,支持多核运行、工业通信及功能安全 | 参考设计 |
集成了栅极驱动的电机控制MCU,可直接输出驱动信号控制外部功率桥,无需独立驱动芯片。集成度高、BOM简洁、PCB面积小,适合手指、手腕等中小功率关节。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| ADL5725ACPZN-R7 | ADI(亚德诺) | 17.7 GHz至19.7 GHz低噪声放大器 | 参考设计 | |
| STSPIN32G4 | ST(意法半导体) | 集成STM32G4微控制器的高性能三相电机控制器 | 参考设计 | |
| STSPIN32G4TR | ST(意法半导体) | 高性能三相电机控制器 | 参考设计 | |
| FU6861N | Fortior Tech(峰岹) | 嵌入式可配置三相永磁同步电机(PMSM)微控制器(MCU) | 参考设计 | |
| FU6818Q | Fortior Tech(峰岹) | 三相电机控制MCU | 参考设计 | |
| FU6832S | Fortior Tech(峰岹) | 集成电路 | 参考设计 | |
| FU6831N | Fortior Tech(峰岹) | 三相电机控制MCU | 参考设计 | |
| FU6332N | Fortior Tech(峰岹) | 三相电机控制MCU | 参考设计 | |
| LKS32MC034FLK6Q8C | LINKOSEMI(凌鸥创芯) | 32位电机控制紧凑型MCU | 参考设计 |
通用电机控制MCU,运行FOC算法并输出PWM信号,需外接独立驱动芯片和功率桥。算力灵活、接口丰富,适合肩、肘、髋等中大功率关节,以及对散热和扩展性有要求的场景。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| CH32F205RBT6 | WCH(南京沁恒) | 32位工业级通用微控制器 | 参考设计 | |
| R7FA6T2AB3CFM#AA1 | RENESAS(瑞萨)/IDT | R7FA6T2AB3CFM#AA1 | 参考设计 | |
| R7FA6T2AB3CFM#AA0 | RENESAS(瑞萨)/IDT | 高性能240 MHz Arm Cortex - M33内核微控制器 | 参考设计 | |
| R7FA6T2AB3CFM#BA0 | RENESAS(瑞萨)/IDT | 高性能240 MHz Arm Cortex - M33内核微控制器 | 参考设计 | |
| R7FA6T2AB3CFM#BA1 | RENESAS(瑞萨)/IDT | R7FA6T2AB3CFM#BA1 | 参考设计 | |
| R7FA4T1B93CFL#BA0 | RENESAS(瑞萨)/IDT | 采用 Arm Cortex-M33 内核的 MCU 达 100 MHz CPU 性能 | 参考设计 | |
| TMS320F28377SPTPS | TI(德州仪器) | 具有 400MIPS、1xCPU、1xCLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、16 位 ADC 的 C2000™ 32 位 MCU | 参考设计 | |
| TMS320F28377SPTPT | TI(德州仪器) | 具有 400MIPS、1xCPU、1xCLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、16 位 ADC 的 C2000™ 32 位 MCU | 参考设计 | |
| TMS320F28377SPTPQ | TI(德州仪器) | 具有 400MIPS、1xCPU、1xCLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、16 位 ADC 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU | 参考设计 | |
| TMS320F28027FPTT | TI(德州仪器) | 具有 60MHz 频率、64KB 闪存、InstaSPIN-FOC 的 C2000™ 32 位 MCU | 参考设计 | |
| TMS320F28027FPTQ | TI(德州仪器) | 具有 60MHz 频率、64KB 闪存、InstaSPIN-FOC 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU | 参考设计 | |
| TMS320F28027FPTTR | TI(德州仪器) | 具有 60MHz 频率、64KB 闪存、InstaSPIN-FOC 的 C2000™ 32 位 MCU | 参考设计 | |
| FU6812N | Fortior Tech(峰岹) | 集成电路 | 参考设计 |
独立的栅极驱动芯片,将MCU的低压PWM信号转换为足以驱动功率桥的高压/大电流信号。内置过流、过温、欠压保护,适合中大功率关节的驱动级,与外部功率桥配合使用。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| MP6543HGL-Z | MPS(芯源) | 2A 无刷直流BLDC电机驱动芯片 22V | 参考设计 | |
| MP6543HGL-A-Z | MPS(芯源) | 2A 无刷直流BLDC电机驱动芯片 22V | 参考设计 | |
| MP6543HGL-B-Z | MPS(芯源) | 2A 无刷直流BLDC电机驱动芯片 22V | 参考设计 | |
| MP6540HGU-Z | MPS(芯源) | 50V、5A三相功率级 | 参考设计 | |
| MP6540HGU-A-Z | MPS(芯源) | 50V、5A三相功率级 | 参考设计 | |
| MP6540HGU-P | MPS(芯源) | 5A 无刷直流BLDC电机驱动芯片 50V | 参考设计 | |
| MP6501AGF-Z | MPS(芯源) | 集成MOSFET的步进电机驱动器,具备微步进翻译器和多种安全保护功能 | 参考设计 | |
| MP6631HGL-0000-Z | MPS(芯源) | MP6631HGL-0000-Z | 参考设计 | |
| MP6603GV-Z | MPS(芯源) | MP6603GV-Z | 参考设计 | |
| DRV8317HREER | TI(德州仪器) | DRV8317 三相 PWM 电机驱动器 | 参考设计 | |
| DRV8376SNLGR | TI(德州仪器) | 三相集成FET电机驱动器 | 参考设计 | |
| POWERSTEP01TR | ST(意法半导体) | 10A 3.3V电机驱动芯片 5V电机驱动芯片 | 参考设计 | |
| POWERSTEP01 | ST(意法半导体) | 10A 3.3V电机驱动芯片 5V电机驱动芯片 | 参考设计 | |
| STSPIN830 | ST(意法半导体) | 紧凑型多功能三相三感测电机驱动器 | 参考设计 | |
| MS8313 | 杭州瑞盟 | 2.5A 36V电机驱动芯片 | 参考设计 |
将栅极驱动和功率桥集成于一体的驱动芯片,MCU直接通过它控制电机,外围器件最少。适合手指、灵巧手等微型关节,追求小封装、低功耗和多通道集成。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| MP1918GQE-Z | MPS(芯源) | 100V高频半桥GaN/MOSFET驱动器 | 参考设计 | |
| MP6532GR-Z | MPS(芯源) | 无刷直流BLDC电机驱动芯片 60V | 参考设计 | |
| MP6530GR-Z | MPS(芯源) | 5V至60V三相无刷直流电机预驱动器 | 参考设计 | |
| DRV8323HRTAR | TI(德州仪器) | 5mA 无刷直流BLDC电机驱动芯片 60V | 参考设计 | |
| DRV8323SRTAR | TI(德州仪器) | 5mA 无刷直流BLDC电机驱动芯片 60V | 参考设计 | |
| DRV8323SRTAT | TI(德州仪器) | 5mA 无刷直流BLDC电机驱动芯片 60V | 参考设计 | |
| DRV8323HRTAT | TI(德州仪器) | 5mA 无刷直流BLDC电机驱动芯片 60V | 参考设计 | |
| DRV8300DRGER | TI(德州仪器) | 100V三相BLDC栅极驱动器 | 参考设计 | |
| DRV8304HRHAR | TI(德州仪器) | 38V三相智能栅极驱动器 | 参考设计 | |
| DRV8304HRHAT | TI(德州仪器) | 38V三相智能栅极驱动器 | 参考设计 | |
| DRV8304SRHAR | TI(德州仪器) | 38V三相智能栅极驱动器 | 参考设计 | |
| DRV8350FHRTVR | TI(德州仪器) | 100V三相智能栅极驱动器 | 参考设计 | |
| DRV8350HRTVT | TI(德州仪器) | 100V三相智能栅极驱动器 | 参考设计 | |
| DRV8353SRTAR | TI(德州仪器) | 100V三相智能栅极驱动器 | 参考设计 | |
| DRV8353SRTAT | TI(德州仪器) | 25mA 无刷直流BLDC电机驱动芯片 95V | 参考设计 | |
| CA-IS3221AN | Chipanalog(川土微) | 6A灌电流/5A拉电流、3.75kVRMs隔离双通道栅极驱动器 | 参考设计 | |
| STDRIVE101 | ST(意法半导体) | 三路半桥栅极驱动器 | 参考设计 | |
| STDRIVE101TR | ST(意法半导体) | 三路半桥栅极驱动器 | 参考设计 | |
| FD2606S | Fortior Tech(峰岹) | 600V半桥栅极驱动器 | 参考设计 | |
| MP1921HS-A-LF-Z | MPS(芯源) | 100V、2.5A高频半桥栅极驱动器 | 参考设计 |
基于霍尔效应,通过感应电流产生的磁场输出与电流成正比的电压信号。天然隔离、安装灵活,适合中大功率关节的电流检测,需注意温度补偿。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| MCS1823GQTE-320BRN-Z | MPS(芯源) | 超小型霍尔效应线性电流传感器,带过流检测 | 参考设计 | |
| MCS1823GQTE-330BRN-Z | MPS(芯源) | MCS1823GQTE-330BRN-Z | 参考设计 | |
| MCS1806GS-3-40-Z | MPS(芯源) | 3kVrms隔离霍尔效应电流传感器,工作电压500Vrms,精度±2.5% | 参考设计 | |
| ACS712ELCTR-20A-T | ALLEGRO(美国埃戈罗) | 基于霍尔效应的全集成线性电流传感器IC,具备2.1 kVRMS隔离和低电阻电流导体 | 参考设计 |
信号链的核心,将分流电阻上的毫伏级压降精确放大,供ADC采样。要求高共模电压范围、高PWM抑制能力和低传播延迟,部分场景需隔离。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| INA240A1DR | TI(德州仪器) | 电流检测放大器 | 参考设计 | |
| INA240A1D | TI(德州仪器) | 电流检测放大器指南 | 参考设计 | |
| INA240A1QDRQ1 | TI(德州仪器) | 4V至80V、具有增强型PWM抑制的双向、超精密电流检测放大器 | 参考设计 | |
| INA240A1EDRQ1 | TI(德州仪器) | 4V至80V、具有增强型PWM抑制的双向、超精密电流检测放大器 | 参考设计 | |
| INA241A3IDDFR | TI(德州仪器) | 5 V 至 110 V 双向超精密电流检测放大器,增强 PWM 抑制 | 参考设计 | |
| INA241A3QDDFRQ1 | TI(德州仪器) | -5V 至 110V 双向超精密电流检测放大器,增强 PWM 抑制 | 参考设计 | |
| INA281B2IDBVR | TI(德州仪器) | -4-V至110-V、1.3-MHz电流检测放大器 | 参考设计 | |
| INA281B2QDBVRQ1 | TI(德州仪器) | 适用于汽车应用的高精度宽共模电压电流检测放大器,支持高速应用 | 参考设计 | |
| INA381A3IDSGR | TI(德州仪器) | 具有集成比较器的26V高速电流感应放大器 | 参考设计 | |
| INA381A3IDSGT | TI(德州仪器) | 具有集成比较器的高速电流感应放大器,可检测过流情况,支持透明和锁存模式 | 参考设计 | |
| TSC2020IYST | ST(意法半导体) | 100V精密双向电流检测放大器 | 参考设计 | |
| TSC2020IST | ST(意法半导体) | 精密双向电流检测放大器,支持宽共模电压,具备高共模抑制比和内部固定增益 | 参考设计 | |
| TSC2020IYDT | ST(意法半导体) | 100V精密双向电流检测放大器 | 参考设计 | |
| TSC2020IDT | ST(意法半导体) | 精密双向电流检测放大器,支持宽共模电压,具备高共模抑制比和内部固定增益 | 参考设计 | |
| TSC213ICT | ST(意法半导体) | 高低侧、双向、零漂移电流检测放大器 | 参考设计 | |
| TSC213IQT | ST(意法半导体) | TSC213IQT | 参考设计 | |
| TSC213IYCT | ST(意法半导体) | 高低侧、双向、零漂移电流检测放大器 | 参考设计 | |
| TSC212IYCT | ST(意法半导体) | 高低侧、双向、零漂移电流检测放大器 | 参考设计 |
用于过流保护。电流超过阈值时快速输出故障信号,直接触发PWM关断,实现微秒级硬件保护,不依赖软件响应。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| TL331IDBVR | TI(德州仪器) | 单通道差分比较器 | 参考设计 | |
| TL331IDBVRQ1 | TI(德州仪器) | 汽车单比较器 | 参考设计 | |
| TL331IDBVRG4 | TI(德州仪器) | TL331IDBVRG4 | 参考设计 | |
| TL331IDBVT | TI(德州仪器) | Op Amps-Comparators | 参考设计 | |
| TL331IDBVRE4 | TI(德州仪器) | TL331IDBVRE4 | 参考设计 | |
| TS391ILT | ST(意法半导体) | 低功耗单电源电压比较器 | 参考设计 |
为ADC和比较器提供稳定电压参考。其精度和温漂直接影响电流测量精度,是保证采样一致性的关键器件。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| TLV431BQDBZRQ1 | TI(德州仪器) | 1.24V~6V 并联 | 参考设计 | |
| TLV431BQDBZR | TI(德州仪器) | 1.24V~6V 并联 80uA | 参考设计 | |
| TLV431BIDBZR | TI(德州仪器) | 并联 80uA | 参考设计 | |
| TLV431BCDBZR | TI(德州仪器) | 1.24V~6V 并联 | 参考设计 | |
| TLV431BCDBZT | TI(德州仪器) | 并联 | 参考设计 | |
| TLV431BIDBZT | TI(德州仪器) | 并联 | 参考设计 | |
| TLV431BQDBZT | TI(德州仪器) | 并联 | 参考设计 | |
| REF3040AIDBZR | TI(德州仪器) | 4.097V~5.5V 串联 42uA 75ppm/℃ | 参考设计 | |
| REF3040AIDBZT | TI(德州仪器) | 4.096V~5.5V 串联 42uA 75ppm/℃ | 参考设计 | |
| MAX6126AASA25+T | ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) | 2.7V~12.6V 串联 725uA 5ppm/℃ | 参考设计 | |
| ADR03BRZ | ADI(亚德诺) | 4.5V~36V 串联 650uA 3ppm/℃ | 参考设计 |
将模拟电流信号转换为数字量,供MCU的FOC算法使用。主流要求14到16位精度、1MSPS以上采样率,且触发时序需与PWM严格同步。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| ADS1015LIDGSR | TI(德州仪器) | 具有PGA、比较器和1.8V I²C总线电压支持的超小型、低功耗、12位3.3kSPS ADC | 参考设计 | |
| ADS131M02IRUKR | TI(德州仪器) | 24 位、32kSPS、2 通道同步采样 ADC | 参考设计 | |
| ADS131M02IRUKT | TI(德州仪器) | 24 位、32kSPS、2 通道同步采样 ADC | 参考设计 | |
| ADS112C04IPWR | TI(德州仪器) | 具有I²C接口的16位4通道2kSPS△-∑ADC | 参考设计 | |
| ADS112C04IPW | TI(德州仪器) | ADS112C04IPW | 参考设计 | |
| AMC0106M25DENR | TI(德州仪器) | AMC0106M25DENR | 参考设计 | |
| PAMC0106M25DENR | TI(德州仪器) | 双向I2C隔离器,带单向数字通道 | 参考设计 |
在MCU与功率级之间、高压侧与低压侧之间建立电气隔离,用于隔离栅极驱动信号和电流反馈信号。核心指标是CMTI、传播延迟和通道间匹配,要求高抗共模干扰、低延迟、高可靠性。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| ISO7760FDWR | TI(德州仪器) | 高速、增强型六通道数字隔离器 | 参考设计 | |
| ISO7760FQDWRQ1 | TI(德州仪器) | ISO776x-Q1高速、增强型六通道数字隔离器 | 参考设计 | |
| ADUM1401BRWZ-RL | ADI(亚德诺) | 四通道数字隔离器(3/1通道方向性) | 参考设计 | |
| ADUM1401BRWZ | ADI(亚德诺) | 四通道数字隔离器(3/1通道方向性) | 参考设计 | |
| CA-IS3763LN | Chipanalog(川土微) | CA-IS376x 高速六通道数字隔离器 | 参考设计 | |
| CA-IS3730HW | Chipanalog(川土微) | CA-IS373x 高速三通道数字隔离器 | 参考设计 | |
| ISO7760N0-Y | YLPTEC(易川) | 六通道隔离器-窄体 | 参考设计 | |
| CA-IS3721CHS | Chipanalog(川土微) | 通用双通道数字隔离器 | 参考设计 |
集成磁敏感单元、信号调理和角度解算的单芯片位置传感器,配合一颗旋转永磁体即可工作。按磁敏元件分霍尔、AMR、GMR、TMR四条路线:霍尔主打性价比,AMR兼顾性能与成本,GMR和TMR面向超高精度。芯片级方案体积小、功耗低、抗污染抗振动,适合灵巧手、腕部等空间受限关节及分布式全身反馈系统。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| NCS32100XMNTXG | onsemi(安森美) | 带备用电池的电感式位置传感器 | 参考设计 | |
| MA730GQ-Z | MPS(芯源) | 带ABZ增量式和PWM输出的14位数字式非接触式角度传感器 | 参考设计 | |
| MA734GQ-Z | MPS(芯源) | 8位至12.5位,3μs低延迟非接触式角度传感器 | 参考设计 | |
| MA735GGU-Z | MPS(芯源) | 9至13位数字式非接触式角度传感器,带ABZ和PWM输出 | 参考设计 | |
| MA736GGU-Z | MPS(芯源) | 8位至12.5位、3μs低延迟、超小型非接触式数字角度传感器 | 参考设计 | |
| MT6826SGT-STD-R | NOVOSENSE(纳芯微) | 15位高分辨率、高精度磁性角度编码器IC | 参考设计 | |
| TLE5012BE1000 | Infineon(英飞凌) | 基于GMR的角度传感器 | 参考设计 | |
| TAS2143-AAAA | TDK | TMR角度传感器 | 参考设计 | |
| MA600GQE-0000-Z | MPS(芯源) | 高精度、高带宽、可配置数字磁角度传感器 | 参考设计 |
编码器前端的信号调理核心,负责将编码器输出的微弱正余弦信号放大、缓冲和滤波,供ADC采样。要求低噪声、低失调、足够的带宽和压摆率,部分场景需要全差分输出来驱动差分ADC。封装和功耗也是关节空间受限场景的关键考量。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| OPA855IDSGR | TI(德州仪器) | 8GHz增益带宽积、7VV稳定增益、双极输入放大器 | 参考设计 | |
| OPA855IDSGT | TI(德州仪器) | 8GHz增益带宽积、7V/V稳定增益、双极输入放大器 | 参考设计 | |
| OPA836IDBVR | TI(德州仪器) | 超低功耗、轨到轨输出、负轨输入 VFB 运算放大器 | 参考设计 | |
| OPA836IDBVT | TI(德州仪器) | 极低功耗、轨到轨输出、负轨输入、电压反馈运算放大器 | 参考设计 | |
| THS4551IDGKR | TI(德州仪器) | 低噪声精密全差分放大器 | 参考设计 | |
| THS4551IDGKT | TI(德州仪器) | 低噪声精密全差分放大器 | 参考设计 |
将运放调理后的模拟信号转换为数字量,供MCU解算角度和位置。要求高分辨率(14到16位以上)、低噪声、采样率与编码器信号频率匹配,且触发时序需与MCU的PWM或编码器接口严格同步。部分高端场景需要多通道同步采样。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 参考设计 | 数据手册 |
|---|---|---|---|---|
| ADS7042IDCUR | TI(德州仪器) | ADS7042 超低功耗、超小尺寸、12 位、1MSPS、SAR ADC | 参考设计 | |
| ADS7042IDCUT | TI(德州仪器) | ADS7042 超低功耗、超小尺寸、12 位、1MSPS、SAR ADC | 参考设计 | |
| MAX11198ATE+T | ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) | 12/14/16位,2Msps,双通道同步采样SAR ADC,内置参考电压 | 参考设计 |





