芯片简介
MB85RS256B是一款FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为32768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺形成非易失存储单元。MB85RS256B采用串行外设接口（SPI）。MB85RS256B能够在不使用备用电池的情况下保存数据，而SRAM需要备用电池。MB85RS256B使用的存储单元可进行10^12次读/写操作，读写次数高于Flash存储器和E2PROM。MB85RS256B写入数据不需要像Flash存储器或E2PROM那样长时间，且无等待时间。
商品特性：
- 位配置：32768字×8位
- 串行外设接口：SPI，对应SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
- 工作频率：除READ外的所有命令33MHz（最大）；READ命令25MHz（最大）
- 高耐久性：10^12次/字节
- 数据保持：10年（+85℃），95年（+55℃），超过200年（+35℃）
- 工作电源电压：2.7V至3.6V
- 低功耗：工作电源电流6mA（典型@33MHz），待机电流9μA（典型）
- 工作环境温度范围：-40℃至+85℃
