芯片简介
MB85RC16是采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺的2,048字×8位FeRAM（铁电随机存取存储器）。像SRAM一样无需备用电池即可进行数据保持。不需要像闪存或E²PROM那样长的写入时间，可实现字节单位写入，且无需等待写入完成。支持I²C总线，作为从设备工作。I²C使用SCL和SDA两线通信，数据以8位为单位发送/接收，每8位后接收侧输出ACKL。开始条件为SCL为H期间SDA从H变为L；停止条件为SCL为H期间SDA从L变为H。内存地址由11位构成。设备地址由4位设备代码、3位内存高位地址代码、1位读/写代码构成，设备代码高4位固定为“1010”。支持字节写入、页写入、当前地址读、随机读、顺序读等命令。FeRAM写入时间高速，不需要通过应答轮询等待ACK。写保护端子可以禁止写入。软件复位和命令重试可用于异常恢复。
商品特性：
- 存储结构：2,048字×8位
- 2线串行接口：仅通过串行时钟和串行数据两个端口即可实现所有控制
- 写入/读取耐久性：10¹²次/字节
- 数据保持特性：10年（+85℃），95年（+55℃），200年以上（+35℃）
- 工作电源电压：2.7V ~ 3.6V
- 低功耗：工作电源电流70μA（典型值@1MHz），待机电流0.1μA（典型值）
- 工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
