芯片简介
MB85RC64V是一款FRAM铁电随机存取存储器芯片，配置为8192字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC64V无需数据备份电池即可保存数据。非易失性存储单元的读写耐久性至少为10^12次。写入后无需像闪存或E2PROM那样进行轮询序列。
商品特性：
- 位配置：8192字×8位
- 两线串行接口：由串行时钟SCL和串行数据SDA两个端口控制
- 工作频率：1MHz（上限）
- 读写耐久性：10^12次/字节
- 数据保持：10年（+85℃），95年（+55℃），超过200年（+35℃）
- 工作电源电压：3.0V至5.5V
- 低功耗：工作电源电流90μA（典型值@1MHz），待机电流5μA（典型值）
- 工作环境温度范围：-40℃至+85℃
应用领域：
- 适用于普通工业用途、一般办公用途、个人用途和家庭用途
- 适用于需要非易失性数据保持且无需数据备份电池的系统
- 适用于需要两线I2C接口从设备通信的场景
- 适用于需要高读写耐久性和高速写入的存储应用
- 适用于读写操作后无需轮询等待的场合
