芯片简介
MB85RS16是一款FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为2048字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺形成非易失性存储单元。MB85RS16采用串行外设接口（SPI）。MB85RS16无需像SRAM那样使用备用电池即可保持数据。其存储单元可进行10的12次方次读写操作，相比闪存和E²PROM支持的读写次数有显著提升。MB85RS16不像闪存或E²PROM那样需要较长时间写入数据，且无需等待时间。
商品特性：
- 位配置：2048字×8位
- 串行外设接口：SPI（串行外设接口），对应SPI模式0（CPOL=0,CPHA=0）和模式3（CPOL=1,CPHA=1）
- 工作频率：20MHz（最大）
- 高耐久性：每字节1万亿次读写
- 数据保持：10年（+85℃），95年（+55℃），超过200年（+35℃）
- 工作电源电压：2.7V至3.6V
- 低功耗：工作电源电流1.5mA（典型值，20MHz），待机电流5μA（典型值）
- 工作环境温度范围：-40℃至+85℃
