BSS138LT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，50 V，200 mA，3.5 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册BSS138LT1G数据手册Datasheet PDF
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BSS138LT1G概述
ON SEMICONDUCTOR公司的BSS138LT1G是一款表面安装50V N沟道功率MOSFET，SOT-23封装的.具有低阈值电压，适用于低电压应用.适合应用包括DC-DC转换器，便携式与电池供电产品(如计算机，打印机，PCMCIA卡，蜂窝与无绳电话)的电源管理.
汽车级AEC-Q101标准
漏极至源极电压(Vds):50V
栅-源电压:±20V
持续漏极电流(ld):200mA
功率耗散:225mW
工作温度范围-55°C至150°C
Vgs 5V，低通导电阻:3.5ohm
应用
电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业，车用
汽车级AEC-Q101标准
漏极至源极电压(Vds):50V
栅-源电压:±20V
持续漏极电流(ld):200mA
功率耗散:225mW
工作温度范围-55°C至150°C
Vgs 5V，低通导电阻:3.5ohm
应用
电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业，车用
BSS138LT1G中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 50 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 高度 | 0.94mm |
| 引脚数目 | 3 | 晶体管材料 | Si |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 Ω | 宽度 | 1.3mm |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 2.9mm |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
BSS138LT1G引脚图
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