DTC114EET1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类三极管
- 中文描述晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率<br /> <br />
- 英文描述Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R<br /> <div> <br /> </div>
- 数据手册DTC114EET1G数据手册Datasheet PDF
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DTC114EET1G概述
DTC114EET1G是一款NPN数字晶体管，带偏置电阻器阵列，设计用于替代单器件及外部电阻器偏置阵列。偏置电阻晶体管包含一个晶体管，带偏置阵列，由2个电阻器，1个串联基极电阻器，和1个基极发射极电阻器组成。BRT将它们集成到单体设备上，消除单独组件。
简化电路设计
减少电路板占用空间
减少组件数量
应用
工业，车用，电源管理
简化电路设计
减少电路板占用空间
减少组件数量
应用
工业，车用，电源管理
DTC114EET1G中文参数
| 晶体管类型 | NPN | 晶体管配置 | 单 |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.25 V |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA | 典型电阻比 | 1 |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型输入电阻器 | 10 kΩ | 长度 | 1.65mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 尺寸 | 1.65 x 0.9 x 0.8mm |
| 封装类型 | SOT-416 (SC-75) | 宽度 | 0.9mm |
| 引脚数目 | 3 | 高度 | 0.8mm |
| 最小直流电流增益 | 35 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 338 mW |
DTC114EET1G引脚图
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