IRF4905PBF
- 厂商名称英飞凌
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，55 V，74 A，0.02 ohm，TO-220AB，通孔
- 英文描述Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
- 数据手册IRF4905PBF数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
IRF4905PBF概述
International Rectifier公司的IRF4905PBF是一款-55V单P沟道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封装.此MOSFET具有极低的单位面积导通电，额定动态dv/dt，耐用的快速开关以及全雪崩额定，功率MOSFET提供极高的效率和稳定性，用于多种应用.
漏极至源极电压:-55V
栅-源电压：±20V
Vgs=-10V时，导通电阻Rds(on)为20mohm
25°C功率耗散Pd:200W
Vgs 10V 25°C时，连续漏电流Id:-74A
结温范围:-55°C至175°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
漏极至源极电压:-55V
栅-源电压：±20V
Vgs=-10V时，导通电阻Rds(on)为20mohm
25°C功率耗散Pd:200W
Vgs 10V 25°C时，连续漏电流Id:-74A
结温范围:-55°C至175°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
IRF4905PBF中文参数
| 通道类型 | P | 最大功率耗散 | 200 W |
| 最大连续漏极电流 | 74 A | 晶体管配置 | 单 |
| 最大漏源电压 | 55 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | TO-220AB | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 安装类型 | 通孔 | 典型栅极电荷@Vgs | 180 nC @ 10 V |
| 引脚数目 | 3 | 高度 | 8.77mm |
| 最大漏源电阻值 | 20 mΩ | 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道模式 | 增强 | 系列 | HEXFET |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 晶体管材料 | Si |
IRF4905PBF引脚图
爆款物料推荐
型号
价格