芯片简介
MP1918是一款100V半桥驱动器，用于驱动增强型氮化镓场效应晶体管（GaNFET）或具有低栅极阈值电压的N沟道MOSFET，适用于半桥或同步应用。该器件具有独立的高边（HS）和低边（LS）PWM输入，并采用自举技术为HS驱动器供电，支持高达100V电压。其充电技术可防止HS驱动电压超过VCC，从而避免栅极电压超过GaNFET的最大栅源电压额定值。两路独立栅极输出允许通过向栅极回路加入阻抗分别调节开通和关断能力，工作频率可达数MHz。采用QFN-14（3mm×3mm）封装。
商品特性：
- 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入
- 高侧浮动偏置电压轨工作电压高达100VDC
- 独立的栅极输出，用于可调节的导通和关断能力
- 内部自举开关电源电压钳位
- 3.7V至5.5V的VCC电压范围
- 0.27Ω/1.2Ω下拉/上拉电阻
- 快速传播时间
- 优异的传播延迟匹配（典型值1.5ns）
- 采用带有可焊侧面的QFN-14（3×3mm）封装
应用领域：
- 半桥和全桥转换器
- 音频D类放大器
- 同步降压转换器
- 电源模块
