芯片简介
MP1921A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时强制输出为低电平。集成的自举二极管可减少外部元件数量。
商品特性：
- 驱动N沟道MOSFET半桥
- 120V VBST电压范围
- 片上自举二极管
- 典型传播延迟时间为16ns
- 栅极驱动匹配小于5ns
- 当VDD为12V时，驱动1nF负载的上升/下降时间为12ns/9ns
- TTL兼容输入
- 静态电流小于150μA
- 高端和低端均具备欠压锁定功能
- 提供SOIC8E、SOIC - 8、3×3mm QFN8、3×3mm QFN9和4×4mm QFN10封装
应用领域：
- 电信半桥电源
- DC - DC转换器
- 双开关正激转换器
- 有源钳位正激转换器
- 直流电机驱动器
