NTR4003NT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，30 V，560 mA，1.5 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Small Signal MOSFET
- 数据手册NTR4003NT1G数据手册Datasheet PDF
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NTR4003NT1G概述
NTR4003NT1G是一款N沟道小信号MOSFET，可提供30V漏源电压和0.5A连续漏电流。它适用于用作电平转换器、逻辑开关和低压侧负载开关的笔记本电脑。
低栅极电压阈值VGS(th)，便于驱动电路设计
用于快速开关的低栅极电荷
ESD保护门
SOT-23封装提供出色的热性能
最小击穿电压额定值30V
-55至150°C工作结温范围
应用
电源管理，计算机和计算机周边，便携式器材，工业
低栅极电压阈值VGS(th)，便于驱动电路设计
用于快速开关的低栅极电荷
ESD保护门
SOT-23封装提供出色的热性能
最小击穿电压额定值30V
-55至150°C工作结温范围
应用
电源管理，计算机和计算机周边，便携式器材，工业
NTR4003NT1G中文参数
| 通道类型 | N | 最大功率耗散 | 690 mW |
| 最大连续漏极电流 | 560 mA | 晶体管配置 | 单 |
| 最大漏源电压 | 30 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | SOT-23 | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 晶体管材料 | Si |
| 引脚数目 | 3 | 宽度 | 1.4mm |
| 最大漏源电阻值 | 2 Ω | 典型栅极电荷@Vgs | 1.15 nC @ 5 V |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 3.04mm |
| 最大栅阈值电压 | 1.4V | 最高工作温度 | +150 °C |
NTR4003NT1G引脚图
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