NDS0610
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，60 V，120 mA，10 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述NDS0610 P-Channel MOSFET，120 mA，60 V，3-Pin SOT-23 Fairchild
- 数据手册NDS0610数据手册Datasheet PDF
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NDS0610概述
NDS0610是使用高单元密度DMOS技术生产的P沟道增强型FET。这种非常高密度的工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关。在大多数需要高达120mA DC的应用中，它们可以毫不费力地使用，并且可以提供高达1A的电流。该产品特别适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
压控p沟道小信号开关
低RDS(ON)的高密度电池设计
高饱和电流
特点和优势：
?电压控制的P通道小信号开关
?高密度单元设计
?高饱和度电流
?卓越的交换性能
?坚固耐用、可靠的性能
*DMOS技术
应用：
?负载切换
?DC/DC转换器
?电池保护
?电源管理控制
?直流电机控制
压控p沟道小信号开关
低RDS(ON)的高密度电池设计
高饱和电流
特点和优势：
?电压控制的P通道小信号开关
?高密度单元设计
?高饱和度电流
?卓越的交换性能
?坚固耐用、可靠的性能
*DMOS技术
应用：
?负载切换
?DC/DC转换器
?电池保护
?电源管理控制
?直流电机控制
NDS0610中文参数
| 通道类型 | P | 最大功率耗散 | 360 mW |
| 最大连续漏极电流 | 120 mA | 晶体管配置 | 单 |
| 最大漏源电压 | 60 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | SOT-23 | 宽度 | 1.3mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 引脚数目 | 3 | 典型栅极电荷@Vgs | 1.8 nC @ 10 V |
| 最大漏源电阻值 | 10 Ω | 晶体管材料 | Si |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 2.92mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 最高工作温度 | +150 °C |
NDS0610引脚图
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