NTR4101PT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，20 V，3.2 A，0.07 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trench Power MOSFET
- 数据手册NTR4101PT1G数据手册Datasheet PDF
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NTR4101PT1G概述
NTR4101PT1G是一款P沟道沟槽功率MOSFET，提供-20V漏源电压和-2.4A连续漏电流。它适用于充电电路和电池保护、便携式和计算应用的负载管理。
用于低RDS(ON)的领先-20V沟槽
-1.8V额定用于低压栅极驱动
表面贴装，占地面积小
无卤素
-55至150°C工作结温范围
应用
电源管理，计算机和计算机周边，便携式器材，工业
用于低RDS(ON)的领先-20V沟槽
-1.8V额定用于低压栅极驱动
表面贴装，占地面积小
无卤素
-55至150°C工作结温范围
应用
电源管理，计算机和计算机周边，便携式器材，工业
NTR4101PT1G中文参数
| 通道类型 | P | 最大功率耗散 | 730 mW |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A | 晶体管配置 | 单 |
| 最大漏源电压 | 20 V | 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 封装类型 | SOT-23 | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 引脚数目 | 3 | 宽度 | 1.3mm |
| 最大漏源电阻值 | 85 mΩ | 典型栅极电荷@Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 2.9mm |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | 晶体管材料 | Si |
NTR4101PT1G引脚图
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