FDD770N15A
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，150 V，18 A，0.061 ohm，TO-252(DPAK)，表面安装
- 英文描述MOSFET 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET
- 数据手册FDD770N15A数据手册Datasheet PDF
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FDD770N15A概述
FDD770N15A此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench®工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
特性
RDS(on)=61mΩ（典型值） VGS=10V，ID=12A
快速开关速度
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
高功率和高电流处理能力
符合RoHS标准
应用
消费型设备
消费电子
特性
RDS(on)=61mΩ（典型值） VGS=10V，ID=12A
快速开关速度
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
高功率和高电流处理能力
符合RoHS标准
应用
消费型设备
消费电子
FDD770N15A中文参数
| 通道类型 | N | 最大功率耗散 | 56.8 W |
| 最大连续漏极电流 | 11.4 A | 晶体管配置 | 单 |
| 最大漏源电压 | 150 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | 宽度 | 6.22mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 引脚数目 | 3 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大漏源电阻值 | 77 mΩ | 长度 | 6.73mm |
| 通道模式 | 增强 | 典型栅极电荷@Vgs | 8.4 nC @ 10 V |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 晶体管材料 | Si |
FDD770N15A引脚图
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