MMBF170LT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，500 mA，5 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述MOSFET N-Channel 60V 0.5A SOT23 ON Semiconductor MMBF170LT1G N-channel MOSFET Transistor，0.5 A，60 V，3-Pin SOT-23
- 数据手册MMBF170LT1G数据手册Datasheet PDF
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MMBF170LT1G概述
MMBF170LT1G是一款N沟道功率MOSFET，漏源电压为60VDC，漏电流为500mA。
符合AEC-Q101标准
支持PPAP
应用
车用
符合AEC-Q101标准
支持PPAP
应用
车用
MMBF170LT1G中文参数
| 通道类型 | N | 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大连续漏极电流 | 500 mA | 晶体管配置 | 单 |
| 最大漏源电压 | 60 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | SOT-23 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 长度 | 2.9mm |
| 引脚数目 | 3 | 晶体管材料 | Si |
| 最大漏源电阻值 | 5 Ω | 宽度 | 1.3mm |
| 通道模式 | 增强 | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
MMBF170LT1G引脚图
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