NDS0605

厂商名称ON安森美
元件分类MOS管
中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，60 V，180 mA，5 ohm，SOT-23，表面安装
英文描述P-channel MOSFET Transistor 0.18 A 60 V，3-Pin SOT-23
数据手册NDS0605数据手册Datasheet PDF
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NDS0605概述

NDS0605是一款P沟道增强模式FET，采用Fairchild高单元密度DMOS技术生产。这种高密度技术可以将导通电阻降至最低，并提供坚固可靠的性能，以及快速开关能力。适用于需要180mA DC的应用中，并且可以提供高达1A的电流。该产品适合需要低电流高压侧开关的应用。

压控P通道小信号开关

高密度单元设计，低RDS(ON)

NDS0605中文参数

晶体管极性:P沟道

漏源电压，Vds:60V

电流，Id连续:180mA

在电阻RDS（上）:5ohm

晶体管封装类型:SOT-23

晶体管安装:表面安装

电压 Rds测量:10V

阈值电压Vgs:1.7V

功耗Pd:360mW

针脚数:3引脚

工作温度最高值:150°C

NDS0605引脚图

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