BS170-D26Z
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，500 mA，1.2 ohm，TO-92，通孔
- 英文描述MOSFET N-Ch 60V 0.5A TO-92
- 数据手册BS170-D26Z数据手册Datasheet PDF
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BS170-D26Z概述
BS170_D26Z是一款60V N沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS技术生产。该器件旨在最大限度地降低通态电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。这可用于大多数需要高达500mA DC的应用。它特别适用于低压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。
低RDS(ON)的高密度电池设计
压控小信号开关
坚固可靠
高饱和电流能力
60V漏栅电压(VDGR)
±20V连续栅源电压(VGSS)
150°C/W热阻，结到环境
低RDS(ON)的高密度电池设计
压控小信号开关
坚固可靠
高饱和电流能力
60V漏栅电压(VDGR)
±20V连续栅源电压(VGSS)
150°C/W热阻，结到环境
BS170-D26Z中文参数
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：500mA
功率(Pd)：830mW
导通电阻(RDS(on) Vgs，Id)：5Ω 10V，200mA
阈值电压(Vgs(th) Id)：3V 1mA N沟道，60V，0.5A
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：500mA
功率(Pd)：830mW
导通电阻(RDS(on) Vgs，Id)：5Ω 10V，200mA
阈值电压(Vgs(th) Id)：3V 1mA N沟道，60V，0.5A
BS170-D26Z引脚图
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