mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AO3401A 编号：C5224202

封装：SOT-23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.2584
200+
￥0.206
600+
￥0.1798
3000+
￥0.1601
9000+
￥0.1444
21000+
￥0.1365

有货

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型号：AOD4185 编号：C5261064

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管具有40A的电流承载能力和40V的电压耐受性，内阻典型值为10mΩ，适用于高效能应用。其P型设计确保了良好的电流传导性能，VGS为20V，适用于多种电路设计需求。选择它，可确保电路的稳定性和高效性。

数据手册

5+
￥1.477344 ￥1.6788
50+
￥1.225928 ￥1.3931
150+
￥1.118128 ￥1.2706
500+
￥0.983664 ￥1.1178
2500+
￥0.749232 ￥0.8514
5000+
￥0.71324 ￥0.8105

有货

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型号：NDT3055L 编号：C7472932

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：60V，4A，RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4 V。高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。坚固可靠。符合无铅产品要求。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。接口

5+
￥1.5511
50+
￥1.2033
150+
￥1.0543
500+
￥0.8683
2500+
￥0.7855
5000+
￥0.7358

有货

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型号：HD506N100SG 编号：C50132383

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.6002
50+
￥1.2676
150+
￥1.125
500+
￥0.9471
2500+
￥0.8679
5000+
￥0.8204

有货

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型号：HB04P130S 编号：C49256778

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.8002
50+
￥1.426
150+
￥1.2656
500+
￥1.0655
2500+
￥0.9764
5000+
￥0.923

有货

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型号：HT06N780S 编号：C49066903

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 60V。ID = 4A。RDS(on)@VGS = 10V < 78mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 100mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥1.9348
50+
￥1.5326
150+
￥1.3602
500+
￥1.1452
2500+
￥1.0494
5000+
￥0.9919

有货

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型号：HT03N270S 编号：C49066898

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 ID = 8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 15mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥1.9348
50+
￥1.5326
150+
￥1.3602
500+
￥1.1452
2500+
￥1.0494
5000+
￥0.9919

有货

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型号：NCE6080K 编号：C341705

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE6080K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。

数据手册

1+
￥2.007
10+
￥1.5434
30+
￥1.3446
100+
￥1.0967
500+
￥0.9863
1000+
￥0.92

有货

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型号：Si2318CDS-T1-GE3 编号：C14498

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,40V,5.6A,42mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.1281
50+
￥1.7508
150+
￥1.5666
500+
￥1.4022
3000+
￥1.2211
6000+
￥1.194

有货

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型号：AOD4184A 编号：C99124

封装：TO-252

品牌：AOS

AOD4184A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。

数据手册

5+
￥2.1532
50+
￥1.7254
150+
￥1.5166
500+
￥1.3303
2500+
￥1.1567
5000+
￥1.126

有货

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型号：HT06P1H3S 编号：C49066908

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -60V。 I0 = -4.3A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 130mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 190mΩ。高功率和电流处理能力。高密度单元设计，超低Rdson。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.2863
50+
￥1.8111
150+
￥1.6074
500+
￥1.3532
2500+
￥1.2401
5000+
￥1.1722

有货

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型号：HYG053N10NS1C2 编号：C2986239

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：100V/95A，RDS(ON) = 4.6mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。可靠耐用。有无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理

数据手册

1+
￥2.47
10+
￥1.95
30+
￥1.69
100+
￥1.46
500+
￥1.28
1000+
￥1.24

有货

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型号：HB10N085SG 编号：C52766429

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥3.06
10+
￥2.42
30+
￥2.15
100+
￥1.81
500+
￥1.66
1000+
￥1.57

有货

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型号：HB06N040SG 编号：C49256777

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥3.71
10+
￥3.01
30+
￥2.66
100+
￥2.32
500+
￥2.11
1000+
￥2

有货

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型号：IRFP150NPBF 编号：C212023

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,Vdss=100V,Ic=42A

数据手册

1+
￥4.54
10+
￥3.86
25+
￥3.21
100+
￥2.81
400+
￥2.68
800+
￥2.6

有货

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型号：SI2302 编号：C727152

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3A

数据手册

20+
￥0.128915 ￥0.1357
200+
￥0.103075 ￥0.1085
600+
￥0.08873 ￥0.0934
3000+
￥0.073625 ￥0.0775
9000+
￥0.06612 ￥0.0696
21000+
￥0.06213 ￥0.0654

有货

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型号：2N7002T 编号：C2844731

封装：SOT-523

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.1293 ￥0.1724
200+
￥0.1026 ￥0.1368
600+
￥0.08775 ￥0.117
3000+
￥0.078825 ￥0.1051
9000+
￥0.0711 ￥0.0948
21000+
￥0.0669 ￥0.0892

有货

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型号：HL2306 编号：C28646262

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 ID = 3.5A。 RDS(on)@VGS = 10V < 39mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 59mΩ。先进的沟槽工艺技术。低阈值电压。应用：便携式设备的负载开关。电压控制小信号开关

20+
￥0.1326
200+
￥0.1151
600+
￥0.1054
3000+
￥0.0996
9000+
￥0.0946
21000+
￥0.0919

有货

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型号：AO3400A-MS 编号：C19632011

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：30V, 5.8 A, RDS(ON) = 20mΩ@VGS = 10V。改进的dv/dt能力。快速开关。有绿色环保器件可供选择。适用于2.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

20+
￥0.149055 ￥0.1569
200+
￥0.11571 ￥0.1218
600+
￥0.097185 ￥0.1023
3000+
￥0.085405 ￥0.0899
9000+
￥0.07581 ￥0.0798
21000+
￥0.070585 ￥0.0743

有货

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型号：SI2302 编号：C2841377

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.1532
200+
￥0.1184
600+
￥0.0991
3000+
￥0.0844
9000+
￥0.0744
21000+
￥0.069

有货

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型号：HL3134K 编号：C52204683

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.1667
200+
￥0.1308
600+
￥0.1108
3000+
￥0.0988
9000+
￥0.0884

有货

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型号：CJ3134K KF 编号：C62503

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,20V,0.75A,380mΩ@4.5V

数据手册

20+
￥0.1676
200+
￥0.1327
600+
￥0.1133
2000+
￥0.1016
8000+
￥0.0915
16000+
￥0.0861

有货

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型号：AO3400A 编号：C21713968

封装：SOT-23-3L

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制

20+
￥0.17056 ￥0.2132
200+
￥0.13384 ￥0.1673
600+
￥0.11344 ￥0.1418
3000+
￥0.09712 ￥0.1214
9000+
￥0.08656 ￥0.1082
30000+
￥0.0808 ￥0.101

有货

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型号：AO3401 编号：C6575062

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：笔记本电脑电源管理。开关应用

20+
￥0.1775
200+
￥0.1413
600+
￥0.1212
3000+
￥0.1041
9000+
￥0.0937
21000+
￥0.0881

有货

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型号：IRLML6402TRPBF-JSM 编号：C18190991

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

20+
￥0.19776 ￥0.2472
200+
￥0.15936 ￥0.1992
600+
￥0.14016 ￥0.1752
3000+
￥0.12576 ￥0.1572
9000+
￥0.11424 ￥0.1428
21000+
￥0.1084 ￥0.1355

有货

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型号：BSS138-7-F 编号：C40912

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.217
200+
￥0.1754
600+
￥0.1523
3000+
￥0.1377
9000+
￥0.1257
21000+
￥0.1193

有货

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型号：BSN20 编号：C116157

封装：SOT-23

品牌：SHIKUES(时科)

N沟道,50V,100mA,10Ω@2.75V

数据手册

20+
￥0.227145 ￥0.2391
200+
￥0.179455 ￥0.1889
600+
￥0.15295 ￥0.161
3000+
￥0.137085 ￥0.1443
9000+
￥0.12331 ￥0.1298
21000+
￥0.1159 ￥0.122

有货

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型号：TPNTK3139PT1G 编号：C558623

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻的P沟道开关。低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

数据手册

20+
￥0.2307
200+
￥0.1827
600+
￥0.1587
2000+
￥0.1407
8000+
￥0.1193
16000+
￥0.112

有货

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型号：AO3404 编号：C192925

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

N沟道,30V,5.8A,30mΩ@10V

数据手册

10+
￥0.275
100+
￥0.2188
300+
￥0.1907
3000+
￥0.1496
6000+
￥0.1327
9000+
￥0.1242

有货

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型号：BSH108 编号：C16197300

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V, ID = 3A。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

10+
￥0.29
100+
￥0.2319
300+
￥0.2028
3000+
￥0.1811
6000+
￥0.1636
9000+
￥0.1549

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