mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI2302-HXY 编号：C4748714

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管，适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V，确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。

数据手册

100+
￥0.0773
1000+
￥0.0624
3000+
￥0.0477
9000+
￥0.0428
51000+
￥0.0385
99000+
￥0.0361

有货

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型号：IRFP260NPBF 编号：C2678

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,50A,40mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.8
10+
￥4.97
25+
￥3.93
100+
￥3.44
350+
￥3.29
1050+
￥3.2

有货

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型号：WSD90P06DN56 编号：C719104

封装：DFN-8(5x6)

品牌：WINSOK(微硕)

WSD90P06DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。

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1+
￥7.8
10+
￥6.95
30+
￥6.15
100+
￥5.55
500+
￥4.52
1000+
￥4.4

有货

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型号：IRFP460PBF 编号：C2595

封装：TO-247AC-3

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,500V,20A,270mΩ@10V

数据手册

1+
￥12.22
10+
￥10.58
25+
￥9.42
100+
￥8.2026 ￥8.37
500+
￥7.7224 ￥7.88
1000+
￥7.5362 ￥7.69

有货

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型号：AO3400-HXY 编号：C4748804

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压30V，可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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50+
￥0.1268
500+
￥0.1022
3000+
￥0.0788
6000+
￥0.0706
24000+
￥0.0635
51000+
￥0.0597

有货

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型号：AO3400A 编号：C5224194

封装：SOT23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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20+
￥0.1501
200+
￥0.1258
600+
￥0.1123
3000+
￥0.1042
9000+
￥0.0971
21000+
￥0.0933

有货

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型号：SI2305 编号：C181088

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：高密集单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。坚固可靠。外壳材料：模塑塑料

数据手册

20+
￥0.196935 ￥0.2073
200+
￥0.155895 ￥0.1641
600+
￥0.133095 ￥0.1401
3000+
￥0.117135 ￥0.1233
9000+
￥0.10526 ￥0.1108
21000+
￥0.098895 ￥0.1041

有货

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型号：SI2302 编号：C344009

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,N-channel 20V/10V 4A VGS(th)=0.9V 30mΩ@3A&4.5V,SOT-23

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20+
￥0.2005
200+
￥0.16
600+
￥0.1375
3000+
￥0.1112
9000+
￥0.0995
21000+
￥0.0932

有货

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型号：SI2310 编号：C2938374

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:60V 电流:3A适用于电源开关和信号控制

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20+
￥0.20601 ￥0.2289
200+
￥0.16704 ￥0.1856
600+
￥0.14544 ￥0.1616
3000+
￥0.11475 ￥0.1275
9000+
￥0.1035 ￥0.115
30000+
￥0.09747 ￥0.1083

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型号：AO3416A 编号：C347499

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷。可在低至1.8V的栅极电压下工作。适用于负载开关或PWM应用。具备ESD保护。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 33mΩ(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 51mΩ(VGS = 1.8V)

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