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600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
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  • IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
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  • 1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器,其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容,可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输
    数据手册
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  • IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景
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  • 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • 200V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • 是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本,集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。比以前的IC提供更多功能且更易于使用。CT引脚设计了关断功能,可使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度相同,使启动时频率与时间的曲线更稳定。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt和将欠压锁定滞后增加到1V,显著提高了抗噪性。特别注重最大化器件的抗闩锁能力,并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
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  • IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC,非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC,可通过选择RT和CT来设置,其中fOSC = 1/(2*RT*CT)
    数据手册
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      ¥10.27
  • 有货
  • IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配,便于HVIC在高频应用中使用。
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    • 5+

      ¥2.5778
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      ¥1.2191
  • 有货
  • IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本,它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比,IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同,从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V,抗噪性能得到了显著改善。最后,特别关注了最大化器件的抗闩锁能力,并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。
    • 1+

      ¥4.73
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      ¥4.25
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      ¥3.5
  • 有货
  • 是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列,通过无芯变压器(CT)技术提供功能(2EDFx)或增强(2EDSx)输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快,特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET(CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC)。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计,针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计,提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强(安全)和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度:4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET,1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变(EMI)。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器(如1EDNx 4A/8A)结合用作PWM数据耦合器,该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置
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    • 1+

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  • 500V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • IFX007T是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它属于工业及多用途NovalithIC™系列产品,该系列产品在一个封装内集成了一个p沟道高端MOSFET、一个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关,无需使用电荷泵,从而将电磁干扰(EMI)降至最低
    • 1+

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    • 100+

      ¥15.04
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      ¥14.12
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
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