mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI2319 编号：C5337197

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压40V，支持高达5A连续电流。具有低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。

数据手册

10+
￥0.341
100+
￥0.2805
300+
￥0.2503
3000+
￥0.1852
6000+
￥0.167
9000+
￥0.158

有货

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型号：JSM2302A-A2SHB 编号：C2905536

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。

数据手册

20+
￥0.1634 ￥0.172
200+
￥0.12749 ￥0.1342
600+
￥0.10754 ￥0.1132
3000+
￥0.09253 ￥0.0974
9000+
￥0.08208 ￥0.0864
21000+
￥0.076475 ￥0.0805

有货

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型号：CJ2302 S2 编号：C8548

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,20V,2.1A,60mΩ@4.5V

数据手册

20+
￥0.1693
200+
￥0.1337
600+
￥0.114
3000+
￥0.1021
9000+
￥0.0919
21000+
￥0.0863

有货

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型号：HL2303 编号：C7420345

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDSS = -30V。 I₀ = -1.9A。 RDS(on)@VGS = -10V < 190mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 330mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池供电系统。固态继电器

20+
￥0.1728
200+
￥0.1423
600+
￥0.1253
3000+
￥0.1126
9000+
￥0.1038
21000+
￥0.0991

有货

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型号：SI2302DS 编号：C5310967

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.1754
200+
￥0.1368
600+
￥0.1154
3000+
￥0.0959
9000+
￥0.0847
21000+
￥0.0787

有货

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型号：AO3401 编号：C5296722

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于一般开关和低压电源电路、电流能力强、导通电阻低。

数据手册

20+
￥0.191505 ￥0.2253
200+
￥0.150195 ￥0.1767
600+
￥0.127245 ￥0.1497
3000+
￥0.10795 ￥0.127
9000+
￥0.095965 ￥0.1129
21000+
￥0.089505 ￥0.1053

有货

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型号：SI2301 编号：C306861

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,P-channel 20/10V 3A VGS(th)=0.7V 64mΩ@3A&4.5V,SOT-23

数据手册

50+
￥0.201
500+
￥0.1686
3000+
￥0.1265
6000+
￥0.1157
24000+
￥0.1063
51000+
￥0.1013

有货

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型号：2N7002DW 编号：C5190214

封装：SOT-363

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻：当 VDS = 60V，ID = 300mA，VGS = 10V 时，RDS(ON) ≤ 1.9Ω。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。坚固可靠。ESD 保护

数据手册

20+
￥0.20691 ￥0.2178
200+
￥0.164635 ￥0.1733
600+
￥0.14117 ￥0.1486
3000+
￥0.121695 ￥0.1281
9000+
￥0.10944 ￥0.1152
21000+
￥0.102885 ￥0.1083

有货

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型号：HL3134KW 编号：C52204684

封装：SOT-323

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.2118
200+
￥0.1661
600+
￥0.1407
3000+
￥0.1255
9000+
￥0.1123
21000+
￥0.1052

有货

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型号：TPM2008EP3-A 编号：C2827633

封装：DFN1006-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.2149
200+
￥0.1717
600+
￥0.1477
2000+
￥0.1333
10000+
￥0.1078
20000+
￥0.101

有货

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型号：CJ3407 编号：C15903

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道,-30V,-4.1A,60mΩ@-10V

数据手册

20+
￥0.2175
200+
￥0.1716
600+
￥0.1461
3000+
￥0.1308
9000+
￥0.1175
21000+
￥0.1103

有货

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型号：5N10 编号：C5358569

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:100V 电流:5A适用于电源开关和信号控制

数据手册

10+
￥0.223432 ￥0.2539
100+
￥0.17908 ￥0.2035
300+
￥0.156904 ￥0.1783
3000+
￥0.127952 ￥0.1454
6000+
￥0.114664 ￥0.1303
9000+
￥0.107976 ￥0.1227

有货

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型号：SI2307A 编号：C347490

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。

数据手册

20+
￥0.2279
200+
￥0.1801
600+
￥0.1535
3000+
￥0.1205
9000+
￥0.1067
21000+
￥0.0992

有货

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型号：AO3400 编号：C727155

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5.8A

数据手册

20+
￥0.24075 ￥0.2675
200+
￥0.19548 ￥0.2172
600+
￥0.17028 ￥0.1892
3000+
￥0.13329 ￥0.1481
9000+
￥0.12024 ￥0.1336
21000+
￥0.11322 ￥0.1258

有货

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型号：AO3401A 编号：C5122001

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -30V，ID = -4.2A。RDS(ON) < 90mΩ @ VGS = -2.5V。RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = -10V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.2753
200+
￥0.2138
600+
￥0.1796
3000+
￥0.1549
9000+
￥0.1371
21000+
￥0.1275

有货

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型号：SI2319A 编号：C545576

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=40V。 RDS(ON)<70mΩ(VGS=10V), ID=- 4.4A。 RDS(ON)<95mΩ(VGS=4.5V), ID=- 3.5A。应用：DC/DC转换器

数据手册

10+
￥0.3466
100+
￥0.2751
300+
￥0.2394
3000+
￥0.2126
6000+
￥0.1911
9000+
￥0.1804

有货

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型号：FS8205A 编号：C908265

封装：SOT-23-6L

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：电池保护。开关应用

数据手册

10+
￥0.36296 ￥0.4537
100+
￥0.29768 ￥0.3721
300+
￥0.26504 ￥0.3313
3000+
￥0.20688 ￥0.2586
6000+
￥0.18728 ￥0.2341
9000+
￥0.17744 ￥0.2218

有货

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型号：AO3416 编号：C5148471

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装

数据手册

10+
￥0.3657
100+
￥0.2985
300+
￥0.2649
3000+
￥0.2063
6000+
￥0.1861
9000+
￥0.176

有货

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型号：SI2333 编号：C344008

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23

数据手册

10+
￥0.396
100+
￥0.3384
300+
￥0.3096
3000+
￥0.2285
6000+
￥0.2112
9000+
￥0.2025

有货

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型号：IRLML2502TRPBF 编号：C5123960

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 20V, ID = 6A。 RDS|ON < 23mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS|ON < 35mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.5146
100+
￥0.4055
300+
￥0.3509
3000+
￥0.3015
6000+
￥0.2687
9000+
￥0.2523

有货

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型号：SI1308EDL 编号：C7603347

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：与其他型号引脚兼容。应用：负载/电源开关。接口开关

5+
￥0.5569
50+
￥0.4369
150+
￥0.3769
500+
￥0.3319
3000+
￥0.2959
6000+
￥0.2779

有货

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型号：IRLML6402TRPBF 编号：C5182043

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：先进的沟槽技术。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。无铅产品。应用：负载/电源开关。接口

数据手册

5+
￥0.5662
50+
￥0.4448
150+
￥0.384
500+
￥0.3385
3000+
￥0.2779
6000+
￥0.2596

有货

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型号：20N06 编号：C2890395

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。漏源电压（VDS）：60V。漏极电流（ID）：20A（VGS = 10V）。导通电阻（RDS(ON)）< 23mΩ（VGS = 10V）。导通电阻（RDS(ON)）< 29mΩ（VGS = 4.5V）。先进的沟槽技术。出色的导通电阻和低栅极电荷。无铅产品

数据手册