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1个P沟道 耐压:55V 电流:74A
型号：IRF4905PBF 编号：C2564
封装：TO-220AB
品牌：Infineon(英飞凌)
P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V
数据手册

  • 1+

    ￥3.15

  • 10+

    ￥2.63

  • 50+

    ￥2.32

  • 100+

    ￥1.919 ￥2.02

  • 500+

    ￥1.824 ￥1.92

  • 1000+

    ￥1.767 ￥1.86
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:55V 电流:70A
    型号：IRF4905STRLPBF 编号：C2620
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-42A,20mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.06

    • 10+

      ￥5.21

    • 30+

      ￥4.62

    • 100+

      ￥3.9235 ￥4.13

    • 500+

      ￥3.154 ￥3.32

    • 800+

      ￥3.059 ￥3.22
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138 编号：C78284
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1157

    • 200+

      ￥0.0878

    • 600+

      ￥0.0755

    • 3000+

      ￥0.0651

    • 9000+

      ￥0.0614

    • 21000+

      ￥0.0589
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:14A
    型号：AO4407A 编号：C2841482
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷，栅极额定电压为25V。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。产品为无铅产品（符合ROHS和索尼259规格）。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6763

    • 50+

      ￥0.5318

    • 150+

      ￥0.4575

    • 500+

      ￥0.3963

    • 3000+

      ￥0.3655

    • 6000+

      ￥0.3511
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
    型号：IRF540NPBF 编号：C2566
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8815

    • 50+

      ￥1.5043

    • 150+

      ￥1.3273

    • 500+

      ￥1.1694

    • 2000+

      ￥1.1261

    • 5000+

      ￥1.1
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
    型号：IRF7416TRPBF 编号：C3000
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.2104

    • 50+

      ￥1.7327

    • 150+

      ￥1.4995

    • 500+

      ￥1.18818 ￥1.2915

    • 2500+

      ￥1.135648 ￥1.2344

    • 4000+

      ￥1.104 ￥1.2
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
    型号：AOD4185 编号：C400894
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：AOS
    P沟道 -40V -40A
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3941

    • 50+

      ￥1.9021

    • 150+

      ￥1.6619

    • 500+

      ￥1.4477

    • 2500+

      ￥1.2225

    • 5000+

      ￥1.1871
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:26A
    型号：AOD409 编号：C36220
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：AOS
    P沟道,-60V,-26A,55mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.78

    • 10+

      ￥2.2

    • 30+

      ￥1.92

    • 100+

      ￥1.66

    • 500+

      ￥1.41

    • 1000+

      ￥1.36
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
    型号：CJ2301 S1 编号：C8547
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    P沟道,-20V,-2.3A,112mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1499

    • 200+

      ￥0.1137

    • 600+

      ￥0.0976

    • 3000+

      ￥0.0856

    • 9000+

      ￥0.0808

    • 21000+

      ￥0.0775
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A
    型号：CJ2305 编号：C8549
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    P沟道,-12V,-4.1A,45mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2202

    • 100+

      ￥0.1767

    • 300+

      ￥0.1544

    • 3000+

      ￥0.1308

    • 6000+

      ￥0.1244

    • 9000+

      ￥0.1201
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
    型号：40N06D 编号：C7543836
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：HL(富海微)
    40N06D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N06D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整功能且可靠性经过验证。

    • 5+

      ￥0.6143

    • 50+

      ￥0.4888

    • 150+

      ￥0.4243

    • 500+

      ￥0.3711

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      ￥0.351

    • 5000+

      ￥0.3385
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V
    型号：AON7544 编号：C315567
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：AOS
    N沟道,30V,30A
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7697

    • 50+

      ￥0.6185

    • 150+

      ￥0.5408

    • 500+

      ￥0.4767

    • 2500+

      ￥0.4544

    • 5000+

      ￥0.4392
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:6A
    型号：WST4041 编号：C148357
    封装：SOT-23-3L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WST4041是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST4041符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证具有抗雪崩能力。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9839

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      ￥0.7733

    • 150+

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    • 500+

      ￥0.5787

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      ￥0.5183

    • 6000+

      ￥0.5032
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    N沟道MOSFET
    型号：HD510N075S 编号：C49066913
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 1+

      ￥1.68

    • 10+

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      ￥1.61

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      ￥1.59
  • 订货
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
    型号：IRF3205PBF 编号：C2561
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计（这是HEXFET功率MOSFET闻名之处），为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用，在功耗水平约达50瓦时，TO - 220封装是普遍首选
    数据手册

    • 1+

      ￥2.39

    • 10+

      ￥1.86

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      ￥1.59

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      ￥1.36

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      ￥1.25
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:50V 电流:180mA
    型号：BSS84AK,215 编号：C127273
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    P沟道，50V，180mA
    数据手册

    • 5+

      ￥2.4138

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      ￥1.9353

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      ￥1.7303

    • 500+

      ￥1.430168 ￥1.4744

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      ￥1.319685 ￥1.3605

    • 6000+

      ￥1.253337 ￥1.2921
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:57A
    型号：IRF3710PBF 编号：C2562
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.64

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      ￥2.06

    • 50+

      ￥1.78

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      ￥1.4535 ￥1.53

    • 500+

      ￥1.387 ￥1.46

    • 1000+

      ￥1.349 ￥1.42
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.1A
    型号：CJ2302 S2 编号：C8548
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,20V,2.1A,60mΩ@4.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1592

    • 200+

      ￥0.123

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      ￥0.107

    • 3000+

      ￥0.0949

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    • 21000+

      ￥0.0868
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：2N7002K-7 编号：C85047
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1743

    • 200+

      ￥0.1345

    • 600+

      ￥0.1168

    • 3000+

      ￥0.0935

    • 9000+

      ￥0.0882

    • 21000+

      ￥0.0847
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：CJ3407 编号：C15903
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    P沟道,-30V,-4.1A,60mΩ@-10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.19

    • 200+

      ￥0.1441

    • 600+

      ￥0.1237

    • 3000+

      ￥0.1084

    • 9000+

      ￥0.1022

    • 21000+

      ￥0.0982
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
    型号：AO3407A 编号：C15155
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-4.3A,48mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6258

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      ￥0.516

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      ￥0.413

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      ￥0.3477
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:55V 电流:31A
    型号：IRFR5305TRPBF 编号：C2624
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-31A,65mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0931

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      ￥1.616

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      ￥1.3831

    • 500+

      ￥1.1508

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      ￥1.0937

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      ￥1.0594
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
    型号：IRFB4110PBF 编号：C2650
    封装：TO-220
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,180A,4.5mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.13

    • 10+

      ￥3.5

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      ￥2.68

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      ￥2.31

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      ￥2.19

    • 900+

      ￥2.12
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
    型号：IRFP250NPBF 编号：C2580
    封装：TO-247AC
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.58

    • 10+

      ￥3.95

    • 25+

      ￥2.76

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      ￥2.3422 ￥2.39

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      ￥2.2344 ￥2.28

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      ￥2.156 ￥2.2
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:1500V 电流:2.5A
    型号：STFW3N150 编号：C36207
    封装：TO-3PF
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道,1500V,2.5A,9Ω@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥5.74

    • 10+

      ￥5.04

    • 30+

      ￥4.09

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      ￥3.6

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      ￥3.4

    • 960+

      ￥3.3
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：L2N7002SLLT1G 编号：C22446827
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要特殊场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且支持生产件批准程序（PPAP）。 具备ESD保护。 低导通电阻（RDS(on)）。应用：低端负载开关。 电平转换电路

    • 6+

      ￥0.0368

    • 60+

      ￥0.0275

    • 180+

      ￥0.0234

    • 600+

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002K 编号：C3008053
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
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    1个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A
    型号：FDV301N 编号：C15310
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:9.4A
    型号：IRFR120NTRPBF 编号：C3008
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
    型号：IRFP250MPBF 编号：C2676
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
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