mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-263-3

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥7.37
10+
￥6.26
30+
￥5.64
100+
￥4.95
500+
￥4.64
1000+
￥4.5

有货

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型号：2N7002 编号：C2944141

封装：SOT-23

品牌：KUU

特性：高密单元设计，实现低RDS(ON)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力

数据手册

50+
￥0.061
500+
￥0.0492
3000+
￥0.0376
6000+
￥0.0337
24000+
￥0.0303
51000+
￥0.0284

有货

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型号：SI2301S 编号：C18186231

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个P沟道耐压:20V 电流:2.3A适用于电源开关和信号控制

50+
￥0.07248 ￥0.0906
500+
￥0.05736 ￥0.0717
3000+
￥0.04672 ￥0.0584
6000+
￥0.04168 ￥0.0521
30000+
￥0.03728 ￥0.0466
45000+
￥0.03488 ￥0.0436

有货

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型号：AP2302B 编号：C406812

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

50+
￥0.0818
500+
￥0.064
3000+
￥0.0598
6000+
￥0.0539
24000+
￥0.0487
60000+
￥0.046

有货

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型号：2SK3018 编号：C727148

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA

数据手册

50+
￥0.08379 ￥0.0882
500+
￥0.07353 ￥0.0774
3000+
￥0.062985 ￥0.0663
6000+
￥0.059565 ￥0.0627
24000+
￥0.05662 ￥0.0596
51000+
￥0.055005 ￥0.0579

有货

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型号：T2N7002BK,LM 编号：C146372

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ESD(HBM) 等级：2 kV。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

数据手册

50+
￥0.1072
500+
￥0.0829
3000+
￥0.0694
6000+
￥0.0613
24000+
￥0.0543
51000+
￥0.0505

有货

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型号：AP2300 编号：C360338

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

2300采用沟槽处理技术设计，可实现极低的导通电阻，具备快速开关速度和更高的传输效率。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种DC-DC应用的高效可靠器件。

数据手册

20+
￥0.116
200+
￥0.0879
600+
￥0.0723
9000+
￥0.0642
21000+
￥0.0599

有货

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型号：BSS84 编号：C5380669

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池保护。负载开关。电源管理

数据手册

20+
￥0.1336
200+
￥0.1149
600+
￥0.1045
3000+
￥0.0983
9000+
￥0.0929
21000+
￥0.09

有货

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型号：2SK3018 编号：C8562

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,30V,0.1A,13Ω@2.5V

数据手册

20+
￥0.1385
200+
￥0.1099
600+
￥0.094
3000+
￥0.0824
9000+
￥0.0741
21000+
￥0.0696

有货

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型号：SK2301AA 编号：C118316

封装：SOT-23

品牌：SHIKUES(时科)

特性：20V/-3A, RDS(ON) = 120mΩ(MAX) @VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 150mΩ(MAX) @VGS = -2.5V。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。可靠耐用。 SOT-23表面贴装封装。应用：电源管理。便携式设备和电池供电系统

数据手册

20+
￥0.15333 ￥0.1614
200+
￥0.11742 ￥0.1236
600+
￥0.097565 ￥0.1027
3000+
￥0.08626 ￥0.0908
9000+
￥0.075905 ￥0.0799
21000+
￥0.070395 ￥0.0741

有货

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型号：HL3139K 编号：C52204687

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.1667
200+
￥0.1308
600+
￥0.1108
3000+
￥0.0988
9000+
￥0.0884

有货

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型号：8205A 编号：C2762931

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高密度电池设计，可实现极低的RDS。

数据手册

10+
￥0.16749 ￥0.1861
100+
￥0.14769 ￥0.1641
300+
￥0.13779 ￥0.1531
3000+
￥0.12276 ￥0.1364
6000+
￥0.11682 ￥0.1298
9000+
￥0.11385 ￥0.1265

有货

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型号：AO3407 编号：C727158

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A

数据手册

10+
￥0.1746 ￥0.194
100+
￥0.15435 ￥0.1715
300+
￥0.14319 ￥0.1591
3000+
￥0.12105 ￥0.1345
6000+
￥0.1152 ￥0.128
9000+
￥0.11214 ￥0.1246

有货

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型号：HL3134KT 编号：C52204685

封装：SOT-523

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.1893
200+
￥0.1485
600+
￥0.1258
3000+
￥0.1122
9000+
￥0.1004

有货

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型号：2N7002KT1G 编号：C116584

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，小信号，60 V，380mA，单 N 沟道，SOT-23

数据手册

20+
￥0.218
200+
￥0.1717
600+
￥0.146
3000+
￥0.1306
9000+
￥0.1172
21000+
￥0.11

有货

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型号：SI2305 编号：C727153

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@1.8V,2A

数据手册

10+
￥0.23607 ￥0.2623
100+
￥0.19287 ￥0.2143
300+
￥0.17127 ￥0.1903
3000+
￥0.13644 ￥0.1516
6000+
￥0.12348 ￥0.1372
9000+
￥0.117 ￥0.13

有货

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型号：SI1304BDL 编号：C7419947

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：BVDSS：30V。 RDS(ON)：450mΩ。 ID：800mA。与SI1304BDL-T1-GE3引脚完全兼容。应用：负载/电源开关。接口开关

10+
￥0.2438
100+
￥0.2138
300+
￥0.1988
3000+
￥0.1875
6000+
￥0.1785
9000+
￥0.174

有货

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型号：DMG1012T-7 编号：C20512

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

N沟道,20V,0.63A,0.4Ω@4.5V

数据手册

20+
￥0.2567
200+
￥0.2036
600+
￥0.1741
3000+
￥0.1564
9000+
￥0.1411
21000+
￥0.1328

有货

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型号：NCE6003X 编号：C2934580

封装：SOT-23

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE6003X采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.2963
100+
￥0.2291
300+
￥0.1955
3000+
￥0.1703
6000+
￥0.1501
9000+
￥0.14

有货

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型号：SI2309S 编号：C2997263

封装：SOT-23-3L

品牌：BORN(伯恩半导体)

先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计，实现超低导通电阻，采用SOT-23-3L表面贴装封装。

数据手册

10+
￥0.3069
100+
￥0.2719
300+
￥0.2543
3000+
￥0.2158
6000+
￥0.2052
9000+
￥0.2

有货

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型号：FDV303N 编号：C80498

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,25V,0.68A,450mΩ@4.5V；FDV301N的大电流版本

数据手册

10+
￥0.3092
100+
￥0.2428
300+
￥0.2096
3000+
￥0.1847
6000+
￥0.1648
9000+
￥0.1549

有货

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型号：IRLML6401 编号：C5190144

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：VDS = -30V，RDS(ON) ≤ 52mΩ @ VGS = -10V，ID = -4A。低导通电阻。适用于PWM和负载开关应用。表面贴装器件

数据手册

10+
￥0.31483 ￥0.3314
100+
￥0.2565 ￥0.27
300+
￥0.227335 ￥0.2393
3000+
￥0.19817 ￥0.2086
6000+
￥0.18069 ￥0.1902
9000+
￥0.17195 ￥0.181

有货

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型号：BSS84LT1G 编号：C82079

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道功率 MOSFET，逻辑电平，-50V，-130mA，10Ω，SOT-23 逻辑电平

数据手册

10+
￥0.3157
100+
￥0.2492
300+
￥0.2159
3000+
￥0.1909
6000+
￥0.171
9000+
￥0.161

有货

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型号：IRLML6344 编号：C5364313

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：VDS max: 30V。 VGS max: ±12V。 RDS(on) max: 29mΩ @VGS=4.5V。 RDS(on) max: 37mΩ @VGS=2.5V

数据手册

10+
￥0.321765 ￥0.3387
100+
￥0.260395 ￥0.2741
300+
￥0.229805 ￥0.2419
3000+
￥0.19399 ￥0.2042
6000+
￥0.17556 ￥0.1848
9000+
￥0.166345 ￥0.1751

有货

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型号：PMV48XP 编号：C2959854

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：先进的沟槽技术。出色的导通电阻和低栅极电荷。无铅产品。应用：负载/电源开关。接口

数据手册

5+
￥0.3857
50+
￥0.3417
150+
￥0.3197
500+
￥0.3032
3000+
￥0.2531
6000+
￥0.2465

有货

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型号：IRLML6401TRPBF 编号：C5182042

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.3882
100+
￥0.309
300+
￥0.2694
3000+
￥0.2298
6000+
￥0.206
9000+
￥0.1941

有货

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型号：APM4953 编号：C5224316

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

2个P沟道，-30V，-5.8A，40mΩ@-10V,-5.0A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.4051
50+
￥0.3427
150+
￥0.3115
500+
￥0.2881
3000+
￥0.2694
6000+
￥0.26

有货

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型号：AO6800-HXY 编号：C5148655

封装：SOT-23-6L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道技术，额定电压为30V，最大连续电流高达4.5A。适用于高效率电源转换和电子设备开关控制，凭借其紧凑设计与出色性能，提供理想的双通道功率管理解决方案。

数据手册

5+
￥0.4176
50+
￥0.342
150+
￥0.3042
500+
￥0.2758
3000+
￥0.2445
6000+
￥0.2332

有货

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型号：CJ3439KDW 编号：C99824

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

双沟道，N沟道20V,0.75A,380mΩ@4.5V；P沟道：-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V

数据手册

10+
￥0.4203
100+
￥0.3431
300+
￥0.3045
3000+
￥0.2466
6000+
￥0.2234
9000+
￥0.2118

有货

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型号：FDN360P 编号：C5246424

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：Load/Power Switching。Interfacing Switching。Logic Level Shift

数据手册

10+
￥0.4724
100+
￥0.3764
300+
￥0.3284
3000+
￥0.2804
6000+
￥0.2516
9000+
￥0.2371

有货

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