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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
型号：AO4407 编号：C5224298
封装：SOP8
品牌：ElecSuper(静芯)
P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
数据手册

  • 5+

    ￥0.6482

  • 50+

    ￥0.5483

  • 150+

    ￥0.4984

  • 500+

    ￥0.461

  • 3000+

    ￥0.431

  • 6000+

    ￥0.416
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
    型号：2N7002BK,215 编号：C282405
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4437

    • 100+

      ￥0.3477

    • 300+

      ￥0.2997

    • 3000+

      ￥0.2599

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      ￥0.2311

    • 9000+

      ￥0.2167
  • 有货
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    耐压:20V 电流:4.1A
    型号：SI2323DS 编号：C5182044
    封装：SOT-23-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5522

    • 50+

      ￥0.4299

    • 150+

      ￥0.3688

    • 500+

      ￥0.323

    • 3000+

      ￥0.273

    • 6000+

      ￥0.2547
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.3A
    型号：IRLML0030TRPBF 编号：C67272
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,5.3A,27mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6886

    • 50+

      ￥0.547

    • 150+

      ￥0.4762

    • 500+

      ￥0.401945 ￥0.4231

    • 3000+

      ￥0.36157 ￥0.3806

    • 6000+

      ￥0.341335 ￥0.3593
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
    型号：NCE6005AS 编号：C126151
    封装：SOP-8
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    双N沟道，60V，5A，26毫欧，并联用可达10A，
    数据手册

    • 1+

      ￥1.1999

    • 10+

      ￥0.9227

    • 30+

      ￥0.8039

    • 100+

      ￥0.6557

    • 500+

      ￥0.5897

    • 1000+

      ￥0.55
  • 有货
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    丝印564P P沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：FDC5614P 编号：C2959862
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    FDC5614P P沟道 60V 3A 丝印564P P-MOS场效应管场效应管
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2685

    • 50+

      ￥0.9946

    • 150+

      ￥0.8772

    • 500+

      ￥0.7307

    • 3000+

      ￥0.6479

    • 6000+

      ￥0.6087
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
    型号：MDT18N20 编号：C5355275
    封装：TO-252
    品牌：minos(迈诺斯)
    MDT18N20是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用领域。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7646

    • 50+

      ￥1.3929

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      ￥1.2336

    • 500+

      ￥1.0349

    • 2500+

      ￥0.8795

    • 5000+

      ￥0.8263
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
    型号：HSBB6066 编号：C2828498
    封装：PRPAK3x3-8L
    品牌：HUASHUO(华朔)
    先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低RDS(ON)。100%保证EAS。有绿色环保产品可供选择
    数据手册

    • 1+

      ￥2.66

    • 10+

      ￥2.07

    • 30+

      ￥1.78

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      ￥1.21
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    P沟道 耐压:55V 电流:74A
    型号：IRF4905(UMW) 编号：C18207551
    封装：TO-220
    品牌：UMW(友台半导体)
    MOS管

    • 1+

      ￥2.68

    • 10+

      ￥2.09

    • 50+

      ￥1.84

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    • 1000+

      ￥1.31
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
    型号：WSD40P10DN56 编号：C2880523
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD40P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD40P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.58

    • 10+

      ￥2.87

    • 30+

      ￥2.57

    • 100+

      ￥2.19

    • 500+

      ￥1.85

    • 1000+

      ￥1.74
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
    型号：IRFR3607TRPBF 编号：C74775
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.82

    • 10+

      ￥3.27

    • 30+

      ￥2.88

    • 100+

      ￥2.4225 ￥2.55

    • 500+

      ￥1.8335 ￥1.93

    • 1000+

      ￥1.767 ￥1.86
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:140A
    型号：AGM60P100A 编号：C5373096
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM60P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 1+

      ￥4.427 ￥4.66

    • 10+

      ￥3.7145 ￥3.91

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      ￥3.211 ￥3.38

    • 100+

      ￥2.793 ￥2.94

    • 500+

      ￥2.5745 ￥2.71

    • 1000+

      ￥2.4985 ￥2.63
  • 有货
    • 立即购买
    低导通电阻MOSFET 1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138 编号：C2874697
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06256 ￥0.0782

    • 500+

      ￥0.0492 ￥0.0615

    • 3000+

      ￥0.03848 ￥0.0481

    • 6000+

      ￥0.03408 ￥0.0426

    • 24000+

      ￥0.03016 ￥0.0377

    • 45000+

      ￥0.02808 ￥0.0351
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.8A
    型号：MDD2301 编号：C427391
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1166

    • 200+

      ￥0.106

    • 600+

      ￥0.1002

    • 3000+

      ￥0.0624

    • 9000+

      ￥0.0594

    • 21000+

      ￥0.0578
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：SI2301 编号：C727151
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@4.5V,2.8A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.12861 ￥0.1429

    • 200+

      ￥0.10395 ￥0.1155

    • 600+

      ￥0.09027 ￥0.1003

    • 3000+

      ￥0.07263 ￥0.0807

    • 9000+

      ￥0.06552 ￥0.0728

    • 21000+

      ￥0.06165 ￥0.0685
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
    型号：BSS84 编号：C114481
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    P沟道，-50V，-0.13A，10Ω@-5V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1331

    • 500+

      ￥0.1072

    • 3000+

      ￥0.0904

    • 6000+

      ￥0.0818

    • 24000+

      ￥0.0743
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.4A
    型号：RC3134KM3 编号：C5137092
    封装：SOT-723
    品牌：RealChip(正芯半导体)
    RC3134KM3 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻 RDS(ON)，且栅极电荷较低。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1343

    • 200+

      ￥0.1046

    • 600+

      ￥0.0881

    • 2000+

      ￥0.0782

    • 8000+

      ￥0.0674

    • 16000+

      ￥0.0627
  • 有货
    • 立即购买
    A19T 1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：AO3401CI-MS 编号：C2836398
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    AO3401CI - MS 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。AO3401CI - MS 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.13545 ￥0.1505

    • 200+

      ￥0.10629 ￥0.1181

    • 600+

      ￥0.09009 ￥0.1001

    • 3000+

      ￥0.07254 ￥0.0806

    • 9000+

      ￥0.06417 ￥0.0713

    • 21000+

      ￥0.05958 ￥0.0662
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：2SK3019 编号：C5439971
    封装：SOT-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动，使该器件适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联

    • 20+

      ￥0.1433

    • 200+

      ￥0.112

    • 600+

      ￥0.0946

    • 3000+

      ￥0.0865

    • 9000+

      ￥0.0774

    • 21000+

      ￥0.0725
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.6A
    型号：SI2302 编号：C2841377
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1569

    • 200+

      ￥0.1226

    • 600+

      ￥0.1035

    • 3000+

      ￥0.0891

    • 9000+

      ￥0.0791

    • 21000+

      ￥0.0738
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：JSM2302A-A2SHB 编号：C2905536
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1634 ￥0.172

    • 200+

      ￥0.12749 ￥0.1342

    • 600+

      ￥0.10754 ￥0.1132

    • 3000+

      ￥0.09253 ￥0.0974

    • 9000+

      ￥0.08208 ￥0.0864

    • 21000+

      ￥0.076475 ￥0.0805
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A 编号：C21713968
    封装：SOT-23-3L
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制

    • 20+

      ￥0.17056 ￥0.2132

    • 200+

      ￥0.13384 ￥0.1673

    • 600+

      ￥0.11344 ￥0.1418

    • 3000+

      ￥0.09712 ￥0.1214

    • 9000+

      ￥0.08656 ￥0.1082

    • 30000+

      ￥0.0808 ￥0.101
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应管 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400 编号：C5296723
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.17864 ￥0.2233

    • 200+

      ￥0.1376 ￥0.172

    • 600+

      ￥0.1148 ￥0.1435

    • 3000+

      ￥0.1072 ￥0.134

    • 9000+

      ￥0.09536 ￥0.1192

    • 21000+

      ￥0.08896 ￥0.1112
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：BSS138-7-F 编号：C40912
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1801

    • 200+

      ￥0.1413

    • 600+

      ￥0.1197

    • 3000+

      ￥0.1061

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    耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A 编号：C5296724
    封装：SOT-23-3L
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
    数据手册

    • 20+

      ￥0.19608 ￥0.2451

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.85A
    型号：TPNTK3139PT1G 编号：C558623
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
    数据手册

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      ￥0.2307

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:5.6A
    型号：SI2318A 编号：C2681218
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 40V。 ID = 5.6A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 36mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 46mΩ (VGS = 4.5V)
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    1个P沟道 耐压:12V 电流:4.3A
    型号：IRLML6401 编号：C382329
    封装：SOT-23
    品牌：KEXIN(科信)
    P沟道,-12V -4.3A
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：IRLML6344 编号：C5364313
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：VDS max: 30V。 VGS max: ±12V。 RDS(on) max: 29mΩ @VGS=4.5V。 RDS(on) max: 37mΩ @VGS=2.5V
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A
    型号：9435 编号：C181098
    封装：SOP-8
    品牌：Hottech(合科泰)
    9435采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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      ￥0.29716 ￥0.3128

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