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封装：SOIC-20-300mil

HIP4081A是一款高频、中压全桥N沟道FET驱动IC，提供20引脚塑料SOIC和DIP封装。除了会导致直通情况的开关组合外，HIP4081A可以驱动任何可能的开关组合。HIP4081A的开关频率可达1MHz，非常适合驱动音圈电机、高频开关功率放大器和电源。例如，HIP4081A可以驱动中压有刷电机，两个HIP4081A可用于驱动高性能步进电机，因为极短的最小“导通时间”可提供精细的微步进能力。约55ns的短传播延迟可最大化控制环路的交叉频率，死区时间可调节至接近零以最小化失真，从而实现对驱动负载的快速、精确控制。

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型号：HIP2211FR8Z-T 编号：C22412213

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：HIP4082IBZT 编号：C50123

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

80V/1.25A H全桥MOS管驱动器芯片

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型号：HIP4081AIBZ 编号：C90013

封装：SOIC-20-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

全桥驱动NMOS，满占空比工作

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型号：ISL95808HRZ-T 编号：C964602

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高频双MOSFET驱动器，具有低关断电流，经过优化可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。特别适用于需要高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与多相降压PWM控制器结合，可为高级移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案。低侧栅极驱动器典型灌电流为4A，此电流能够在相节点上升沿期间保持低侧MOSFET栅极关断，防止因相电压高dv/dt引起的直通功率损耗。工作电压与移动计算机电源中常用MOSFET的30V击穿电压相匹配。还具有三态PWM输入，与多相PWM控制器配合使用可防止CPU关机期间出现负电压输出，此功能可省去微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管

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型号：EL7457CLZ-T7 编号：C2653810

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高速、同相、四路CMOS驱动器，能够以高达40MHz的时钟速率运行，具有2A的峰值驱动能力和仅3Ω的标称导通电阻。适用于驱动高容性负载，如CCD应用中的存储和垂直时钟。也适用于ATE引脚驱动、电平转换和时钟驱动应用。能够使用单电源或双电源供电，同时使用接地参考输入

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型号：ISL55110IRZ-T 编号：C2680304

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL55110和ISL55111是双路高速MOSFET驱动器，适用于需要精确脉冲生成和缓冲的应用。目标应用包括超声、CCD成像、压电距离传感和时钟生成电路。这些器件具有宽输出电压范围和低导通电阻，能够驱动各种阻性和容性负载，实现快速的上升和下降时间，满足大型CCD阵列成像应用对高速运行和低偏斜的要求

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型号：HIP2101IBZ 编号：C1549446

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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型号：ISL89163FRTAZ-T 编号：C2677283

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL89163、ISL89164和ISL89165是高速、6A双通道MOSFET驱动器，具备使能输入功能。所有逻辑输入均设有精确阈值，允许使用外部RC电路在主通道输入INA和INB以及使能输入ENA和ENB上产生精确且稳定的时间延迟。这些精确逻辑阈值所具备的精确延迟特性，使这些器件在死区时间控制和同步整流器应用中极具价值

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型号：ISL55110IVZ 编号：C1556088

封装：TSSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL55110和ISL55111是双路高速MOSFET驱动器，适用于需要精确脉冲生成和缓冲的应用。目标应用包括超声、CCD成像、压电距离传感和时钟生成电路。这些器件具有宽输出电压范围和低导通电阻，能够驱动各种阻性和容性负载，实现快速的上升和下降时间，满足大型CCD阵列成像应用对高速运行和低偏斜的要求

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型号：HIP2210FRTZ 编号：C20350729

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：EL7242CSZ 编号：C1549675

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

EL7242/EL7252 双输入、2 通道驱动器在提供更高灵活性的同时，实现了与 EL7212 系列相同出色的开关性能。双输入逻辑和配置适用于众多功率 MOSFET 驱动电路。

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型号：HIP2100IBZT 编号：C2653813

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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型号：HIP4082IPZ 编号：C1549291

封装：PDIP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4082是一款中频、中压H桥N沟道MOSFET驱动IC，提供16引脚塑料SOIC (N)和DIP封装。HIP4082 H桥驱动器专门针对PWM电机控制和UPS应用，使基于桥接的设计变得简单灵活。该器件工作电压高达80V，最适合中等功率水平的应用

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型号：ISL2111ABZ-T 编号：C695277

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：HIP2103FRTAAZ 编号：C1549569

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高频率MOSFET驱动器，优化用于在同步降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET，有HI/LI输入或单PWM输入。由单个低压电源（5V）偏置，可减少在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗，能够以小于15ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器采用内部低正向压降二极管实现自举，降低实施成本和复杂性，允许使用更高性能、更具成本效益的N沟道MOSFET。HIP2106A集成了自适应直通保护，防止两个MOSFET同时导通

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型号：ISL55110IVZ-T 编号：C2680303

封装：TSSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL55110和ISL55111是双路高速MOSFET驱动器，适用于需要精确脉冲生成和缓冲的应用。目标应用包括超声、CCD成像、压电距离传感和时钟生成电路。这些器件具有宽输出电压范围和低导通电阻，能够驱动各种阻性和容性负载，实现快速的上升和下降时间，满足大型CCD阵列成像应用对高速运行和低偏斜的要求

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型号：ISL78420AVEZ 编号：C1549366

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL78420是一款具备三电平PWM输入的100V、2A高频半桥NMOS FET驱动器。其工作电源范围为8V至14V，并集成了高端自举偏置，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。该驱动器设计用于与ISL78220和ISL78225“多相交错式升压PWM控制器”以及ISL78226“六相12V/48V双向同步PWM控制器”配合使用

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型号：DA7281-00FVC 编号：C2155357

封装：QFN-12(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

DA7281是一款线性谐振致动器（LRA）和偏心旋转质量块（ERM）触觉驱动器，可自动进行闭环LRA谐振频率跟踪。该特性确保了LRA在生产公差、工作温度、老化和机械耦合方面的一致性。DA7281支持宽带操作，可充分发挥新型宽带和多向LRA的性能

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型号：EL7104CSZ-T7 编号：C2676930

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款匹配的驱动IC，可改善行业标准TC-4420/29时钟驱动器的运行。是一种高速驱动器，能够向高电容负载提供1A的峰值电流。通过专有的“Turbo-Driver”电路实现高速性能，该电路通过利用输出端更宽的电压摆幅来加速输入级。匹配的上升和下降延迟时间增强了速度和驱动能力。这些匹配的延迟保持了输入到输出脉冲宽度的完整性，以减少定时误差和时钟偏移问题。与双极驱动器相比，电源电流降低了10倍，且没有与CMOS驱动器常见的延迟时间问题。有8引脚SO和8引脚PDIP封装，指定工作温度范围为-40℃至 + 85℃。

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