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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
型号：SI2302-2.3A-JSM 编号：C5296725
封装：SOT-23
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
数据手册

  • 100+

    ￥0.046455 ￥0.0489

  • 1000+

    ￥0.03534 ￥0.0372

  • 3000+

    ￥0.03002 ￥0.0316

  • 9000+

    ￥0.026315 ￥0.0277

  • 45000+

    ￥0.02489 ￥0.0262

  • 90000+

    ￥0.023845 ￥0.0251
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C347476
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低至2.5V的工作栅极电压。该器件适合用作负载开关或其他通用应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1956

    • 200+

      ￥0.1443

    • 600+

      ￥0.1214

    • 3000+

      ￥0.1042

    • 9000+

      ￥0.0973

    • 21000+

      ￥0.0928
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A 编号：C347475
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：5.8A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）：< 27mΩ（VGS = 10V）；< 31mΩ（VGS = 4.5V）；< 48mΩ（VGS = 2.5V）
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1987

    • 200+

      ￥0.1471

    • 600+

      ￥0.1242

    • 3000+

      ￥0.1046

    • 9000+

      ￥0.0977

    • 21000+

      ￥0.0931
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002 编号：C8545
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.083

    • 500+

      ￥0.0633

    • 3000+

      ￥0.0545

    • 6000+

      ￥0.0479

    • 24000+

      ￥0.0453

    • 51000+

      ￥0.0436
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
    型号：2N7002K 编号：C22379475
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 60V。I0 = 340mA。RDS(on)@VGS = 10V < 5Ω。RDS(on)@VGS = 4.5V < 5.3Ω。ESD protected。Rugged and reliable。应用：Battery operated systems。Solid-state relays

    • 50+

      ￥0.0891 ￥0.099

    • 500+

      ￥0.07173 ￥0.0797

    • 3000+

      ￥0.05598 ￥0.0622

    • 6000+

      ￥0.05013 ￥0.0557

    • 24000+

      ￥0.04518 ￥0.0502

    • 51000+

      ￥0.04248 ￥0.0472
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,电流:115mA,耐压:60V
    型号：2N7002 编号：C7420321
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 50+

      ￥0.1023

    • 500+

      ￥0.0845

    • 3000+

      ￥0.0657

    • 6000+

      ￥0.0598

    • 24000+

      ￥0.0547

    • 51000+

      ￥0.0519
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400 编号：C2938367
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1728

    • 200+

      ￥0.136

    • 600+

      ￥0.1197

    • 3000+

      ￥0.0868

    • 9000+

      ￥0.0819

    • 30000+

      ￥0.0786
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002K 编号：C414015
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0871

    • 500+

      ￥0.0722

    • 3000+

      ￥0.0497

    • 6000+

      ￥0.0448

    • 24000+

      ￥0.0428

    • 51000+

      ￥0.0414
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:340mA
    型号：BSS138 编号：C7420339
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = 50V。 ID = 340mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 2.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 3.0Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

    • 50+

      ￥0.108

    • 500+

      ￥0.0896

    • 3000+

      ￥0.0654

    • 6000+

      ￥0.0593

    • 24000+

      ￥0.0539

    • 51000+

      ￥0.0511
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401 编号：C727156
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：无铅产品。表面贴装封装。应用：负载开关。PWM应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.25

    • 200+

      ￥0.2013

    • 600+

      ￥0.1796

    • 3000+

      ￥0.1202

    • 9000+

      ￥0.1137

    • 21000+

      ￥0.1094
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002 编号：C916396
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0515

    • 500+

      ￥0.0369

    • 6000+

      ￥0.032

    • 24000+

      ￥0.0301

    • 45000+

      ￥0.0288
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：SI2302 编号：C2891732
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：TrenchFET功率MOSFET。 无铅产品。 表面贴装封装。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0716

    • 500+

      ￥0.0595

    • 3000+

      ￥0.0425

    • 6000+

      ￥0.0384

    • 24000+

      ￥0.0368

    • 51000+

      ￥0.0358
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.2A
    型号：SI2301 编号：C2891731
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0856

    • 500+

      ￥0.0677

    • 3000+

      ￥0.0504

    • 6000+

      ￥0.0444

    • 24000+

      ￥0.042

    • 51000+

      ￥0.0404
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:170mA
    型号：BSS84 编号：C7420340
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = -60V。 I0 = -0.17A。 RDS(on)@VGS = -10V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 10Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 低RDS(ON)。应用：视频监视器。 负载开关

    • 50+

      ￥0.1113

    • 500+

      ￥0.0929

    • 3000+

      ￥0.0687

    • 6000+

      ￥0.0626

    • 24000+

      ￥0.0573

    • 51000+

      ￥0.0544
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400 编号：C181090
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：超低导通电阻：当VDS = 30V，VGS = 10V，ID = 5.8A时，RDS(ON) ≤ 28mΩ。适用于PWM应用。适用于负载开关应用。表面贴装器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.16606 ￥0.1748

    • 200+

      ￥0.126065 ￥0.1327

    • 600+

      ￥0.108205 ￥0.1139

    • 3000+

      ￥0.09785 ￥0.103

    • 9000+

      ￥0.09253 ￥0.0974

    • 21000+

      ￥0.08892 ￥0.0936
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：AO3401A 编号：C15127
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3733

    • 100+

      ￥0.3021

    • 300+

      ￥0.2654

    • 3000+

      ￥0.2353

    • 6000+

      ￥0.2248

    • 9000+

      ￥0.2176
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
    型号：BSS123 编号：C7420338
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 100V。 I0 = 0.17A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 10Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 便携式设备的负载开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 50+

      ￥0.1146

    • 500+

      ￥0.0962

    • 3000+

      ￥0.0743

    • 6000+

      ￥0.0681

    • 24000+

      ￥0.0628

    • 51000+

      ￥0.06
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138W 编号：C28646265
    封装：SOT-323
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 50V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6.0Ω。 沟槽功率中压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 20+

      ￥0.1381

    • 200+

      ￥0.1069

    • 600+

      ￥0.0895

    • 3000+

      ￥0.0791

    • 9000+

      ￥0.0701

    • 21000+

      ￥0.0653
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：2SK3018 编号：C20069148
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：接口负载开关

    • 20+

      ￥0.1457

    • 200+

      ￥0.1165

    • 600+

      ￥0.1003

    • 3000+

      ￥0.0845

    • 9000+

      ￥0.0761

    • 21000+

      ￥0.0715
  • 有货
    • 立即购买
    N-通道,电流:5.6A,耐压:30V
    型号：HL3400 编号：C22469448
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 5.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 27mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 33mΩ。 Trench Power LV MOSFET technology。 Voltage controlled small signal switch。应用：Battery protection。 Load switch

    • 20+

      ￥0.16695 ￥0.1855

    • 200+

      ￥0.13122 ￥0.1458

    • 600+

      ￥0.11142 ￥0.1238

    • 3000+

      ￥0.09117 ￥0.1013

    • 9000+

      ￥0.08091 ￥0.0899

    • 21000+

      ￥0.07533 ￥0.0837
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