您好，请登录 免费注册
我的工作台
手机立创

  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询，优惠活动

消息(0)
我的订单
购物车 (0)
新建
管理
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群
电子产业 嘉立创PCB
嘉立创PCB PCB、FPC制造服务
嘉立创FPC
嘉立创FPC 今天下单，明天发货
嘉立创SMT
嘉立创SMT 一站式PCBA服务平台
嘉立创激光/纳米钢网
嘉立创激光/纳米钢网 高性价比钢网、纳米/阶梯钢网
嘉立创发热片(PI/硅胶)
嘉立创发热片(PI/硅胶) 打样最快24小时, 批量3天发货
立创商城
立创商城 一站式元器件采购自营商城
中信华PCB
中信华PCB 高品质、交付快、可月结
纸盒包装定制
纸盒包装定制 某宝的价格，嘉立创的品质
精密金属薄片
精密金属薄片 来图定制，快速打样
机械产业 嘉立创FA
嘉立创FA 机械/电气零部件一站式商城
嘉立创3D打印
嘉立创3D打印 1件起订，最快5小时发货
嘉立创CNC机械智造
嘉立创CNC机械智造 机加件一件起订，3天交货
嘉立创钣金/手板复模
嘉立创钣金/手板复模 切割折弯压铆焊接/小批量打样
立创工业品
立创工业品 一站式工业品采购自营商城
面板定制
面板定制 亚克力面板/薄膜按键/标牌等
铝合金壳体
铝合金壳体 数百种公模，一件定制
电子工业软件 嘉立创EDA
嘉立创EDA 国产PCB设计工具
嘉立创CAM
嘉立创CAM 国产线路板CAM软件
嘉立创DFM
嘉立创DFM 为您的硬件设计保驾护航
机械/电气工业软件 嘉立创Ican
嘉立创Ican 助力机械设计效率翻倍
嘉立创ECAD
嘉立创ECAD 助力电气设计更高效
3D模型查看器
3D模型查看器 免费|手机看3D模型
行业工业软件 嘉立创云ERP
嘉立创云ERP 电子行业专属 20年行业沉淀
工程师社区
嘉立创社区 电子/机械技术交流社区
机电工坊 机电免费图纸开源社区
硬创社 好玩的硬件交流社区
立创开源硬件平台 优质硬件创作分享平台
EDA扩展广场 有你意想不到的好用扩展
更多服务
金豆商城 工程师好物超值兑换
嘉立创Layout 懂生产制造的PCB设计
第三方服务 嘉立创第三方服务平台
立创开发板 培养中国工程师为己任
领券中心 备货找料 立推专区 爆款推荐 合作库存 PLUS会员 BOM配单 PCB/SMT 工业品 面板定制

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品：共66501件
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
N沟道,电流:115mA,耐压:60V
型号：2N7002 编号：C7420321
封装：SOT-23
品牌：R+O(宏嘉诚)
特性：VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

  • 50+

    ￥0.1023

  • 500+

    ￥0.0845

  • 3000+

    ￥0.0657

  • 6000+

    ￥0.0598

  • 24000+

    ￥0.0547

  • 51000+

    ￥0.0519
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
    型号：2N7002K 编号：C22379475
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 60V。I0 = 340mA。RDS(on)@VGS = 10V < 5Ω。RDS(on)@VGS = 4.5V < 5.3Ω。ESD protected。Rugged and reliable。应用：Battery operated systems。Solid-state relays

    • 50+

      ￥0.0947

    • 500+

      ￥0.0754

    • 3000+

      ￥0.0579

    • 6000+

      ￥0.0515

    • 24000+

      ￥0.0459

    • 51000+

      ￥0.0429
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:340mA
    型号：BSS138 编号：C7420339
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = 50V。 ID = 340mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 2.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 3.0Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

    • 50+

      ￥0.108

    • 500+

      ￥0.0896

    • 3000+

      ￥0.0654

    • 6000+

      ￥0.0593

    • 24000+

      ￥0.0539

    • 51000+

      ￥0.0511
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:170mA
    型号：BSS84 编号：C7420340
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = -60V。 I0 = -0.17A。 RDS(on)@VGS = -10V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 10Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 低RDS(ON)。应用：视频监视器。 负载开关

    • 50+

      ￥0.1113

    • 500+

      ￥0.0929

    • 3000+

      ￥0.0687

    • 6000+

      ￥0.0626

    • 24000+

      ￥0.0573

    • 51000+

      ￥0.0544
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
    型号：BSS123 编号：C7420338
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 100V。 I0 = 0.17A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 10Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 便携式设备的负载开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 50+

      ￥0.1093

    • 500+

      ￥0.0909

    • 3000+

      ￥0.0689

    • 6000+

      ￥0.0628

    • 24000+

      ￥0.0575

    • 51000+

      ￥0.0546
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,电流:115mA,耐压:60V
    型号：2N7002W 编号：C7420322
    封装：SOT-323
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 50+

      ￥0.1163

    • 500+

      ￥0.0961

    • 3000+

      ￥0.0728

    • 6000+

      ￥0.0661

    • 24000+

      ￥0.0602

    • 51000+

      ￥0.057
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：2SK3018 编号：C20069148
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：接口负载开关

    • 20+

      ￥0.1394

    • 200+

      ￥0.1102

    • 600+

      ￥0.094

    • 3000+

      ￥0.0782

    • 9000+

      ￥0.0698

    • 21000+

      ￥0.0652
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138W 编号：C28646265
    封装：SOT-323
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 50V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6.0Ω。 沟槽功率中压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 20+

      ￥0.1381

    • 200+

      ￥0.1069

    • 600+

      ￥0.0895

    • 3000+

      ￥0.0791

    • 9000+

      ￥0.0701

    • 21000+

      ￥0.0653
  • 有货
    • 立即购买
    N-通道,电流:5.6A,耐压:30V
    型号：HL3400 编号：C22469448
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 5.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 27mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 33mΩ。 Trench Power LV MOSFET technology。 Voltage controlled small signal switch。应用：Battery protection。 Load switch

    • 20+

      ￥0.1855

    • 200+

      ￥0.1458

    • 600+

      ￥0.1238

    • 3000+

      ￥0.1013

    • 9000+

      ￥0.0899

    • 21000+

      ￥0.0837
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：HL2310A 编号：C7420347
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = 60 V。 ID = 3.0 A。 RDS(on)@VGS = 10V < 105mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 125 mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

    • 10+

      ￥0.2369

    • 100+

      ￥0.1952

    • 300+

      ￥0.1744

    • 3000+

      ￥0.1553

    • 6000+

      ￥0.1428

    • 9000+

      ￥0.1366
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：HL6042 编号：C28646264
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -20V。 IO = -5.0A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 43mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 20+

      ￥0.2292

    • 200+

      ￥0.1812

    • 600+

      ￥0.1572

    • 3000+

      ￥0.1392

    • 9000+

      ￥0.1248

    • 21000+

      ￥0.1175
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：HL3400A 编号：C7420348
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 5.8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 35mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 40mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥0.1885

    • 50+

      ￥0.1516

    • 150+

      ￥0.131

    • 500+

      ￥0.1187

    • 3000+

      ￥0.108

    • 6000+

      ￥0.1023
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道,电流:-4.4A,耐压:-30V
    型号：HL3401 编号：C22469449
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30V。I0 = -4.4A。RDS(on)@VGS = -10V < 55mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5V < 68mΩ。RDS(on)@VGS = -2.5V < 96mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。应用：电池保护。负载开关

    • 20+

      ￥0.2067

    • 200+

      ￥0.161

    • 600+

      ￥0.1357

    • 3000+

      ￥0.1204

    • 9000+

      ￥0.1072

    • 21000+

      ￥0.1001
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道,电流:-1.25A,耐压:-60V
    型号：HL2309 编号：C28646263
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -60V。 ID = -1.25A。 RDS(on)@VGS = -10V < 340mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 550mΩ。 Trench Power MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 10+

      ￥0.2839

    • 100+

      ￥0.2501

    • 300+

      ￥0.2333

    • 3000+

      ￥0.2206

    • 6000+

      ￥0.2105

    • 9000+

      ￥0.2054
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
    型号：HL2301A 编号：C7420344
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = -20V。 I₀ = -2.3A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 112mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 142mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 20+

      ￥0.1511

    • 200+

      ￥0.1354

    • 600+

      ￥0.1267

    • 3000+

      ￥0.1168

    • 9000+

      ￥0.1123

    • 21000+

      ￥0.1098
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：2SK3018W 编号：C20069149
    封装：SOT-323
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：接口。 负载开关

    • 20+

      ￥0.1545

    • 200+

      ￥0.1264

    • 600+

      ￥0.1108

    • 3000+

      ￥0.0921

    • 9000+

      ￥0.084

    • 21000+

      ￥0.0796
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:1.9A
    型号：HL2303 编号：C7420345
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = -30V。 I₀ = -1.9A。 RDS(on)@VGS = -10V < 190mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 330mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 20+

      ￥0.1638

    • 200+

      ￥0.1332

    • 600+

      ￥0.1162

    • 3000+

      ￥0.1035

    • 9000+

      ￥0.0947

    • 21000+

      ￥0.0899
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,电流:4.5A,耐压:20V
    型号：HL2300 编号：C7420343
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = 20V。 I₀ = 4.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥0.1835

    • 50+

      ￥0.1482

    • 150+

      ￥0.1287

    • 500+

      ￥0.1169

    • 3000+

      ￥0.1039

    • 6000+

      ￥0.0984
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:25V 电流:220mA
    型号：FDV301N 编号：C20069151
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 25V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 4.0Ω。 RDS(on)@VGS = 2.7V < 5.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 10+

      ￥0.267

    • 100+

      ￥0.2139

    • 300+

      ￥0.1874

    • 3000+

      ￥0.155

    • 6000+

      ￥0.1391

    • 9000+

      ￥0.1311
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道,电流:-4.1A,耐压:-30V
    型号：HL3407A 编号：C28646269
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 10+

      ￥0.2345

    • 100+

      ￥0.1844

    • 300+

      ￥0.1593

    • 3000+

      ￥0.1405

    • 6000+

      ￥0.1254

    • 9000+

      ￥0.1179
  • 有货
    • 立即购买
    共3326页，66501条记录  到  页
    立创商城为您提供mosfet驱动芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买mosfet驱动芯片提供详细信息
    您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器 的极（高）速模式进行访问。
    购物指南
    顾客必读
    购物流程
    商品搜索
    会员等级
    PLUS会员
    优惠券使用规则
    支付配送
    在线支付
    发票须知
    快递运输
    上门自提
    特色服务
    订货服务
    海外代购
    订单跟踪
    质量保证
    售后服务
    订单出库时长
    验货/售后
    服务投诉
    特别说明
    隐私政策
    规则更新记录
    用户协议
    免责声明
    第三方共享清单
    AI应用用户须知
    关于我们
    关于立创
    联系我们
    联系我们
    服务热线： 0755-83865666
    企业QQ： 4000800709
    服务时间：
    8:30-18:30（工作日）
    9:00-18:00（节假日）
    关注立创商城公众号
    成员网站：
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    粤公网安备 44030402002194号

    粤ICP备13005967号

    工商网监
    ISO/IEC
    |
    营业执照

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗？

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗？

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content