ADI驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MAX4820EUP+T 编号：C124678

封装：TSSOP-20

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

+3.3V/+5V、8通道、可级联的继电器驱动器，具有串行/并行接口

数据手册

1+
￥17.35
10+
￥14.95
30+
￥13.45
100+
￥11.12
500+
￥10.42

有货

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型号：LTC7001EMSE#TRPBF 编号：C690092

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

数据手册

1+
￥48.57
10+
￥42.05
30+
￥38.08
100+
￥34.75

有货

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型号：MAX4427ESA+T 编号：C559513

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双路、高速、1.5A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥16.8623 ￥18.53
10+
￥16.0251 ￥17.61
30+
￥15.5337 ￥17.07
100+
￥15.0332 ￥16.52
500+
￥14.7966 ￥16.26
1000+
￥14.6965 ￥16.15

有货

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型号：MAX31790ATI+T 编号：C570996

封装：TQFN-28-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

6通道、PWM输出、风扇RPM控制器、闭路控制6个风扇或监测多达12个风扇，可配置多个风扇RPM控制器

1+
￥35.89
10+
￥31.3
30+
￥26.52
100+
￥23.76

有货

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型号：LT1158ISW#TRPBF 编号：C662899

封装：SO-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

数据手册

1+
￥56.0032 ￥65.12
10+
￥55.2636 ￥64.26
30+
￥53.9736 ￥62.76
100+
￥52.847 ￥61.45

有货

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型号：ADP3654ARDZ-RL 编号：C659218

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥5.67 ￥7.56
10+
￥5.5575 ￥7.41
30+
￥5.49 ￥7.32
100+
￥5.415 ￥7.22

有货

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型号：LTC7000EMSE#TRPBF 编号：C690074

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

数据手册

1+
￥49
10+
￥42.43
30+
￥38.42

有货

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型号：LT1336IN#PBF 编号：C663454

封装：PDIP-16

品牌：ADI(亚德诺)

[↑]336 是一款高性价比的半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器可驱动在高达 60V（绝对最大值）的高压（HV）轨上工作的高端 N 沟道功率 MOSFET。在 PWM 操作中，片上开关稳压器即使在接近并以 100%占空比运行时，也能维持自举电容的电荷

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1+
￥90.93
10+
￥86.77
30+
￥79.58

有货

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型号：LTC4449EDCB#TRPBF 编号：C688593

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4449是一款高频栅极驱动器，专为驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET而设计。强大的轨到轨驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4449的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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1+
￥28.1588 ￥34.34
10+
￥24.3786 ￥29.73
30+
￥22.1318 ￥26.99
100+
￥19.8604 ￥24.22
500+
￥18.8108 ￥22.94
1000+
￥18.3352 ￥22.36

有货

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型号：LTC7000EMSE-1#TRPBF 编号：C690076

封装：MSOP-12

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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1+
￥45.73
10+
￥39.73
30+
￥34.27

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型号：ADP3654ARDZ-R7 编号：C143882

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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1+
￥6.92
10+
￥6.78
30+
￥6.68

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型号：MAX4420ESA+T 编号：C3655522

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

单输出MOSFET驱动器旨在将TTL/CMOS输入转换为高压/大电流输出。低1.5Ω输出阻抗和6A峰值电流输出使其能够快速切换高电容功率MOSFET，提高效率。40ns的延迟时间和25ns的上升或下降时间（驱动2500pF至18V时）可最大程度减少MOSFET开关转换期间的功率损耗。逻辑输入轻松与CMOS或双极型开关模式控制器接口，因为其逻辑输入电流低于10μA

1+
￥13.37
10+
￥11.41
30+
￥10.19
100+
￥8.94

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型号：LTC4442IMS8E#PBF 编号：C688570

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4442是一款高频栅极驱动器，专为在同步降压式DC/DC转换器拓扑结构中驱动两个N沟道MOSFET而设计。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4442的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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1+
￥35.64
10+
￥30.68
30+
￥27.73

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型号：LT1910IS8#TRPBF 编号：C579924

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它包含一个完全独立的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过预设水平时，开关将关闭，并发出故障标志。开关将在由外部定时电容设置的一段时间内保持关闭，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复，直到故障消除，从而保护 MOSFET。故障标志在开关成功重新启动后将变为无效。专为恶劣的操作环境而设计，如工业和汽车应用，可能存在电源调节不佳和/或瞬变的情况。该设备不会因 -15V 至 60V 的电源瞬变而损坏。采用 SO-8 封装。

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1+
￥51.1012 ￥59.42
10+
￥44.161 ￥51.35
30+
￥39.9212 ￥46.42
100+
￥36.378 ￥42.3

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型号：LT1166CN8#PBF 编号：C662912

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时，该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件，因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决，因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置，并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压，因此可以在任何电源电压下工作。

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