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PWM恒流控制步进电机驱动器
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  • NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器,专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定(UVLO)、退饱和(DESAT)保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V
    数据手册
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      ¥4.82
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  • LV8728MR是一款PWM电流控制的微步步进电机驱动器。该驱动器可执行从整步到1/128步的八种励磁模式,并且只需通过CLK输入即可实现简单驱动。
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      ¥22.82
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  • 单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时,用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路(源/汲)典型值分别为 350mA/650mA。
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  • NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流,在米勒平坦区高达 5A 峰值电流,有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能,在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。 此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。
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  • NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路,提供两种输出,用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V,NCP5106 = 600V
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      ¥8.25
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  • 电机驱动器,正向/反向,低饱和电压,12V
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  • MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器,针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑,输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响,还有两路高电流图腾柱输出,极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定,以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。
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    • 1+

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  • MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器,包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器,以及三个高电流图腾柱底部驱动器,适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能,有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机,还可高效控制电刷直流电机。
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    • 1+

      ¥22.42
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  • FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路,可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级,所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时,UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。
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      ¥12.07
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  • NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器,提供两个输出,可直接驱动以半桥(或任何其他高端 + 低端)配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术,以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入,适用于任何拓扑结构(包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等)
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      ¥14.07
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  • FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项: FAN3111C 具有双 CMOS 输入,阈值参考 VDD,用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。为了用于运行电源电压低于该驱动器的低压控制器和其他输入信号源,该电源电压也可用作 FAN3111E 的输入阈值参考。此驱动器具有一个非反相低压输入,和一个用于 2 至 5V 外部参考电压的直流输入 VXREF。FAN3111 采用无引线成品行业标准 5 引脚 SOT23 封装。
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      ¥3.76
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      ¥2.04
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  • FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC,带关断和可编程死区时间控制功能,能驱动MOSFET和IGBT,工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V(典型值),当VBS = 15V时。
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      ¥4.81 ¥7.4
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      ¥2.547 ¥5.66
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  • FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器,FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
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  • FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器,FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
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    • 1+

      ¥6.552 ¥7.8
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      ¥5.2466 ¥7.09
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      ¥4.288 ¥6.7
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      ¥4 ¥6.25
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      ¥3.8784 ¥6.06
    • 1000+

      ¥3.8208 ¥5.97
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  • NCP5183 是一款高电压高电流 功率 MOSFET 驱动器, 提供两个输出,用于驱动 2 个组织为半桥(或任何其他高压侧 + 低压侧)配置的 N 沟道功率 MOSFET。 它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。 该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构(包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥)。
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    • 1+

      ¥14.83
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      ¥12.89
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      ¥8.26
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  • LB1836M是一款低饱和双通道双向电机驱动IC,适用于低电压应用。LB1836M是一款双极步进电机驱动IC,非常适合用于打印机、软盘驱动器(FDD)、相机和其他便携式设备。
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    • 1+

      ¥23.59
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      ¥13.41
    • 1000+

      ¥12.95
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  • FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器,FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
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    • 1+

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    • 10+

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      ¥3.32
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      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.41
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  • NCV7240 是一款汽车八沟道低压侧驱动器,提供高达每沟道 600 mA 的驱动能力。输出控制通过 SPI 端口进行,针对开路负载(或接地短路)、过载和高温条件提供方便的故障报告。 另外,输出的并行控制可通过 INx 引脚寻址(成对)。 专用的跋行回家模式引脚 (LHI) 启用 OUT1 至 OUT4,而禁用 OUT5 至 OUT8。 每个输出驱动器均具有过载电流保护,且包括一个用于电感负载的输出箝位。NCV7240 采用 SSOP24 带保险丝引线封装。
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      ¥10.59
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    • 100+

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      ¥7.54
    • 1000+

      ¥7.42
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  • FAN3111 1A 栅极驱动器设计用于驱动低端开关应用中的 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选择:FAN3111C 包含双通道 CMOS 输入,其阙值以 V
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    • 1+

      ¥5.61
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      ¥4.56
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      ¥4.03
    • 100+

      ¥3.51
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