mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

N沟道 100V 2A，210毫欧，，比BSS123电流大。

数据手册

10+
￥0.3809
100+
￥0.2945
300+
￥0.2513
3000+
￥0.2189
6000+
￥0.193
9000+
￥0.18

有货

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型号：NCE2309 编号：C502865

封装：SOT-23

使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷和出色的导通电阻。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。

数据手册

10+
￥0.3809
100+
￥0.2945
300+
￥0.2513
3000+
￥0.2189
6000+
￥0.193
9000+
￥0.18

有货

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型号：NCE40P05Y 编号：C163738

封装：SOT-23-3L

P沟道，40V，5.3A，85毫欧。

数据手册

10+
￥0.4021
100+
￥0.3109
300+
￥0.2653
3000+
￥0.2311
6000+
￥0.2037
9000+
￥0.19

有货

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型号：3080K-GK 编号：C42395458

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:30V 电流:80A

5+
￥0.43664 ￥0.5458
50+
￥0.35216 ￥0.4402
150+
￥0.30992 ￥0.3874
500+
￥0.27824 ￥0.3478
2500+
￥0.23264 ￥0.2908
5000+
￥0.21992 ￥0.2749

有货

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型号：50N06 编号：C18164387

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

5+
￥0.5941
50+
￥0.4773
150+
￥0.4172
500+
￥0.3678
2500+
￥0.3248
5000+
￥0.3132

有货

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型号：NDC7002N(UMW) 编号：C404322

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关。

数据手册

5+
￥0.6442
50+
￥0.5038
150+
￥0.4336
500+
￥0.381
3000+
￥0.3189
6000+
￥0.2978

有货

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型号：HV06P720S 编号：C49424012

封装：SOT-89

特性：VDS = -60 V。 ID = -5.5 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 66 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 88 mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电源管理开关。电池保护应用

5+
￥0.8847
50+
￥0.7047
150+
￥0.6147
1000+
￥0.5472
2000+
￥0.4932
5000+
￥0.4662

有货

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型号：NCE6005AR 编号：C189606

封装：SOT-223-3L

N沟道,60V,5A,35mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.069
50+
￥0.822
150+
￥0.7162
500+
￥0.5841
2500+
￥0.5253
5000+
￥0.49

有货

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型号：NCE6005AS 编号：C126151

封装：SOP-8

双N沟道，60V，5A，26毫欧，并联用可达10A，

数据手册

1+
￥1.1344
10+
￥0.8724
30+
￥0.76
100+
￥0.6199
500+
￥0.5575
1000+
￥0.52

有货

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型号：HB03N056S 编号：C49424005

封装：TO-252

特性：VDS = 30V。ID = 80A。RDS(on)@VGS = 10V < 5.6mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。高密度单元设计，实现超低导通电阻。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥1.2123
50+
￥0.9603
150+
￥0.8523
500+
￥0.7175
2500+
￥0.6575
5000+
￥0.6215

有货

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型号：FDC5614P 编号：C2959862

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

FDC5614P P沟道 60V 3A 丝印564P P-MOS场效应管场效应管

数据手册

5+
￥1.2672
50+
￥0.9936
150+
￥0.8763
500+
￥0.73
3000+
￥0.6472
6000+
￥0.6081

有货

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型号：IRLML2803TRPBF 编号：C2590

封装：SOT-23

N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.2856
50+
￥1.0231
150+
￥0.9105
500+
￥0.7701
3000+
￥0.7076
6000+
￥0.6701

有货

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型号：HP803N100S 编号：C49256771

封装：SOP-8

特性：VDS = 30V。 I₀ = 15A。 RDS(on) @ VGS = 10V < 8mΩ。 RDS(on) @ VGS = 4.5V < 12mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：DC/DC转换器。硬开关和高频电路

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227
500+
￥0.861
2500+
￥0.789
4000+
￥0.7458

有货

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型号：BSS308PEH6327 编号：C2939946

封装：SOT-23

特性：P沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。 ESD保护。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥1.4681
50+
￥1.2142
150+
￥1.1054
500+
￥0.9697
3000+
￥0.8363
6000+
￥0.8

有货

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型号：HT03N270S 编号：C49066898

封装：SOT-223

特性：VDS = 30V。 ID = 8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 15mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥1.9348
50+
￥1.5326
150+
￥1.3602
500+
￥1.1452
2500+
￥1.0494
5000+
￥0.9919

有货

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型号：HD503N020SG 编号：C50132381

封装：PDFN-8(5x6)

5+
￥2.43
50+
￥1.93
150+
￥1.71
500+
￥1.44
2500+
￥1.32
5000+
￥1.25

有货

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型号：HT06P900S 编号：C49066905

封装：SOT-223

特性：VDS = -60V。 ID = -5A。 RDS(on)@VGS = -10V < 90mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 110mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

1+
￥2.49
10+
￥1.98
30+
￥1.76
100+
￥1.48
500+
￥1.32
1000+
￥1.24

有货

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型号：IRLML2502TRPBF 编号：C2589

封装：SOT-23

N沟道,20V,4.2A,45mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥2.6082
10+
￥2.1796
30+
￥1.996
100+
￥1.7668
500+
￥1.6648
1000+
￥1.1

有货

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型号：HD503N220D 编号：C51883847

封装：PDFN-8(5x6)

特性：VDS = 30V。 ID = 35A。 RDS(on)@VGS = 10V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。沟槽技术功率MOSFET。低栅极电阻。应用：功率开关应用。硬开关和高频电路

1+
￥2.62
10+
￥2.08
30+
￥1.85
100+
￥1.55
500+
￥1.43
1000+
￥1.35

有货

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型号：HD504P190S 编号：C49256759

封装：PDFN-8L(5x6)

1+
￥2.67
10+
￥2.12
30+
￥1.88
100+
￥1.58
500+
￥1.45
1000+
￥1.37

有货

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型号：HP803N045S 编号：C49256770

封装：SOP-8

特性：VDS = 30V。I0 = 25A。RDS(on)@VGS = 10V < 4.5mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：电源开关应用。硬开关和高频电路

1+
￥2.67
10+
￥2.12
30+
￥1.88
100+
￥1.58
500+
￥1.45
1000+
￥1.37

有货

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型号：HP806P550S 编号：C49256766

封装：SOP-8

特性：VDS = -60V。 I₀ = -8A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 40mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 50mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：DC/DC转换器。硬开关和高频电路

1+
￥2.67
10+
￥2.12
30+
￥1.88
100+
￥1.58
500+
￥1.45
1000+
￥1.37

有货

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型号：IRF4905STRL(UMW) 编号：C7471852

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：结工作温度为150℃。开关速度快。重复雪崩额定值提高。先进的工艺技术。超低导通电阻。工作温度为50℃。允许重复雪崩至最大结温

1+
￥2.84
10+
￥2.21
30+
￥1.94
100+
￥1.61
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

有货

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型号：HD306P450S 编号：C49423978

封装：PDFN-8(3x3)

特性：VDS = -60 V。 ID = -20 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 29 mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。电压控制小信号开关。快速开关速度。应用：电源开关应用。负载开关

1+
￥2.92
10+
￥2.31
30+
￥2.05
100+
￥1.73
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

有货

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型号：CRSS042N10N 编号：C410926

封装：TO-263

品牌：CRMICRO(华润微)

N沟道 100V 120A 3.4mΩ@10v

数据手册

1+
￥3.65
10+
￥3.13
30+
￥2.76
100+
￥2.46
500+
￥2.12
1000+
￥2.06

有货

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型号：HYG025N06LS1C2 编号：C2827231

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：60V/170A，RDS(ON) = 2.1mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V，RDS(ON) = 3.2mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：高频负载点同步降压转换器。电动工具应用

数据手册

1+
￥3.81
10+
￥3.08
30+
￥2.72
100+
￥2.4
500+
￥1.85
1000+
￥1.8

有货

立即购买

型号：IRFB4115PBF 编号：C2651

封装：TO-220