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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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50N06 MS50 N沟道 耐压:60V 电流:50A
型号：MS50N06 编号：C2902884
封装：TO-252-2
品牌：MSKSEMI(美森科)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
数据手册

  • 5+

    ￥0.680485 ￥0.7163

  • 50+

    ￥0.54226 ￥0.5708

  • 150+

    ￥0.473195 ￥0.4981

  • 500+

    ￥0.421325 ￥0.4435

  • 2500+

    ￥0.364895 ￥0.3841

  • 5000+

    ￥0.34409 ￥0.3622
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：MDD3401 编号：C427383
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册

    • 20+

      ￥0.202

    • 200+

      ￥0.1854

    • 600+

      ￥0.1762

    • 3000+

      ￥0.1074

    • 9000+

      ￥0.1026

    • 21000+

      ￥0.1
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：MDD3400 编号：C427382
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2034

    • 200+

      ￥0.1659

    • 600+

      ￥0.1451

    • 3000+

      ￥0.1059

    • 9000+

      ￥0.095

    • 21000+

      ￥0.0892
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：AO3402 编号：C727157
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A N沟道,30V,4A
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2196 ￥0.244

    • 100+

      ￥0.17514 ￥0.1946

    • 300+

      ￥0.15039 ￥0.1671

    • 3000+

      ￥0.12321 ￥0.1369

    • 6000+

      ￥0.11034 ￥0.1226

    • 9000+

      ￥0.10341 ￥0.1149
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A
    型号：IRLML6402TR(UMW) 编号：C347504
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2212

    • 200+

      ￥0.1696

    • 600+

      ￥0.141

    • 3000+

      ￥0.1235

    • 9000+

      ￥0.1086

    • 21000+

      ￥0.1006
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：AP30P30Q 编号：C471913
    封装：PDFN3333-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP30P30Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6971

    • 50+

      ￥0.6088

    • 150+

      ￥0.5658

    • 500+

      ￥0.5273

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      ￥0.5168

    • 5000+

      ￥0.5104
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:5.6A
    型号：Si2318CDS-T1-GE3 编号：C14498
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,40V,5.6A,42mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8804

    • 50+

      ￥0.7176

    • 150+

      ￥0.6363

    • 500+

      ￥0.5753

    • 3000+

      ￥0.4652

    • 6000+

      ￥0.4407
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:86A
    型号：IRLR8726TRPBF 编号：C81137
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。 超低栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。 无铅。 符合RoHS标准。应用：计算机处理器电源的高频同步降压转换器。 电信和工业用带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9476

    • 50+

      ￥0.7395

    • 150+

      ￥0.6503

    • 500+

      ￥0.52822 ￥0.539

    • 2000+

      ￥0.479612 ￥0.4894

    • 4000+

      ￥0.450506 ￥0.4597
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:320mA
    型号：BSS138PW,115 编号：C193366
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,320mA
    数据手册

    • 5+

      ￥1.899

    • 50+

      ￥1.5068

    • 150+

      ￥1.3387

    • 500+

      ￥1.09513 ￥1.129

    • 3000+

      ￥0.975917 ￥1.0061

    • 6000+

      ￥0.9215 ￥0.95
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
    型号：NCE6080K 编号：C341705
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    NCE6080K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.9372

    • 10+

      ￥1.4897

    • 30+

      ￥1.2979

    • 100+

      ￥1.0586

    • 500+

      ￥0.952

    • 1000+

      ￥0.888
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:110A
    型号：STP110N8F6 编号：C81146
    封装：TO-220
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.86

    • 10+

      ￥4

    • 50+

      ￥3.32

    • 100+

      ￥2.89

    • 500+

      ￥2.64

    • 1000+

      ￥2.5
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:250A
    型号：PSMN1R2-30YLD 编号：C22465456
    封装：LFPAK-56
    品牌：Nexperia(安世)
    采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当，但不会出现高漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用

    • 1+

      ￥6.02

    • 10+

      ￥4.94

    • 30+

      ￥4.4

    • 100+

      ￥3.7539 ￥3.87

    • 500+

      ￥3.4435 ￥3.55

    • 1500+

      ￥3.2786 ￥3.38
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:200V 电流:11A
    型号：IRF9640PBF 编号：C2628
    封装：TO-220AB
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.22

    • 10+

      ￥4.99

    • 50+

      ￥4.38

    • 100+

      ￥3.76

    • 500+

      ￥3.4

    • 1000+

      ￥3.21
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V
    型号：CSD18540Q5B 编号：C86513
    封装：VSON-8(5x6)
    品牌：TI(德州仪器)
    CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
    数据手册

    • 1+

      ￥9.02

    • 10+

      ￥7.99

    • 30+

      ￥7.01

    • 100+

      ￥5.59

    • 500+

      ￥5.3

    • 1000+

      ￥5.15
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：L2N7002LT1G 编号：C12779
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,60V,0.115A,225mW
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0805

    • 500+

      ￥0.0627

    • 3000+

      ￥0.0528

    • 6000+

      ￥0.0469

    • 24000+

      ￥0.0417

    • 51000+

      ￥0.0389
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,电流:3.5A,耐压:20V
    型号：SI2302 编号：C5224179
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0898

    • 500+

      ￥0.0746

    • 3000+

      ￥0.061

    • 6000+

      ￥0.056

    • 24000+

      ￥0.0516

    • 51000+

      ￥0.0493
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：BSS123 编号：C5184436
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款消费级N沟道MOSFET采用小巧SOT-23封装，适用于100V高压系统，额定电流为0.2A，特别适合于低功耗电子设备的电源开关和信号控制。具备卓越的低导通电阻与快速切换性能，有效提升能效并确保在各类应用中的稳定运行。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.106168 ￥0.1154

    • 200+

      ￥0.086296 ￥0.0938

    • 600+

      ￥0.075256 ￥0.0818

    • 3000+

      ￥0.06072 ￥0.066

    • 9000+

      ￥0.054924 ￥0.0597

    • 21000+

      ￥0.051796 ￥0.0563
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
    型号：2N7002T 编号：C7507460
    封装：SOT-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该消费级N沟道MOSFET采用SOT-523微型封装，具有60V高耐压和0.1A电流处理能力，专为紧凑型、低功耗电子设备设计，实现精细电源管理与高效开关功能。

    • 20+

      ￥0.12331 ￥0.1298

    • 200+

      ￥0.09823 ￥0.1034

    • 600+

      ￥0.08417 ￥0.0886

    • 3000+

      ￥0.074575 ￥0.0785

    • 9000+

      ￥0.06726 ￥0.0708

    • 21000+

      ￥0.063365 ￥0.0667
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：BSS123 编号：C79015
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1334

    • 500+

      ￥0.1071

    • 3000+

      ￥0.0917

    • 6000+

      ￥0.083

    • 24000+

      ￥0.0754

    • 51000+

      ￥0.0713
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 电流:0.2A
    型号：BSS138 编号：C112239
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    N沟道，60V，0.2A，RDS(on) = 3.5Ω@5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.13813 ￥0.1454

    • 200+

      ￥0.111625 ￥0.1175

    • 600+

      ￥0.096995 ￥0.1021

    • 3000+

      ￥0.07125 ￥0.075

    • 9000+

      ￥0.063555 ￥0.0669

    • 21000+

      ￥0.05947 ￥0.0626
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A-MS 编号：C19632011
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：30V, 5.8 A, RDS(ON) = 20mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。 适用于2.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。 负载开关

    • 20+

      ￥0.149055 ￥0.1569

    • 200+

      ￥0.11571 ￥0.1218

    • 600+

      ￥0.097185 ￥0.1023

    • 3000+

      ￥0.085405 ￥0.0899

    • 9000+

      ￥0.07581 ￥0.0798

    • 21000+

      ￥0.070585 ￥0.0743
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：8205A 编号：C2762931
    封装：SOT-23-6
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    高密度电池设计，可实现极低的RDS。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.16749 ￥0.1861

    • 100+

      ￥0.14769 ￥0.1641

    • 300+

      ￥0.13779 ￥0.1531

    • 3000+

      ￥0.12276 ￥0.1364

    • 6000+

      ￥0.11682 ￥0.1298

    • 9000+

      ￥0.11385 ￥0.1265
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002DW 编号：C5190214
    封装：SOT-363
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：低导通电阻：当 VDS = 60V，ID = 300mA，VGS = 10V 时，RDS(ON) ≤ 1.9Ω。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。坚固可靠。ESD 保护
    数据手册

    • 20+

      ￥0.180975 ￥0.1905

    • 200+

      ￥0.14402 ￥0.1516

    • 600+

      ￥0.1235 ￥0.13

    • 3000+

      ￥0.1064 ￥0.112

    • 9000+

      ￥0.09576 ￥0.1008

    • 21000+

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C2938368
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A适用于电源开关和信号控制
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
    型号：SI2307A 编号：C347490
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
    型号：2N7002EM3T5G 编号：C907843
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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    P通道,电流:-4.9A,耐压:-20V
    型号：AO3415A 编号：C5350990
    封装：SOT-23-3L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:4.4A
    型号：SI2319A 编号：C545576
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=40V。 RDS(ON)<70mΩ(VGS=10V), ID=- 4.4A。 RDS(ON)<95mΩ(VGS=4.5V), ID=- 3.5A。应用：DC/DC转换器
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
    型号：SI2319 编号：C5337197
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压40V，支持高达5A连续电流。具有低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.6A
    型号：DMP2035U-7 编号：C110499
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    P沟道,-20V,-3.6A,35mΩ@-4.5V
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