mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI2302S 编号：C20628872

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

小体积

50+
￥0.064125 ￥0.0675
500+
￥0.04978 ￥0.0524
3000+
￥0.0418 ￥0.044
6000+
￥0.03705 ￥0.039
24000+
￥0.03287 ￥0.0346
51000+
￥0.03059 ￥0.0322

有货

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型号：NCE0224K 编号：C341714

封装：TO-252

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷和出色的导通电阻RDS(ON)，可用于多种应用。

数据手册

1+
￥3.81
10+
￥3.21
30+
￥2.79
100+
￥2.44
500+
￥2.33
1000+
￥2.26

有货

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型号：BSC0805LS 编号：C534374

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅镀锡，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

数据手册

1+
￥3.99
10+
￥3.37
30+
￥2.94
100+
￥2.58
500+
￥2.47
1000+
￥2.4

有货

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型号：STB15810 编号：C620154

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关性能。

数据手册

1+
￥6.5
10+
￥5.37
30+
￥4.75
100+
￥4.06
500+
￥3.74
1000+
￥3.6

有货

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型号：2SK3019 编号：C2909905

封装：SOT-523

品牌：KUU

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，适用于便携式设备。易于设计驱动电路。易于并联。符合RoHS标准且环保。雾锡（Sn）引脚镀层。重量：约0.002g

数据手册

50+
￥0.0935
500+
￥0.073
3000+
￥0.062
6000+
￥0.0551
24000+
￥0.0492
51000+
￥0.046

有货

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型号：2SK3018 编号：C181084

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻。极快的开关速度。低电压驱动，非常适合便携式设备。采用超小型表面贴装封装

数据手册

50+
￥0.096805 ￥0.1019
500+
￥0.07524 ￥0.0792
3000+
￥0.059565 ￥0.0627
6000+
￥0.052345 ￥0.0551
24000+
￥0.04617 ￥0.0486
51000+
￥0.04275 ￥0.045

有货

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型号：BSS138 编号：C427380

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

30+
￥0.099072 ￥0.1032
300+
￥0.080448 ￥0.0838
900+
￥0.07008 ￥0.073
3000+
￥0.057312 ￥0.0597
15000+
￥0.051936 ￥0.0541
30000+
￥0.049056 ￥0.0511

有货

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型号：SI2301 编号：C727151

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@4.5V,2.8A

数据手册

20+
￥0.12627 ￥0.1403
200+
￥0.1017 ￥0.113
600+
￥0.08793 ￥0.0977
3000+
￥0.07038 ￥0.0782
9000+
￥0.06318 ￥0.0702
21000+
￥0.0594 ￥0.066

有货

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型号：BSS84 编号：C114481

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道，-50V，-0.13A，10Ω@-5V

数据手册

50+
￥0.1264
500+
￥0.1005
3000+
￥0.0837
6000+
￥0.0751
24000+
￥0.0676

有货

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型号：2N7002T 编号：C5224243

封装：SOT-523

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.1515
200+
￥0.1189
600+
￥0.1008
3000+
￥0.0899
9000+
￥0.0805
21000+
￥0.0754

有货

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型号：AO3401 编号：C5224195

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.1577
200+
￥0.1462
600+
￥0.1399
3000+
￥0.1042
9000+
￥0.1009
21000+
￥0.0991

有货

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型号：AO3400 编号：C20634976

封装：SOT-23-3L

品牌：FOSAN(富捷/富信)

漏源耐压：30V 漏极电流：5.8A 大体积 N MOS

20+
￥0.165965 ￥0.1747
200+
￥0.127965 ￥0.1347
600+
￥0.106875 ￥0.1125
3000+
￥0.09424 ￥0.0992
9000+
￥0.083315 ￥0.0877
21000+
￥0.077425 ￥0.0815

有货

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型号：AO3402 编号：C727157

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A N沟道,30V,4A

数据手册

10+
￥0.2178 ￥0.242
100+
￥0.1737 ￥0.193
300+
￥0.14922 ￥0.1658
3000+
￥0.12222 ￥0.1358
6000+
￥0.10944 ￥0.1216
9000+
￥0.1026 ￥0.114

有货

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型号：IRLML6401TR(UMW) 编号：C347501

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=-12V。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS =-4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) < 125mΩ (VGS =-1.8V)。超低导通电阻P沟道MOSFET。快速开关

数据手册

20+
￥0.2276
200+
￥0.1726
600+
￥0.1421
3000+
￥0.1203
9000+
￥0.1044
21000+
￥0.0959

有货

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型号：WNM2030 编号：C3011190

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.2315
200+
￥0.1781
600+
￥0.1484
2000+
￥0.1306
8000+
￥0.1188
16000+
￥0.1105

有货

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型号：IRLML6401 编号：C382329

封装：SOT-23

品牌：KEXIN(科信)

P沟道,-12V -4.3A

数据手册

20+
￥0.2372
200+
￥0.1892
600+
￥0.1652
3000+
￥0.1447
9000+
￥0.1303
21000+
￥0.123

有货

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型号：FDN340P(UMW) 编号：C347510

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

这款P沟道逻辑电平MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，同时保持低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。

数据手册

20+
￥0.2482
200+
￥0.1929
600+
￥0.1622
3000+
￥0.1398
9000+
￥0.1238
21000+
￥0.1152

有货

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型号：AO4468(UMW) 编号：C18207552

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的导通电阻RDS(ON)。 VDS(V) = 30V。 ID = 10.5A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 17mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 23mΩ (VGS = 4.5V)。应用：负载开关。电池保护

10+
￥0.3536
100+
￥0.2785
300+
￥0.2409
3000+
￥0.2091
6000+
￥0.1866
9000+
￥0.1753

有货

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型号：CJ2309A 编号：C7433254

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJ2309A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(on)。该器件适用于作为单向或双向负载开关。

10+
￥0.3827
100+
￥0.3088
300+
￥0.2718
3000+
￥0.2441
6000+
￥0.2219
9000+
￥0.2108

有货

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型号：3401P-MS 编号：C19272814

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

3401P-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。3401P-MS P沟道增强型功率MOSFET

10+
￥0.398715 ￥0.4197
100+
￥0.318915 ￥0.3357
300+
￥0.279015 ￥0.2937
1000+
￥0.24909 ￥0.2622
5000+
￥0.22515 ￥0.237
10000+
￥0.213085 ￥0.2243

有货

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型号：AO4459 编号：C5125946

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，具有极低的导通电阻，适用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

10+
￥0.4403
100+
￥0.3462
300+
￥0.2992
3000+
￥0.242
6000+
￥0.2137
9000+
￥0.1996

有货

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型号：30N06 编号：C5807887

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:60V 电流:30A适用于电源开关和信号控制

5+
￥0.51831 ￥0.5759
50+
￥0.41031 ￥0.4559
150+
￥0.35631 ￥0.3959
500+
￥0.31581 ￥0.3509
2500+
￥0.28341 ￥0.3149
5000+
￥0.26712 ￥0.2968

有货

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型号：4953 编号：C717603

封装：SO-8

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻：VDS = -30V，ID = -5.1A，RDS(ON) ≤ 55mΩ，VGS = -10V。低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用。表面贴装器件

数据手册

5+
￥0.52117 ￥0.5486
50+
￥0.4218 ￥0.444
150+
￥0.372115 ￥0.3917
500+
￥0.33478 ￥0.3524
3000+
￥0.2945 ￥0.31
6000+
￥0.279585 ￥0.2943

有货

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型号：BSS131 编号：C5337202

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管具有0.1A的电流处理能力和240V的电压承受范围。其内阻典型值为3000mΩ，VGS为20V。适用于需要低功耗和高稳定性的应用场景，如电源管理、信号放大及开关控制等，确保系统高效运行。

数据手册

5+
￥0.5582
50+
￥0.458
150+
￥0.4079
500+
￥0.3703
3000+
￥0.3031
6000+
￥0.2881

有货

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型号：AO4435 编号：C5224296

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.5947
50+
￥0.468
150+
￥0.4046
500+
￥0.3571
3000+
￥0.3191
6000+
￥0.3

有货

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型号：FDN5618P 编号：C3021110

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.6008
50+
￥0.4793
150+
￥0.4186
500+
￥0.3731
3000+
￥0.3274
6000+
￥0.3091

有货

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型号：BSS138PS,115 编号：C193381

封装：SOT-363(SC-88)

品牌：Nexperia(安世)

双N沟道,60V,320mA

数据手册

5+
￥0.6217
50+
￥0.4902
150+
￥0.4244
500+
￥0.375
3000+
￥0.3356
6000+
￥0.3158

有货

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型号：IRLML6244TRPBF 编号：C143946

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道，最大电流6.3A@VGS=4.5V，VDS=20V

数据手册

5+
￥0.8115
50+
￥0.6542
150+
￥0.5756
500+
￥0.5166
3000+
￥0.4694
6000+
￥0.4458

有货

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型号：DMP2035U-7 编号：C110499

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-3.6A,35mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.9517
50+
￥0.8182
150+
￥0.7514
500+
￥0.7014
3000+
￥0.6126
6000+
￥0.5926

有货

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型号：IRLR7843TR(UMW) 编号：C7499399

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V 。 Qg=34nC 。 RDS(ON)<3.3mΩ(VGS=10V)。 4.5V VGS时极低的RDS(ON)。超低栅极阻抗。完全表征雪崩电压和电流。应用：计算机处理器电源的高频同步降压转换器

5+
￥1.4279
50+
￥1.1048
150+
￥0.9663
500+
￥0.7935
2500+
￥0.699
5000+
￥0.6529

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