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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术,其沟槽栅极结构经过优化,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关性能。
数据手册
  • 1+

    ¥5.63
  • 10+

    ¥4.91
  • 30+

    ¥4.24
  • 100+

    ¥3.73
  • 500+

    ¥3.53
  • 1000+

    ¥3.42
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.3
    • 10+

      ¥4.62
    • 50+

      ¥3.8
    • 100+

      ¥3.41
    • 500+

      ¥3.28
    • 1000+

      ¥3.2
  • 有货
  • 大电流SGT MOSFET产品
    • 1+

      ¥5.358 ¥5.64
    • 10+

      ¥4.4555 ¥4.69
    • 30+

      ¥3.819 ¥4.02
    • 100+

      ¥3.2965 ¥3.47
    • 500+

      ¥3.287 ¥3.46
    • 1000+

      ¥3.1825 ¥3.35
  • 有货
  • N沟道,150V,171A,5.9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.11
    • 10+

      ¥10.7
    • 25+

      ¥8.7
    • 100+

      ¥7.4005 ¥7.79
    • 500+

      ¥7.0015 ¥7.37
    • 1000+

      ¥6.84 ¥7.2
  • 有货
  • 电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计,具有卓越的低导通电阻和快速开关性能,确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.048165 ¥0.0507
    • 1000+

      ¥0.03705 ¥0.039
    • 3000+

      ¥0.030495 ¥0.0321
    • 9000+

      ¥0.02679 ¥0.0282
    • 45000+

      ¥0.023655 ¥0.0249
    • 90000+

      ¥0.02185 ¥0.023
  • 有货
  • 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.055335 ¥0.0651
    • 500+

      ¥0.04301 ¥0.0506
    • 3000+

      ¥0.036125 ¥0.0425
    • 6000+

      ¥0.03196 ¥0.0376
    • 24000+

      ¥0.02839 ¥0.0334
    • 45000+

      ¥0.026435 ¥0.0311
  • 有货
  • 特性:VDS(V)-20V,Ip = -2.8A。 RDS(ON)<0.112Ω(VGS = -4.5V)。 RDS(ON)<0.142Ω(VGS = -2.5V)。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1115
    • 500+

      ¥0.0854
    • 3000+

      ¥0.0696
    • 6000+

      ¥0.061
    • 24000+

      ¥0.0534
    • 51000+

      ¥0.0494
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 45mΩ (VGS = 4.5V),ID = 3.6A。 RDS(ON) = 60mΩ (VGS = 2.5V),ID = 3.1A。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1123
    • 500+

      ¥0.0887
    • 3000+

      ¥0.0723
    • 6000+

      ¥0.0644
    • 24000+

      ¥0.0576
    • 51000+

      ¥0.0539
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,65mΩ@-10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2036
    • 200+

      ¥0.1684
    • 600+

      ¥0.1488
    • 3000+

      ¥0.1371
    • 9000+

      ¥0.127
    • 21000+

      ¥0.1215
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2153
    • 200+

      ¥0.165
    • 600+

      ¥0.137
    • 3000+

      ¥0.1176
    • 9000+

      ¥0.1031
    • 21000+

      ¥0.0952
  • 有货
  • P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装
    数据手册
    • 1+

      ¥2.61
    • 10+

      ¥2.07
    • 30+

      ¥1.83
    • 100+

      ¥1.4938 ¥1.54
    • 500+

      ¥1.3677 ¥1.41
    • 1000+

      ¥1.261 ¥1.3
  • 有货
  • N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.23
    • 10+

      ¥3.59
    • 25+

      ¥2.97
    • 100+

      ¥2.6
    • 400+

      ¥2.48
    • 800+

      ¥2.41
  • 有货
  • N沟道,100V,290A,2.6mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.77
    • 10+

      ¥7.7
    • 25+

      ¥6.68
    • 100+

      ¥5.92
    • 500+

      ¥5.61
    • 1000+

      ¥5.46
  • 有货
  • N沟道,200V,130A,9.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.09
    • 10+

      ¥9.84
    • 25+

      ¥7.78
    • 100+

      ¥6.97
    • 500+

      ¥6.6
    • 1000+

      ¥6.45
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:20V 电流:2.1A适用于电源开关和信号控制
    • 50+

      ¥0.05634 ¥0.0626
    • 500+

      ¥0.04419 ¥0.0491
    • 3000+

      ¥0.03744 ¥0.0416
    • 6000+

      ¥0.03339 ¥0.0371
    • 30000+

      ¥0.02988 ¥0.0332
    • 45000+

      ¥0.02799 ¥0.0311
  • 有货
  • 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压20V,可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性,应用于充电器、电源转换等场合,提供高效能、稳定可靠的功率控制方案,是各类电子设备的理想选择。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1214
    • 500+

      ¥0.0979
    • 3000+

      ¥0.0753
    • 6000+

      ¥0.0675
    • 24000+

      ¥0.0607
    • 51000+

      ¥0.0571
  • 有货
  • 小体积
    • 20+

      ¥0.1431
    • 200+

      ¥0.1118
    • 600+

      ¥0.0944
    • 3000+

      ¥0.0828
    • 9000+

      ¥0.0737
    • 21000+

      ¥0.0689
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:4A适用于电源开关和信号控制
    数据手册
    • 20+

      ¥0.145255 ¥0.1529
    • 200+

      ¥0.114475 ¥0.1205
    • 600+

      ¥0.097375 ¥0.1025
    • 3000+

      ¥0.078565 ¥0.0827
    • 9000+

      ¥0.06973 ¥0.0734
    • 30000+

      ¥0.064885 ¥0.0683
  • 有货
  • N沟道,30V,100mA
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1477
    • 200+

      ¥0.1152
    • 600+

      ¥0.1008
    • 3000+

      ¥0.077
    • 9000+

      ¥0.0727
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.191615 ¥0.2017
    • 200+

      ¥0.150005 ¥0.1579
    • 600+

      ¥0.12692 ¥0.1336
    • 3000+

      ¥0.118465 ¥0.1247
    • 9000+

      ¥0.106495 ¥0.1121
    • 21000+

      ¥0.100035 ¥0.1053
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DSS为 -20V。 漏极电流ID为 -4A。 最大导通电阻RDS(ON):在 -4.5V时为36mΩ,在 -2.5V时为60mΩ。 出色的导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2455
    • 200+

      ¥0.1898
    • 600+

      ¥0.1589
    • 3000+

      ¥0.1299
    • 9000+

      ¥0.1138
    • 21000+

      ¥0.1052
  • 有货
  • 5N10-MS是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。5N10-MS符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.24738 ¥0.2604
    • 100+

      ¥0.20178 ¥0.2124
    • 300+

      ¥0.17898 ¥0.1884
    • 3000+

      ¥0.134235 ¥0.1413
    • 6000+

      ¥0.120555 ¥0.1269
    • 9000+

      ¥0.11362 ¥0.1196
  • 有货
  • N沟道,240V,110mA,14Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4649
    • 50+

      ¥0.3662
    • 150+

      ¥0.3168
    • 500+

      ¥0.274204 ¥0.2798
    • 3000+

      ¥0.245196 ¥0.2502
    • 6000+

      ¥0.230692 ¥0.2354
  • 有货
    • 5+

      ¥0.586
    • 50+

      ¥0.4692
    • 150+

      ¥0.4091
    • 500+

      ¥0.3597
    • 2500+

      ¥0.3248
    • 5000+

      ¥0.3132
  • 有货
  • 双N沟道,60V,320mA
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6217
    • 50+

      ¥0.4902
    • 150+

      ¥0.4244
    • 500+

      ¥0.371349 ¥0.3751
    • 3000+

      ¥0.332244 ¥0.3356
    • 6000+

      ¥0.312642 ¥0.3158
  • 有货
  • N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3505
    • 50+

      ¥1.0432
    • 150+

      ¥0.8932
    • 500+

      ¥0.744212 ¥0.7594
    • 2000+

      ¥0.708148 ¥0.7226
    • 4000+

      ¥0.68649 ¥0.7005
  • 有货
  • N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7222
    • 50+

      ¥1.222
    • 150+

      ¥1.0374
    • 500+

      ¥0.8726
    • 2500+

      ¥0.8273
    • 5000+

      ¥0.8002
  • 有货
  • WSP4805是一款高性能沟槽式双P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP4805符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.1453
    • 10+

      ¥1.717
    • 30+

      ¥1.5334
    • 100+

      ¥1.3043
    • 500+

      ¥1.2023
    • 1000+

      ¥1.0944
  • 有货
  • 40V/200A。RDS(ON) = 0.75mΩ(典型值)。在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 1.05mΩ(典型值)
    数据手册
    • 1+

      ¥4.1
    • 10+

      ¥3.52
    • 30+

      ¥3.11
    • 100+

      ¥2.77
    • 500+

      ¥2.15
    • 1000+

      ¥2.09
  • 有货
  • N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.19
    • 10+

      ¥3.54
    • 30+

      ¥3.08
    • 100+

      ¥2.7
    • 500+

      ¥2.58
    • 800+

      ¥2.5
  • 有货
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