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首页 > 热门关键词 > EG驱动芯片
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600V,IO+1A/-1.5A,大功率MOS管、IGBT管栅极驱动IC
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  • 单通道功率MOSFET驱动芯片,电压范围:3.0V to 30V
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  • 带SD功能双路驱动芯片 EG27324是一款高性价比、带SD功能的双路独立驱动专用芯片。内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路,用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。 EG27324的电源电压范围宽2.8V~20V,静态功耗小于1uA。
    数据手册
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      ¥2.1115
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      ¥1.6216
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      ¥1.4116
    • 500+

      ¥1.1497
    • 2500+

      ¥1.033
    • 4000+

      ¥0.963
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  • EG2132是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2132高端的工作电压可达300V,低端Vcc的电源电压范围宽8V~20V,静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力|O+/-| 1.0A/1.5A,采用SOP8封装。
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  • EG2104S是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104S高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻,SD(overline)内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10±1.0 A/1.5A,采用SOP8封装。
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      ¥2.1115
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      ¥1.6216
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      ¥1.4116
    • 500+

      ¥1.1497
    • 2500+

      ¥1.033
    • 4000+

      ¥0.963
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  • EG2131是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2131高端的工作电压可达300V,低端Vcc的电源电压范围宽11V~20V,静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了上拉5V高电位,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/- 1/1.5A,采用SOP8封装。
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  • EG3013S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG3013S高端的工作电压可达80V,Vcc的电源电压范围宽4.5V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN内建了一个15K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8封装。
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  • 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
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  • 高性价比, 600V,半桥式Nmos预驱动器
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  • EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片,配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V,低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A,采用TSSOP20封装。
    数据手册
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  • EG2181D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2181D高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V,静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10±2A/2.5A,采用SOP8封装。
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    • 1+

      ¥3.23
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      ¥2.26
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  • EG27517单通道高速低侧栅极驱动器,可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V,静态功耗小。
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  • EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
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      ¥1.25
  • 有货
  • EG3114是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3114高端的工作电压可达600V,低端VCC的电源电压范围宽10V~20V,静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10+1-4/4A,采用SOP8封装。
    • 1+

      ¥3
    • 10+

      ¥2.32
    • 30+

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      ¥1.67
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  • 带 SD 功能双路驱动芯片
    数据手册
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  • EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V,低端VCC的电源电压范围宽10V~20V,静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻,LIN内建了上拉5V高电位,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 4/4A,采用SOP8封装。
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  • EG3118是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
    • 1+

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    • 500+

      ¥1.76
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  • EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V,Vcc的电源电压范围宽11V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8封装。
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  • EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
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    • 2500+

      ¥1.035
    • 4000+

      ¥1.008
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  • EG3113是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3113高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V,静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了上拉5V高电位,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/-Ω2/2.5A,采用SOP8封装。
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