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首页 > 热门关键词 > 美台驱动芯片
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DiODEsTM AP74700G是一款符合汽车应用标准的理想二极管MOSFET控制器,当与合适的外部N沟道功率MOSFET配合使用时,它能在单向电源路径以及反向电压情况下提供正向压降仅20mV的低损耗整流器。AP74700Q支持3.2V至65V的宽输入工作范围,可控制多种常见的直流母线电压,如12V、24V或更高电压的汽车电池系统。支持3.2V输入电压满足汽车系统在严重冷启动时的需求
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  • ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器,用于驱动IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET进行开关操作。它能够向栅极提供高达10A的峰值源极/漏极电流,以对大容性负载进行有效充放电。ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流,而控制器只需提供1mA的输入电流
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  • ZXGD3009E6是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达2A的峰值源极/灌电流,以对容性负载进行有效充放电。这款栅极驱动器可确保MOSFET快速开关,从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真
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  • ZXGD3005E6是一款高速同相单栅极驱动器,能够在最高25V的电源电压下,向MOSFET或IGBT的栅极电容性负载提供高达10A的驱动电流。其传播延迟时间低至<10ns,相应的上升/下降时间<20ns。该栅极驱动器可确保MOSFET或IGBT快速开关,以最大限度减少大电流开关应用中的功率损耗和失真
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  • DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD21904M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与控制设备接口
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  • APR346 是一款用于同步整流的次级侧 MOSFET 驱动器,支持连续导通模式(CCM)、不连续导通模式(DCM)和准谐振反激拓扑。同步整流可有效降低次级侧整流器的功耗,并提供高性能解决方案。通过检测初级 MOSFET 的栅源电压,APR346 只需较少的外部元件即可输出理想的驱动信号
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  • DGD2106M是一款高压/高速栅极驱动器,能够以高端/低端配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2106M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2106M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与控制设备连接
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  • 是一种集成固态直流继电器驱动器,可切换感性负载。它在敏感逻辑电路和3V至6V直流感性继电器线圈之间充当缓冲级,提供强大的驱动接口。输入驱动电流要求低,对输入电路的负载影响小,能在输出和输入通道之间提供良好的瞬态隔离。当输入驱动丢失或断开时,输出开关设计保证开路并进入关断状态。采用行业标准SOT23和SOT26封装,有单芯片或双芯片版本,可在单个集成封装中替代三到六个分立元件,包括输出端的齐纳二极管。齐纳二极管钳位电压为6.6V,可将感性电流引入地,减少系统中的电磁干扰噪声。集成齐纳二极管后,无需外部续流二极管,可驱动继电器、螺线管、白炽灯和小型直流电机等感性负载。
    数据手册
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      ¥1.1527
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  • ZXGD3113W6旨在驱动配置为理想二极管替代品的MOSFET。该器件由差分放大器检测级和大电流驱动器组成。检测级监测MOSFET的反向电压,这样,如果发生体二极管导通,就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压
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      ¥1.66
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      ¥0.93 ¥1
  • 有货
  • ZXGD3009DY是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达1A的峰值源极/漏极电流,以对容性负载进行有效充放电。该栅极驱动器可确保MOSFET快速开关,从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真
    数据手册
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      ¥1.6779
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  • PAM8016是一款触觉驱动器,具有低延迟、高效率和更强驱动能力的特点,能够驱动线性谐振致动器(LRA)和偏心旋转质量块(ERM)触觉元件,这些元件常用于便携式市场的触觉反馈。PAM8016支持差分、单端或PWM输入等灵活输入方式,方便主微控制器驱动触觉元件。PAM8016采用无滤波器架构设计,无需外部输出滤波器,所需外部元件更少,PCB面积更小,系统成本更低,并且简化了应用设计
    数据手册
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      ¥0.87645 ¥1.1686
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      ¥0.8723
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  • DGD2110 和 DGD2113 是高压/高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端输出。高端驱动器具备浮动电源,可在高达 500V/600V 的电压下工作。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配为 10ns(最大值)/20ns(最大值),支持高频操作
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    • 1+

      ¥4.2035 ¥12.01
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      ¥2.8025 ¥11.21
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      ¥1.4805 ¥9.87
  • 有货
  • ZXGD3004E6是一款高速、同相单栅极驱动器,专为开关MOSFET或IGBT而设计。它能够向栅极提供高达8A的峰值源极/灌电流,以对容性栅极负载进行有效充放电。该栅极驱动器可确保MOSFET快速开关,从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真
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    • 1+

      ¥3.75
    • 10+

      ¥3.08
    • 30+

      ¥2.74
    • 100+

      ¥2.41
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      ¥2.21
  • 有货
  • DGD2190M是一款高压/高速栅极驱动器,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2190M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD2190M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与控制设备连接
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    • 1+

      ¥14.76
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      ¥12.38
    • 30+

      ¥10.89
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  • 是一款具有PWM控制功能的全波驱动IC,用于单相电机,能够通过改变输出占空比进行速度控制。有SSOP-16和HTSSOP-14封装。
    • 1+

      ¥1.84
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      ¥1.32
  • 有货
  • DGD2181是一款高压/高速栅极驱动器,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2181的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2181的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与控制设备连接
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    • 1+

      ¥7.66
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      ¥6.063 ¥6.45
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      ¥4.8636 ¥5.79
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      ¥4.2336 ¥5.04
    • 500+

      ¥3.7464 ¥4.46
    • 1000+

      ¥3.612 ¥4.3
  • 有货
  • DGD05473是一款高频栅极驱动器,能够驱动n沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与微控制器(MCU)连接
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

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      ¥2.16
  • 有货
  • 特性:50V浮动高端驱动器,可在半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET。 1.5A源电流/2.0A灌电流输出能力。 内置自举二极管。 高端和低端驱动器具有欠压锁定功能。 典型延迟匹配为5ns。 典型传播延迟为20ns。应用:DC-DC转换器。 电机控制
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    • 1+

      ¥4.6176 ¥5.92
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      ¥3.9372 ¥5.79
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      ¥3.306 ¥5.7
    • 100+

      ¥3.2596 ¥5.62
  • 有货
  • ZXGD3105N8同步控制器专为驱动MOSFET作为理想整流器而设计。此举旨在取代二极管,以提高功率传输效率。比例栅极驱动控制会监测MOSFET的反向电压,这样一来,一旦发生体二极管导通,就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

      ¥4.05
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