美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZXGD3009DYTA 编号：C441818

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009DY是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达1A的峰值源极/漏极电流，以对容性负载进行有效充放电。该栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

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￥1.3036
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￥1.0497
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￥0.9409
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￥0.8052
3000+
￥0.6882
6000+
￥0.6519

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型号：DGD0506AFN-7 编号：C460680

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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￥4.26
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￥3.4
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￥2.97
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￥2.55
500+
￥2.29
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￥2.16

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型号：DGD21904MS14-13 编号：C526567

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD21904M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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￥3.13
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￥2.4
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￥2.04
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￥1.68
500+
￥1.47
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￥1.35

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型号：ZXGD3006E6TA 编号：C526792

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器，用于驱动IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET进行开关操作。它能够向栅极提供高达10A的峰值源极/漏极电流，以对大容性负载进行有效充放电。ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流，而控制器只需提供1mA的输入电流

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￥3.07
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￥2.42
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￥2.14
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￥1.79
500+
￥1.57
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￥1.47

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型号：DGD2106MS8-13 编号：C2677310

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2106M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以高端/低端配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2106M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2106M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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￥3.16
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￥2.85
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￥2.69
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￥2.4
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￥2.31
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型号：DGD05473FNQ-7 编号：C2677131

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

DIODES公司的DGD05473FNQ是一款高频栅极驱动器，能够驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473FNQ的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）接口

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￥4.3
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￥3.42
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￥2.99
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￥2.55
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￥2.29
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型号：APR346K6TR-G1 编号：C2650178

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

APR346 是一款用于同步整流的次级侧 MOSFET 驱动器，支持连续导通模式（CCM）、不连续导通模式（DCM）和准谐振反激拓扑。同步整流可有效降低次级侧整流器的功耗，并提供高性能解决方案。通过检测初级 MOSFET 的栅源电压，APR346 只需较少的外部元件即可输出理想的驱动信号

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￥1.7458 ￥2.03
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￥1.4516 ￥1.91
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￥1.292 ￥1.7
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￥1.2616 ￥1.66

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型号：ZXGD3003E6TA 编号：C90743

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

特性：高速、非反相单栅极驱动器，用于开关MOSFET或IGBT。可向栅极传输高达5A的峰值源/灌电流，以有效对电容性栅极负载进行充电和放电。确保MOSFET快速开关，以最大限度减少高电流开关应用中的功率损耗和失真。通常只需来自控制器的10mA输入，即可向低栅极阻抗驱动1.5A电流。应用：功率MOSFET和IGBT的栅极驱动: -AC-DC电源（SMPS）。 -DC-DC转换器

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￥3.16
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￥2.45
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￥2.15
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型号：AP74700QW6-7 编号：C5381661

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM AP74700G是一款符合汽车应用标准的理想二极管MOSFET控制器，当与合适的外部N沟道功率MOSFET配合使用时，它能在单向电源路径以及反向电压情况下提供正向压降仅20mV的低损耗整流器。AP74700Q支持3.2V至65V的宽输入工作范围，可控制多种常见的直流母线电压，如12V、24V或更高电压的汽车电池系统。支持3.2V输入电压满足汽车系统在严重冷启动时的需求

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￥3.23
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￥2.58
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￥2.25
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￥1.93

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型号：ZXGD3009E6TA 编号：C156293

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009E6是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达2A的峰值源极/灌电流，以对容性负载进行有效充放电。这款栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

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5+
￥1.5601
50+
￥1.2258
150+
￥1.0826
500+
￥0.9038

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型号：PAM8016AKR 编号：C581340

封装：UFLGA-9

品牌：DIODES(美台)

PAM8016是一款触觉驱动器，具有低延迟、高效率和更强驱动能力的特点，能够驱动线性谐振致动器（LRA）和偏心旋转质量块（ERM）触觉元件，这些元件常用于便携式市场的触觉反馈。PAM8016支持差分、单端或PWM输入等灵活输入方式，方便主微控制器驱动触觉元件。PAM8016采用无滤波器架构设计，无需外部输出滤波器，所需外部元件更少，PCB面积更小，系统成本更低，并且简化了应用设计

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5+
￥0.99331 ￥1.1686
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￥0.7719 ￥1.0292
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￥0.63011 ￥0.9694
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￥0.581685 ￥0.8949
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￥0.560105 ￥0.8617
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￥0.547105 ￥0.8417

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型号：DGD0211CWT-7 编号：C2983695

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

DGD0211C单通道高速/低端MOSFET和IGBT驱动器能够驱动1.9A的峰值电流。DGD0211C的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接。DGD0211C提供同相和反相输入

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3000+
￥1.81929
6000+
￥1.8029
9000+
￥1.77012

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型号：ZXGD3004E6TA 编号：C155315

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3004E6是一款高速、同相单栅极驱动器，专为开关MOSFET或IGBT而设计。它能够向栅极提供高达8A的峰值源极/灌电流，以对容性栅极负载进行有效充放电。该栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

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1+
￥3.31
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￥2.72
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￥2.47
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￥2.16
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￥2.02
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￥1.93

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型号：ZXGD3105N8TC 编号：C177100

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3105N8同步控制器专为驱动MOSFET作为理想整流器而设计。此举旨在取代二极管，以提高功率传输效率。比例栅极驱动控制会监测MOSFET的反向电压，这样一来，一旦发生体二极管导通，就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压

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￥4.365 ￥4.85
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￥3.24 ￥4.05
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￥2.555 ￥3.65
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￥2.282 ￥3.26
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￥2.114 ￥3.02
1000+
￥2.03 ￥2.9

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型号：ZXGD3005E6TA 编号：C177098

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3005E6是一款高速同相单栅极驱动器，能够在最高25V的电源电压下，向MOSFET或IGBT的栅极电容性负载提供高达10A的驱动电流。其传播延迟时间低至<10ns，相应的上升/下降时间<20ns。该栅极驱动器可确保MOSFET或IGBT快速开关，以最大限度减少大电流开关应用中的功率损耗和失真

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