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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
型号：AO4407 编号：C5224298
封装：SOP8
品牌：ElecSuper(静芯)
P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
数据手册

  • 5+

    ￥0.6482

  • 50+

    ￥0.5483

  • 150+

    ￥0.4984

  • 500+

    ￥0.461

  • 3000+

    ￥0.431

  • 6000+

    ￥0.416
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：SI2310A 编号：C347492
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=60V。 I=3A。 RDS(ON)<80mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<95mΩ(VGS=4.5V)。应用：负载电源开关。 接口
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2138

    • 200+

      ￥0.1634

    • 600+

      ￥0.1354

    • 3000+

      ￥0.1174

    • 9000+

      ￥0.1029

    • 21000+

      ￥0.095
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3404A 编号：C347497
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS = 30V。 ID = 5.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 18mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 24mΩ（典型值）@VGS = 10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2242

    • 200+

      ￥0.1735

    • 600+

      ￥0.1454

    • 3000+

      ￥0.1285

    • 9000+

      ￥0.1138

    • 21000+

      ￥0.1059
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A
    型号：IRLML6402TR(UMW) 编号：C347504
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.226

    • 200+

      ￥0.1725

    • 600+

      ￥0.1428

    • 3000+

      ￥0.1246

    • 9000+

      ￥0.1092

    • 21000+

      ￥0.1009
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
    型号：DMG1012T 编号：C2830301
    封装：SOT-523
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.232

    • 200+

      ￥0.1805

    • 600+

      ￥0.1519

    • 3000+

      ￥0.1348

    • 9000+

      ￥0.1199

    • 21000+

      ￥0.1119
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：AO3416A 编号：C347499
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至1.8V的栅极电压下工作。 适用于负载开关或PWM应用。 具备ESD保护。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 33mΩ(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 51mΩ(VGS = 1.8V)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2569

    • 200+

      ￥0.1985

    • 600+

      ￥0.1661

    • 3000+

      ￥0.1362

    • 9000+

      ￥0.1193

    • 21000+

      ￥0.1102
  • 有货
    • 立即购买
    HL2319
    型号：HL2319 编号：C51953131
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 10+

      ￥0.3775

    • 100+

      ￥0.3007

    • 300+

      ￥0.2623

    • 3000+

      ￥0.2335

    • 6000+

      ￥0.2104

    • 9000+

      ￥0.1989
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:4.1A
    型号：SI2323DS 编号：C5182044
    封装：SOT-23-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5187

    • 50+

      ￥0.4039

    • 150+

      ￥0.3465

    • 500+

      ￥0.3034

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      ￥0.2565

    • 6000+

      ￥0.2393
  • 有货
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    2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
    型号：APM4953(UMW) 编号：C5185739
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=-30V，ID =-5.3A（VGS = 10V）。 RDS(ON)<41mΩ（VGS =-10V）。 RDS(ON)<75mΩ（VGS =-4.5V）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5525

    • 50+

      ￥0.4348

    • 150+

      ￥0.376

    • 500+

      ￥0.3319

    • 3000+

      ￥0.2673

    • 6000+

      ￥0.2497
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
    型号：AO3407A 编号：C15155
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-4.3A,48mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5595

    • 50+

      ￥0.4494

    • 150+

      ￥0.3927

    • 500+

      ￥0.3461

    • 3000+

      ￥0.2916

    • 6000+

      ￥0.2806
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：MDD50N03D 编号：C5357578
    封装：TO-252
    品牌：MDD(辰达半导体)
    应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册

    • 20+

      ￥0.5742

    • 200+

      ￥0.4622

    • 600+

      ￥0.4062

    • 2500+

      ￥0.3565

    • 10000+

      ￥0.3229

    • 20000+

      ￥0.306
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：AO4406A 编号：C2944312
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 栅极电压低至4.5V时可工作。 VDS = 30V。 ID = 12A。 RDS(ON) < 13mΩ（VGS = 10V）。应用：电池保护。 其他开关应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6433

    • 50+

      ￥0.5113

    • 150+

      ￥0.4453

    • 500+

      ￥0.3958

    • 3000+

      ￥0.2999

    • 6000+

      ￥0.28
  • 有货
    • 立即购买
    HB04N150S
    型号：HB04N150S 编号：C49256776
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥0.7007

    • 50+

      ￥0.5581

    • 150+

      ￥0.4868

    • 500+

      ￥0.4334

    • 2500+

      ￥0.3906

    • 5000+

      ￥0.3692
  • 有货
    • 立即购买
    HB04N090S
    型号：HB04N090S 编号：C49423996
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥0.8591

    • 50+

      ￥0.6843

    • 150+

      ￥0.5969

    • 500+

      ￥0.5313

    • 2500+

      ￥0.4789

    • 5000+

      ￥0.4527
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：NCE6050KA 编号：C96013
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    N沟道MOSFET. VDS=60V, ID=50A. 导通电阻<20mR
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4731

    • 50+

      ￥1.1958

    • 150+

      ￥1.0769

    • 500+

      ￥0.9286

    • 2500+

      ￥0.8625

    • 5000+

      ￥0.8229
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
    型号：HT03P700S 编号：C49066900
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30V。 IO = -6A。 RDS(on)@VGS = -10V < 48mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 80mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥1.8437

    • 50+

      ￥1.4783

    • 150+

      ￥1.3217

    • 500+

      ￥1.1264

    • 2500+

      ￥1.0394

    • 5000+

      ￥0.9871
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：HT10N2H8S 编号：C49066911
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 100V。 ID = 3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 200mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路

    • 5+

      ￥1.9348

    • 50+

      ￥1.5326

    • 150+

      ￥1.3602

    • 500+

      ￥1.1452

    • 2500+

      ￥1.0494

    • 5000+

      ￥0.9919
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:9A
    型号：HT04N200S 编号：C49066901
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 40V。ID = 9A。RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

    • 5+

      ￥2.2863

    • 50+

      ￥1.8111

    • 150+

      ￥1.6074

    • 500+

      ￥1.3532

    • 2500+

      ￥1.2401

    • 5000+

      ￥1.1722
  • 有货
    • 立即购买
    100V 10A
    型号：HT10N550S 编号：C49424006
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 100 V。ID = 10 A。RDS(on)@VGS = 10 V < 30 mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。快速开关速度。应用：电信/服务器。DC/DC初级侧开关

    • 5+

      ￥2.3639

    • 50+

      ￥1.8725

    • 150+

      ￥1.6619

    • 500+

      ￥1.3992

    • 2500+

      ￥1.2822

    • 5000+

      ￥1.212
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:8A
    型号：HT06P460S 编号：C49066909
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -60V。 I₀ = -8A。 RDS(on)@VGS = -10V < 46mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 52mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低Rdson的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

    • 1+

      ￥2.75

    • 10+

      ￥2.18

    • 30+

      ￥1.93

    • 100+

      ￥1.63

    • 500+

      ￥1.49

    • 1000+

      ￥1.41
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:70A
    型号：CJAC70P06 编号：C2898279
    封装：PDFNWB-8L-EP(5x6)
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    CJAC70P06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.8

    • 10+

      ￥3.25

    • 30+

      ￥2.87

    • 100+

      ￥2.55

    • 500+

      ￥2.32

    • 1000+

      ￥2.25
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
    型号：IRFP250MPBF 编号：C2676
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.52

    • 10+

      ￥3.88

    • 25+

      ￥3.11

    • 100+

      ￥2.74

    • 400+

      ￥2.62

    • 800+

      ￥2.55
  • 有货
    • 立即购买
    HK12N030SG
    型号：HK12N030SG 编号：C52204671
    封装：TOLL-8
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 1+

      ￥9.69

    • 10+

      ￥8.07

    • 30+

      ￥7.18

    • 100+

      ￥6.17

    • 500+

      ￥5.73

    • 1000+

      ￥5.52
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:65A
    型号：IRFP4227PBF 编号：C2690
    封装：TO-247AC
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,65A,25mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥10.81

    • 10+

      ￥9.21

    • 25+

      ￥8.2

    • 100+

      ￥7.17

    • 500+

      ￥6.71

    • 1000+

      ￥6.5
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:171A
    型号：IRFP4568PBF 编号：C2920
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,150V,171A,5.9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥13.03

    • 10+

      ￥11.66

    • 25+

      ￥9.71

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      ￥8.83

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      ￥8.42

    • 1000+

      ￥8.25
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V
    型号：2N7002K 编号：C916397
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册

    • 50+

      ￥0.05697 ￥0.0633

    • 500+

      ￥0.04482 ￥0.0498

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      ￥0.03852 ￥0.0428

    • 6000+

      ￥0.03447 ￥0.0383

    • 24000+

      ￥0.03096 ￥0.0344

    • 45000+

      ￥0.02898 ￥0.0322
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:3.3A
    型号：SI2302 编号：C20628873
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    小体积

    • 50+

      ￥0.0603 ￥0.067

    • 500+

      ￥0.04617 ￥0.0513

    • 3000+

      ￥0.04356 ￥0.0484

    • 6000+

      ￥0.03888 ￥0.0432

    • 24000+

      ￥0.03483 ￥0.0387

    • 51000+

      ￥0.03258 ￥0.0362
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    N沟道 MOSFET,电流:4A,耐压:20V
    型号：SI2300 编号：C5224175
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1192

    • 200+

      ￥0.1087

    • 600+

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    • 3000+

      ￥0.0798

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      ￥0.0768

    • 21000+

      ￥0.0751
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：AO3402 编号：C2874692
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.14736 ￥0.1842

    • 200+

      ￥0.11776 ￥0.1472

    • 600+

      ￥0.10136 ￥0.1267

    • 3000+

      ￥0.0832 ￥0.104

    • 9000+

      ￥0.07464 ￥0.0933

    • 21000+

      ￥0.07 ￥0.0875
  • 有货
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    N沟道,电流:5.8A,耐压:30V
    型号：AO3400A 编号：C5224194
    封装：SOT23-3L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册

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      ￥0.1501

    • 200+

      ￥0.1258

    • 600+

      ￥0.1123

    • 3000+

      ￥0.1042

    • 9000+

      ￥0.0971

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