mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AO3400-ED 编号：C4748722

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达3A。具备低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各种电子设备的负载切换与高效功率控制场景。

数据手册

50+
￥0.1207
500+
￥0.0994
3000+
￥0.0761
6000+
￥0.069
24000+
￥0.0628
51000+
￥0.0595

有货

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型号：SI2302S 编号：C22463594

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:20V 电流:2.1A适用于电源开关和信号控制

50+
￥0.058225 ￥0.0685
500+
￥0.04539 ￥0.0534
3000+
￥0.03825 ￥0.045
6000+
￥0.034 ￥0.04
30000+
￥0.03026 ￥0.0356
45000+
￥0.02822 ￥0.0332

有货

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型号：BSS123 编号：C427379

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

50+
￥0.096288 ￥0.1003
500+
￥0.077664 ￥0.0809
3000+
￥0.064224 ￥0.0669
6000+
￥0.057984 ￥0.0604
24000+
￥0.052608 ￥0.0548
51000+
￥0.049632 ￥0.0517

有货

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型号：SI2300A 编号：C347480

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：V(BR)DSS = 20V。 Ip = 6A。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 34mΩ(VGS = 2.5V)。 TrenchFET Power MOSFET。应用：电池保护。负载开关

数据手册

20+
￥0.1367
200+
￥0.1051
600+
￥0.0876
3000+
￥0.0737
9000+
￥0.0646
21000+
￥0.0597

有货

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型号：SI2301 编号：C181086

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：RDS(ON) ≤ 85mΩ @ VGS =-4.5V, ID =-3.0A 。 RDS(ON) ≤ 115mΩ @ VGS =-2.5V, ID =-1.0A 。低导通电阻。适用于低功率 DC-DC 转换器和负载开关应用。表面贴装器件

数据手册

20+
￥0.149245 ￥0.1571
200+
￥0.11799 ￥0.1242
600+
￥0.100605 ￥0.1059
3000+
￥0.09595 ￥0.101
9000+
￥0.086925 ￥0.0915
21000+
￥0.08208 ￥0.0864

有货

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型号：AO3400 编号：C5224189

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.164
200+
￥0.1397
600+
￥0.1262
3000+
￥0.1118
9000+
￥0.1047
21000+
￥0.1009

有货

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型号：HL2312 编号：C28646272

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 20V。 ID = 5.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

20+
￥0.1823
200+
￥0.1399
600+
￥0.1163
3000+
￥0.1022
9000+
￥0.0899
21000+
￥0.0833

有货

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型号：MDD3401 编号：C427383

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

20+
￥0.202
200+
￥0.1854
600+
￥0.1762
3000+
￥0.1074
9000+
￥0.1026
21000+
￥0.1

有货

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型号：SI2305 编号：C181088

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：高密集单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。坚固可靠。外壳材料：模塑塑料

数据手册

20+
￥0.232465 ￥0.2447
200+
￥0.1843 ￥0.194
600+
￥0.15751 ￥0.1658
3000+
￥0.1387 ￥0.146
9000+
￥0.12483 ￥0.1314
21000+
￥0.117325 ￥0.1235

有货

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型号：SI2309A 编号：C2681220

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = -1.25A(VGS = -10V)。 RDS(ON)<340mΩ(VGS=-10V)。 RDS(ON)<550mΩ(VGS=-4.5V)。应用：负载功率开关。接口

数据手册

10+
￥0.2504
100+
￥0.1964
300+
￥0.1694
3000+
￥0.1389
6000+
￥0.1227
9000+
￥0.1146

有货

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型号：8205A 编号：C5148694

封装：TSSOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款消费级MOSFET采用TSSOP-8封装，集成双N沟道设计，额定电压20V，可承载6A连续电流。专为紧凑型、高能效电源开关及转换应用打造，适用于各类消费电子产品，提供出色的系统性能与稳定性表现。

数据手册

10+
￥0.33696 ￥0.3744
100+
￥0.28449 ￥0.3161
300+
￥0.25821 ￥0.2869
1000+
￥0.2385 ￥0.265
5000+
￥0.17451 ￥0.1939
10000+
￥0.16659 ￥0.1851

有货

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型号：AO3400A 编号：C344010

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23

数据手册

10+
￥0.3678
100+
￥0.303
300+
￥0.2706
3000+
￥0.1839
6000+
￥0.1645
9000+
￥0.1547

有货

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型号：BSS138BK,215 编号：C282529

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N-沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装

数据手册

5+
￥0.5878
50+
￥0.4668
150+
￥0.4064
500+
￥0.361
3000+
￥0.3167
6000+
￥0.2985

有货

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型号：MS50N06 编号：C2902884

封装：TO-252-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.71098 ￥0.7484
50+
￥0.572755 ￥0.6029
150+
￥0.50369 ￥0.5302
500+
￥0.45182 ￥0.4756
2500+
￥0.39539 ￥0.4162
5000+
￥0.37468 ￥0.3944

有货

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型号：HB03N060S 编号：C48971737

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 ID = 70A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 9mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电池保护。负载开关

5+
￥0.89
50+
￥0.7089
150+
￥0.6184
500+
￥0.5505
2500+
￥0.4962
5000+
￥0.469

有货

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型号：IRF530NPBF 编号：C2565

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,17A,90mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.0442
50+
￥1.5552
150+
￥1.3341
500+
￥1.1368
2000+
￥1.0826
5000+
￥1.05

有货

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型号：WSP4805 编号：C148416

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP4805是一款高性能沟槽式双P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4805符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.2361
10+
￥1.8066
30+
￥1.6225
100+
￥1.3928
500+
￥1.2905
1000+
￥1.0289

有货

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型号：HT03P250S 编号：C49066899

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -30V。 ID = -15A。 RDS(on)@VGS = -10V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.2863
50+
￥1.8111
150+
￥1.6074
500+
￥1.3532
2500+
￥1.2401
5000+
￥1.1722

有货

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型号：BSC028N06NS 编号：C148250

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.19
10+
￥5.42
30+
￥4.68
100+
￥4.14
500+
￥3.92
1000+
￥3.8

有货

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型号：2N7002-HXY 编号：C4748728

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管，适用于精确控制小电流的电子设备。其参数为：最大电流0.3A，耐压60V，内阻典型值1000mR，栅源极电压VGS为20V。适用于电源管理、信号放大等应用，确保电路稳定高效。

数据手册

20+
￥0.06204 ￥0.0705
200+
￥0.050688 ￥0.0576
600+
￥0.04444 ￥0.0505
3000+
￥0.035112 ￥0.0399
9000+
￥0.031768 ￥0.0361
21000+
￥0.030008 ￥0.0341

有货

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型号：2N7002K 编号：C2910165

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(on)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

50+
￥0.1013
500+
￥0.0807
3000+
￥0.0678
6000+
￥0.061
24000+
￥0.055
51000+
￥0.0518

有货

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型号：MDD2301 编号：C427391

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

20+
￥0.1166
200+
￥0.106
600+
￥0.1002
3000+
￥0.0624
9000+
￥0.0594
21000+
￥0.0578

有货

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型号：BSS123 编号：C79015

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V

数据手册

50+
￥0.1191
500+
￥0.0948
3000+
￥0.0807
6000+
￥0.0726
24000+
￥0.0656
51000+
￥0.0618

有货

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型号：MDD2302 编号：C427390

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

20+
￥0.1264
200+
￥0.1156
600+
￥0.1097
3000+
￥0.0621
9000+
￥0.059
21000+
￥0.0573

有货

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型号：BSS138 编号：C112239

封装：SOT-23

品牌：SHIKUES(时科)

N沟道，60V，0.2A，RDS(on) = 3.5Ω@5V

数据手册

20+
￥0.13813 ￥0.1454
200+
￥0.111625 ￥0.1175
600+
￥0.096995 ￥0.1021
3000+
￥0.07125 ￥0.075
9000+
￥0.063555 ￥0.0669
21000+
￥0.05947 ￥0.0626

有货

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型号：AO3400 编号：C5296723

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。

数据手册

20+
￥0.17864 ￥0.2233
200+
￥0.1376 ￥0.172
600+
￥0.1148 ￥0.1435
3000+
￥0.1072 ￥0.134
9000+
￥0.09536 ￥0.1192
21000+
￥0.08896 ￥0.1112

有货

立即购买

型号：AO3401A 编号：C2938368

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个P沟道耐压:30V 电流:4.2A适用于电源开关和信号控制

数据手册

20+
￥0.193545 ￥0.2277
200+
￥0.156825 ￥0.1845
600+
￥0.136425 ￥0.1605
3000+
￥0.104635 ￥0.1231
9000+
￥0.09401 ￥0.1106
30000+
￥0.088315 ￥0.1039

有货

立即购买

型号：SI2302 编号：C344009

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,N-channel 20V/10V 4A VGS(th)=0.9V 30mΩ@3A&4.5V,SOT-23

数据手册

20+
￥0.2009
200+
￥0.1604
600+
￥0.1379
3000+
￥0.1116
9000+
￥0.0999
21000+
￥0.0936

有货

立即购买

型号：SI2310 编号：C2938374

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:60V 电流:3A适用于电源开关和信号控制

数据手册

20+
￥0.20277 ￥0.2253
200+
￥0.16398 ￥0.1822
600+
￥0.14238 ￥0.1582
3000+
￥0.11178 ￥0.1242
9000+
￥0.10053 ￥0.1117
30000+
￥0.0945 ￥0.105

有货

立即购买

型号：MDD3400 编号：C427382

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

20+
￥0.2034
200+
￥0.1659
600+
￥0.1451
3000+
￥0.1059
9000+
￥0.095
21000+
￥0.0892

有货

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