mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.8003
50+
￥1.3011
150+
￥1.1168
500+
￥0.9523
2500+
￥0.9072
5000+
￥0.88

有货

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型号：IRFP250NPBF 编号：C2580

封装：TO-247AC

N沟道,200V,30A,75mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.54
10+
￥4.83
25+
￥3.52
100+
￥3.11
400+
￥2.98
800+
￥2.9

有货

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型号：AO3401-ED 编号：C4748724

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性，应用于充电器、电源转换等场合，提供高效能、稳定可靠的功率控制方案，是各类电子设备的理想选择。

数据手册

50+
￥0.1214
500+
￥0.0979
3000+
￥0.0753
6000+
￥0.0675
24000+
￥0.0607
51000+
￥0.0571

有货

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型号：SI2301A 编号：C347482

封装：SOT-23

特性：VDS(V)-20V，Ip = -2.8A。 RDS(ON)<0.112Ω(VGS = -4.5V)。 RDS(ON)<0.142Ω(VGS = -2.5V)。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

20+
￥0.1342
200+
￥0.1024
600+
￥0.0847
3000+
￥0.0741
9000+
￥0.065
21000+
￥0.06

有货

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型号：AO3400-HXY 编号：C4748804

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压30V，可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

50+
￥0.1359
500+
￥0.1106
3000+
￥0.0865
6000+
￥0.0781
24000+
￥0.0708
51000+
￥0.0669

有货

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型号：AO3400 编号：C20628874

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

小体积

20+
￥0.1431
200+
￥0.1118
600+
￥0.0944
3000+
￥0.0828
9000+
￥0.0737
21000+
￥0.0689

有货

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型号：AO3402 编号：C2938369

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:30V 电流:4A适用于电源开关和信号控制

数据手册

20+
￥0.151715 ￥0.1597
200+
￥0.120935 ￥0.1273
600+
￥0.103835 ￥0.1093
3000+
￥0.08493 ￥0.0894
9000+
￥0.076095 ￥0.0801
30000+
￥0.07125 ￥0.075

有货

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型号：CJ3401 编号：C13799

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道,-30V,-4.2A,65mΩ@-10V

数据手册

20+
￥0.1916
200+
￥0.1561
600+
￥0.1363
3000+
￥0.1244
9000+
￥0.1141
21000+
￥0.1086

有货

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型号：HL2307 编号：C28646274

封装：SOT-23

特性：VDS =-30V。 ID =-2.6A。 RDS(on)@VGS =-10V < 90mΩ。 RDS(on)@VGS =-4.5V < 150mΩ。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

20+
￥0.2112
200+
￥0.1662
600+
￥0.1412
3000+
￥0.1263
9000+
￥0.1133
21000+
￥0.1062

有货

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型号：AO3407A 编号：C347478

封装：SOT-23

采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用。

数据手册

20+
￥0.2266
200+
￥0.1735
600+
￥0.144
3000+
￥0.1237
9000+
￥0.1083
21000+
￥0.1001

有货

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型号：AO3407 编号：C181093

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用

数据手册

10+
￥0.233225 ￥0.2455
100+
￥0.18544 ￥0.1952
300+
￥0.161595 ￥0.1701
3000+
￥0.15067 ￥0.1586
6000+
￥0.136325 ￥0.1435
9000+
￥0.1292 ￥0.136

有货

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型号：SI2318A 编号：C2681218

封装：SOT-23

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 40V。 ID = 5.6A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 36mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 46mΩ (VGS = 4.5V)

数据手册

20+
￥0.2357
200+
￥0.1825
600+
￥0.1529
3000+
￥0.124
9000+
￥0.1086
21000+
￥0.1004

有货

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型号：5N10-MS 编号：C5140036

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

5N10-MS是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。5N10-MS符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

10+
￥0.24738 ￥0.2604
100+
￥0.20178 ￥0.2124
300+
￥0.17898 ￥0.1884
3000+
￥0.129485 ￥0.1363
6000+
￥0.115805 ￥0.1219
9000+
￥0.10887 ￥0.1146

有货

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型号：SI2308A 编号：C347491

封装：SOT-23

特性：VDS(V)=60V。 ID = 3A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 80mΩ (VGS = 10V), ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ (VGS = 4.5V), ID = 1.9A。应用：负载电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.2488
100+
￥0.1918
300+
￥0.1633
3000+
￥0.1414
6000+
￥0.1243
9000+
￥0.1157

有货

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型号：AO3415A 编号：C347479

封装：SOT-23

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。漏源击穿电压V(BR)DSS为 -20V。漏极电流ID为 -4A。最大导通电阻RDS(ON)：在 -4.5V时为36mΩ，在 -2.5V时为60mΩ。出色的导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册

20+
￥0.2573
200+
￥0.1989
600+
￥0.1665
3000+
￥0.1361
9000+
￥0.1192
21000+
￥0.1101

有货

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型号：HJ8205 编号：C20069150

封装：SOT-23-6L

特性：VDS = 20V。 I0 = 4.3A。 RDS(on)@VGS = 4.0V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 46mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。负载开关

10+
￥0.3128
100+
￥0.2494
300+
￥0.2177
3000+
￥0.187
6000+
￥0.168
9000+
￥0.1584

有货

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型号：FS8205A 编号：C2830320

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：沟槽功率技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行优化。应用：DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器

数据手册

10+
￥0.3381
100+
￥0.2537
300+
￥0.2115
3000+
￥0.2016
6000+
￥0.1763
9000+
￥0.1637

有货

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型号：HT304P880S 编号：C48971735

封装：SOT-23

10+
￥0.3775
100+
￥0.3007
300+
￥0.2623
3000+
￥0.2335
6000+
￥0.2104
9000+
￥0.1989

有货

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型号：HV04P440S 编号：C49256781

封装：SOT-89

特性：VDS = -40V。 ID = -6A。 RDS(on)@VGS = -10V < 40mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 58mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电池保护。负载开关

10+
￥0.4314
100+
￥0.3436
300+
￥0.2997
1000+
￥0.2668
5000+
￥0.2405
10000+
￥0.2273

有货

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型号：SI2309 编号：C431496

封装：SOT-23-3L

品牌：BORN(伯恩半导体)

先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计，实现超低导通电阻，采用SOT-23-3L表面贴装封装。

数据手册

10+
￥0.4471
100+
￥0.3679
300+
￥0.3283
3000+
￥0.2205
6000+
￥0.1967
9000+
￥0.1848

有货

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型号：2N7002BK,215 编号：C282405

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

10+
￥0.4485
100+
￥0.3525
300+
￥0.3045
3000+
￥0.2647
6000+
￥0.2359
9000+
￥0.2215

有货

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型号：Si2302CDS-T1-GE3 编号：C10488

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,20V,2.9A,57mΩ@4.5V

数据手册

10+
￥0.4787
100+
￥0.3982
300+
￥0.3569
3000+
￥0.29
6000+
￥0.2781
9000+
￥0.27

有货

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型号：BSS84AK,215 编号：C127273

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道，50V，180mA

数据手册

10+
￥0.4804
100+
￥0.3873
300+
￥0.3408
3000+
￥0.3058
6000+
￥0.2779
9000+
￥0.264

有货

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型号：IRF4905PBF 编号：C2564

封装：TO-220AB

P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V

数据手册

1+
￥3.44
10+
￥2.87
50+
￥2.55
100+
￥2.22
500+
￥2.12
1000+
￥2.05

有货

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型号：HYG009N04LS1C2 编号：C2890387

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HUAYI(华羿微)

40V/200A。RDS(ON) = 0.75mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 1.05mΩ（典型值）

数据手册

1+
￥4.15
10+
￥3.57
30+
￥3.16
100+
￥2.82
500+
￥2.15
1000+
￥2.09

有货

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型号：BSC070N10NS3G 编号：C501502

封装：TDSON-8(5x6)