mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI2301-ZE 编号：C5261052

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中，提供高效、精准的功率控制解决方案。

数据手册

100+
￥0.0845
1000+
￥0.0687
3000+
￥0.0508
9000+
￥0.0455
51000+
￥0.0409
99000+
￥0.0385

有货

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型号：FDV301N 编号：C20069151

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 25V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 4.0Ω。 RDS(on)@VGS = 2.7V < 5.0Ω。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

10+
￥0.267
100+
￥0.2139
300+
￥0.1874
3000+
￥0.155
6000+
￥0.1391
9000+
￥0.1311

有货

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型号：SI2309CDS-T1-GE3 编号：C10493

封装：SOT-23-3

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-60V,-1.6A,345mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.8389
50+
￥0.6853
150+
￥0.6063
500+
￥0.5412
3000+
￥0.5185
6000+
￥0.5031

有货

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型号：IRFB4110PBF 编号：C2650

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,180A,4.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.52
10+
￥4.79
50+
￥3.84
100+
￥3.42
600+
￥3.29
900+
￥3.2

有货

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型号：SP010N01BGHTO 编号：C22385350

封装：TOLL-8L

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

1+
￥5.567 ￥5.86
10+
￥4.883 ￥5.14
30+
￥4.2465 ￥4.47
100+
￥3.7715 ￥3.97
500+
￥3.7335 ￥3.93
1000+
￥3.6385 ￥3.83

有货

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型号：IRFP4468PBF 编号：C2919

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,290A,2.6mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.2
10+
￥8.09
25+
￥7.05
100+
￥6.28
500+
￥5.96
1000+
￥5.8

有货

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型号：IRFP4668PBF 编号：C2921

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,130A,9.7mΩ@10V

数据手册

1+
￥12.45
10+
￥11.2
25+
￥9.13
100+
￥8.33
500+
￥7.96
1000+
￥7.8

有货

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型号：JSM2301S 编号：C916399

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。

数据手册

50+
￥0.0578 ￥0.068
500+
￥0.04539 ￥0.0534
3000+
￥0.038505 ￥0.0453
6000+
￥0.03434 ￥0.0404
24000+
￥0.03077 ￥0.0362
45000+
￥0.028815 ￥0.0339

有货

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型号：2N7002K-7 编号：C85047

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

20+
￥0.225
200+
￥0.1799
600+
￥0.1599
3000+
￥0.1334
9000+
￥0.1274
21000+
￥0.1234

有货

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型号：HL2305 编号：C28646261

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -12V。 ID = -3.6A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 53mΩ。 Trench Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

10+
￥0.2439
100+
￥0.1925
300+
￥0.1668
3000+
￥0.1475
6000+
￥0.1321
9000+
￥0.1243

有货

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型号：BSS123LT1G 编号：C78755

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 170 mA，100 V，N 沟道 SOT-23

数据手册

20+
￥0.2612
200+
￥0.2048
600+
￥0.1798
3000+
￥0.1486
9000+
￥0.1411
21000+
￥0.136

有货

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型号：MDD3415 编号：C840839

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：优秀的导通电阻（RDS(ON)）。低栅极电荷。低栅极电压。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册

10+
￥0.273792 ￥0.2852
100+
￥0.229536 ￥0.2391
300+
￥0.206784 ￥0.2154
3000+
￥0.14784 ￥0.154
6000+
￥0.141312 ￥0.1472
9000+
￥0.1368 ￥0.1425

有货

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型号：AOD4185 编号：C400894

封装：TO-252(DPAK)

品牌：AOS

P沟道 -40V -40A

数据手册

5+
￥2.2502
50+
￥1.7596
150+
￥1.5201
500+
￥1.3065
2500+
￥1.082
5000+
￥1.0467

有货

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型号：IRFB3607PBF 编号：C2647

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,80A,9mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.33
10+
￥1.81
50+
￥1.51
100+
￥1.28
500+
￥1.22
1000+
￥1.18

有货

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型号：AOD409 编号：C36220

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：AOS

P沟道,-60V,-26A,55mΩ@-4.5V

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.39
30+
￥2.11
100+
￥1.85
500+
￥1.59
1000+
￥1.55

有货

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型号：IRF3710PBF 编号：C2562

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.07
10+
￥2.37
50+
￥2.04
100+
￥1.74
500+
￥1.66
1000+
￥1.6

有货

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型号：BSC070N10NS5 编号：C534364

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.53
10+
￥3.02
30+
￥2.66
100+
￥2.03
500+
￥1.94
1000+
￥1.88

有货

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型号：IRF540NSTRLPBF 编号：C23982

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.04
10+
￥4.33
30+
￥3.83
100+
￥3.41
500+
￥3.28
800+
￥3.2

有货

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型号：IRFP460PBF 编号：C2595

封装：TO-247AC-3

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,500V,20A,270mΩ@10V

数据手册

1+
￥12
10+
￥10.57
25+
￥9.56
100+
￥8.64
500+
￥8.22
1000+
￥8.05

有货

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型号：2N7002K 编号：C3008053

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

数据手册

50+
￥0.05976 ￥0.0664
500+
￥0.04617 ￥0.0513
3000+
￥0.03969 ￥0.0441
6000+
￥0.03519 ￥0.0391
24000+
￥0.03123 ￥0.0347
51000+
￥0.02916 ￥0.0324

有货

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型号：SI2302-HXY 编号：C4748714

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管，适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V，确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。

数据手册

100+
￥0.0871
1000+
￥0.071
3000+
￥0.0552
9000+
￥0.0498
51000+
￥0.0452
99000+
￥0.0427

有货

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型号：SI2301-A1SHB 编号：C28642376

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。

50+
￥0.088445 ￥0.0931
500+
￥0.068115 ￥0.0717
3000+
￥0.05909 ￥0.0622
6000+
￥0.052345 ￥0.0551
24000+
￥0.046455 ￥0.0489
51000+
￥0.04332 ￥0.0456

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型号：SI2302A 编号：C347483

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 45mΩ (VGS = 4.5V)，ID = 3.6A。 RDS(ON) = 60mΩ (VGS = 2.5V)，ID = 3.1A。应用：电池保护。其他开关应用

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