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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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特性:VDS = 40V。 ID = 25A。 RDS(on)@VGS = 10V < 14mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。 负载开关
  • 5+

    ¥0.6606
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    ¥0.5262
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    ¥0.3682
  • 5000+

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    • 2500+

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    • 150+

      ¥0.7594
    • 500+

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      ¥0.5538
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  • 特性:VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.2mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。 电源管理
    • 5+

      ¥1.2123
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    • 150+

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    • 2500+

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  • 有货
  • 特性:VDS = -40V。 ID = -13A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 15mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 22mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路
    • 5+

      ¥2.1336
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    • 2500+

      ¥1.1572
    • 4000+

      ¥1.0939
  • 有货
  • 特性:N MOS:VDS = 40V。ID = 8A。RDS(on)(Q) VGS = 10V < 21mΩ。RDS(on)(Q) VGS = 4.5V < 32mΩ。P MOS:VDS = -40V。ID = -6A。应用:电源开关应用。低电压应用
    • 5+

      ¥2.1821
    • 50+

      ¥1.7285
    • 150+

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    • 2500+

      ¥1.1835
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      ¥1.1187
  • 有货
  • 特性:VDS = -100 V。 ID = -30 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 54 mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。 改善的dv/dt能力,高耐用性。应用:功率开关应用。 负载开关
    • 1+

      ¥3.13
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  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -4.2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 65mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 75mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 90mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。应用:电池保护。 负载开关
    • 10+

      ¥0.2389
    • 100+

      ¥0.1973
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    • 3000+

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    • 6000+

      ¥0.1483
    • 9000+

      ¥0.1421
  • 有货
  • 特性:VDS = 20V。 I0 = 4.3A。 RDS(on)@VGS = 4.0V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 46mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 负载开关
    • 10+

      ¥0.3128
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      ¥0.2494
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      ¥0.187
    • 6000+

      ¥0.168
    • 9000+

      ¥0.1584
  • 有货
  • 特性:VDS = 40V。ID = 40A。RDS(on)@VGS = 10V < 8.5mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 12mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。负载开关
    • 5+

      ¥0.7785
    • 50+

      ¥0.6201
    • 150+

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    • 500+

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    • 2500+

      ¥0.434
    • 5000+

      ¥0.4102
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 70A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 9mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥0.8819
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      ¥0.7025
    • 150+

      ¥0.6128
    • 500+

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    • 2500+

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    • 5000+

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  • 有货
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    • 500+

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    • 5000+

      ¥0.5594
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -5A。 RDS(on)@VGS = -10V < 60mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 90mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 先进的高单元密度沟槽技术。应用:负载开关。 电池保护应用
    • 5+

      ¥1.382
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    • 500+

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    • 2500+

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    • 2500+

      ¥0.8679
    • 5000+

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  • 有货
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      ¥1.6972
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    • 150+

      ¥1.1932
    • 500+

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    • 2500+

      ¥0.9205
    • 5000+

      ¥0.8701
  • 有货
  • 特性:VDS = -30 V。ID = -25 A。RDS(on)@VGS = -10 V < 16 mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5V < 31 mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用:电源开关应用。负载开关
    • 5+

      ¥1.9275
    • 50+

      ¥1.5268
    • 150+

      ¥1.3551
    • 500+

      ¥1.1409
    • 2500+

      ¥1.0455
    • 5000+

      ¥0.9882
  • 有货
  • 特性:VDS = -60V。 ID = -2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 170mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥1.9348
    • 50+

      ¥1.5326
    • 150+

      ¥1.3602
    • 500+

      ¥1.1452
    • 2500+

      ¥1.0494
    • 5000+

      ¥0.9919
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 18A。 RDS(on) @ VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on) @ VGS = 4.5V < 8.5mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:功率开关应用。 硬开关和高频电路
    • 5+

      ¥1.9396
    • 50+

      ¥1.5364
    • 150+

      ¥1.3636
    • 500+

      ¥1.148
    • 2500+

      ¥1.052
    • 4000+

      ¥0.9944
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -40A。 RDS(on)@VGS = -10V < 18mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 30mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:DC-DC转换器。 负载开关
    • 5+

      ¥2.0609
    • 50+

      ¥1.6325
    • 150+

      ¥1.4489
    • 500+

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    • 2500+

      ¥1.1178
    • 5000+

      ¥1.0566
  • 有货
  • 特性:VDS = 60 V。ID = 20 A。RDS(on)@VGS = 10 V < 29 mΩ。高密度单元设计,实现超低导通电阻。电压控制小信号开关。快速开关速度。应用:功率开关应用。硬开关和高频电路
    • 1+

      ¥2.67
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.37
  • 有货
    • 1+

      ¥2.67
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.37
  • 有货
    • 1+

      ¥3.71
    • 10+

      ¥3.01
    • 30+

      ¥2.66
    • 100+

      ¥2.32
    • 500+

      ¥2.11
    • 1000+

      ¥2
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 5mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。应用:功率开关应用。 硬开关和高频电路
    • 1+

      ¥4.35
    • 10+

      ¥3.53
    • 30+

      ¥3.12
    • 100+

      ¥2.71
    • 500+

      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.35
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 I0 = 2.5A。 RDS(on)@VGS = 10V < 50mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 58mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 20+

      ¥0.2273
    • 200+

      ¥0.1764
    • 600+

      ¥0.1481
    • 3000+

      ¥0.1311
    • 9000+

      ¥0.1164
    • 21000+

      ¥0.1085
  • 有货
  • 特性:VDS = -20V。 I0 = -5.6A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 10+

      ¥0.2447
    • 100+

      ¥0.1939
    • 300+

      ¥0.1685
    • 3000+

      ¥0.1494
    • 6000+

      ¥0.1342
    • 9000+

      ¥0.1266
  • 有货
    • 5+

      ¥1.1456
    • 50+

      ¥0.9075
    • 150+

      ¥0.8054
    • 500+

      ¥0.6781
    • 2500+

      ¥0.6214
    • 5000+

      ¥0.5874
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -9.1A。 RDS(on)@VGS = -10V < 24mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 35mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:便携式设备的负载开关。 电池开关
    • 5+

      ¥1.5032
    • 50+

      ¥1.1908
    • 150+

      ¥1.0568
    • 500+

      ¥0.8897
    • 2500+

      ¥0.8153
    • 4000+

      ¥0.7707
  • 有货
  • 特性:VDS = 40V。 ID = 8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 24mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 35mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:功率开关应用。 硬开关和高频电路
    • 5+

      ¥1.673
    • 50+

      ¥1.3252
    • 150+

      ¥1.1762
    • 500+

      ¥0.9902
    • 2500+

      ¥0.9074
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