mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MSK60N03DF 编号：C2902921

封装：DFN-8(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

MSK60N03DF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

1+
￥1.692 ￥1.88
10+
￥1.485 ￥1.65
30+
￥1.395 ￥1.55
100+
￥1.278 ￥1.42
500+
￥1.098 ￥1.22
1000+
￥1.062 ￥1.18

有货

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型号：MPT075N10L 编号：C41433065

封装：TO-252

品牌：minos(迈诺斯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ@10V,50A

5+
￥1.6396
50+
￥1.2868
150+
￥1.1356
500+
￥0.9469
3000+
￥0.7979
6000+
￥0.7475

有货

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型号：IRF7907TRPBF 编号：C5350832

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(ON) ≤ 16 mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) ≤ 20 mΩ @ VGS = 4.5V。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电源管理。便携式设备

数据手册

5+
￥1.66
50+
￥1.45
150+
￥1.36
500+
￥1.25
3000+
￥1.2
6000+
￥1.17

有货

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型号：BSP170P 编号：C5246419

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

BSP170P 高开启标准Vth:3.0

数据手册

5+
￥1.6969
50+
￥1.3344
150+
￥1.179
500+
￥0.9183
2500+
￥0.832
5000+
￥0.7802

有货

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型号：IRLL014NTRPBF-TP 编号：C41407976

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.7243
50+
￥1.3639
150+
￥1.2095
500+
￥1.0168
2500+
￥0.931

有货

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型号：AOD4185 编号：C5371006

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -40V。 ID = -40A。 RDS(ON) < -19mΩ @VGS = -10V (Type: 14mΩ)。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥1.7352
50+
￥1.3294
150+
￥1.1556
500+
￥0.9386
2500+
￥0.842
5000+
￥0.784

有货

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型号：XRS100N06LF 编号：C42457049

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低漏源导通电阻的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

5+
￥1.74573 ￥1.9397
50+
￥1.38285 ￥1.5365
150+
￥1.22733 ￥1.3637
500+
￥1.03329 ￥1.1481
2500+
￥0.94689 ￥1.0521
5000+
￥0.89505 ￥0.9945

有货

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型号：IRLL014NTRPBF 编号：C74066

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,2A,140mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.7568
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￥1.3736
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￥1.2093
500+
￥0.9598
2500+
￥0.8685
5000+
￥0.8138

有货

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型号：AO4441 编号：C4355026

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.7722
50+
￥1.3841
150+
￥1.2178
500+
￥1.0103
3000+
￥0.8717
6000+
￥0.8162

有货

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型号：TX40N06B 编号：C448632

封装：TO-252

品牌：XDS(芯鼎盛)

特性：TrenchFET Power MOSFET。 100% Rg和UIS测试。符合RoHS指令2011/65/EU

数据手册

5+
￥1.7756
50+
￥1.3976
150+
￥1.2356
500+
￥1.0335
2500+
￥0.8675
5000+
￥0.8135

有货

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型号：SP010N07AGNK 编号：C22385421

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

5+
￥1.78239 ￥1.8762
50+
￥1.377595 ￥1.4501
150+
￥1.204125 ￥1.2675
500+
￥0.98762 ￥1.0396
2500+
￥0.91542 ￥0.9636
5000+
￥0.857565 ￥0.9027

有货

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型号：AOD442 编号：C5350896

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.7911
50+
￥1.3989
150+
￥1.2308
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9277
5000+
￥0.8716

有货

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型号：AON6354 编号：C404363

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准

数据手册

5+
￥1.7923
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￥1.4298
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￥1.2744
500+
￥1.0805
3000+
￥0.9654
6000+
￥0.9136

有货

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型号：HYG210P06LQ1D 编号：C2834760

封装：TO-252-2L

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：60V / -40A，RDS(ON) = 19mΩ（典型值），VGS = -10V。 RDS(ON) = 25mΩ（典型值），VGS = -4.8V。 100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤和环保器件（符合RoHS标准）。应用：直流/直流电源管理。负载开关

数据手册

5+
￥1.8555
50+
￥1.4804
150+
￥1.3197
500+
￥1.1191
2500+
￥0.9219
5000+
￥0.8684

有货

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型号：BST82,215 编号：C426800

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用TrenchMOS™1技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。产品供应情况：SOT23封装的BST82。

数据手册

5+
￥1.8612
50+
￥1.5114
150+
￥1.3615
500+
￥1.1744
3000+
￥1.0911
6000+
￥1.0411

有货

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型号：FDS4935A 编号：C4355028

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

1+
￥1.88
10+
￥1.64
30+
￥1.54
100+
￥1.42
500+
￥1.23
1000+
￥1.2

有货

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型号：WSP08N10 编号：C148411

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP08N10是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF08N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。

数据手册

5+
￥1.8838
50+
￥1.5051
150+
￥1.3429
500+
￥1.1404
3000+
￥0.9293
6000+
￥0.8752

有货

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型号：SP40P04TH 编号：C41355036

封装：TO-252

品牌：Siliup(矽普)

中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-40V,电流：-90A,RDSON:4.8mR

5+
￥1.8913
50+
￥1.468
150+
￥1.2865
500+
￥1.0601
2500+
￥1.0433

有货

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型号：SP60N05GTD 编号：C22466770

封装：TO-263-3L

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：100A,Rdson：4.9mR

5+
￥1.9337
50+
￥1.502
150+
￥1.317
800+
￥1.1667
2400+
￥1.0639
4800+
￥1.0022

有货

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型号：XR60P06F 编号：C53069574

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

5+
￥1.96389 ￥2.1821
50+
￥1.55565 ￥1.7285
150+
￥1.38069 ￥1.5341
500+
￥1.16235 ￥1.2915
2500+
￥1.06515 ￥1.1835
5000+
￥1.00683 ￥1.1187

有货

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型号：AO4616 编号：C115831

封装：SOIC-8

品牌：AOS

数据手册

5+
￥1.9714
50+
￥1.5997
150+
￥1.4405
500+
￥1.1223
3000+
￥1.0338
6000+
￥0.9807

有货

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型号：CMSA070N10 编号：C41410545

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA070N10采用先进的SGT技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

5+
￥1.979135 ￥2.0833
50+
￥1.559425 ￥1.6415
150+
￥1.379495 ￥1.4521
500+
￥1.155105 ￥1.2159
2500+
￥1.03018 ￥1.0844
5000+
￥0.970235 ￥1.0213

有货

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型号：WSD2090DN56 编号：C2880521

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD2090DN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD2090DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS保证，并经过完整功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.007 ￥2.23
10+
￥1.61235 ￥1.7915
30+
￥1.44324 ￥1.6036
100+
￥1.23219 ￥1.3691
500+
￥1.13823 ￥1.2647
1000+
￥0.99567 ￥1.1063

有货

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型号：XR80P04F 编号：C42456984

封装：PDFN5060-8L

品牌：XNRUSEMI(新锐)

高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量（EAS），具备完整功能可靠性认证。

5+
￥2.00889 ￥2.2321
50+
￥1.60992 ￥1.7888
150+
￥1.43892 ￥1.5988
500+
￥1.22562 ￥1.3618
2500+
￥1.13058 ￥1.2562
5000+
￥1.07361 ￥1.1929

有货

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型号：IRFR9024N 编号：C5246439

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

IRFR9024NTRTBF Pin to PIN 标准参数Vth:3.0

数据手册

5+
￥2.016
50+
￥1.6128
150+
￥1.44
500+
￥1.2244
2500+
￥1.0541
5000+
￥0.9964

有货

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型号：TPIRF7495TRPBF 编号：C42437035

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥2.065
50+
￥1.6215
150+
￥1.4314
500+
￥1.1942
3000+
￥1.0886

有货

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型号：PMV130ENEAR-JSM 编号：C53114266

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：2.1A 导通电阻(RDS(on))：120mΩ 耗散功率(Pd)：1W 阈值电压(Vgs(th))：2.5V

5+
￥2.082
50+
￥1.6492
150+
￥1.4637
500+
￥1.2323

有货

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型号：AGM605Q 编号：C5373101

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM605Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥2.10542 ￥2.2885
50+
￥1.664924 ￥1.8097
150+
￥1.47614 ￥1.6045
500+
￥1.24062 ￥1.3485
3000+
￥1.111268 ￥1.2079
6000+
￥1.048248 ￥1.1394

有货

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型号：TPSI4850EY 编号：C5197348

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V, ID = 9A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V (Typ:12mΩ)。高功率和大电流处理能力。无铅产品。表面贴装封装

数据手册

5+
￥2.1061
50+
￥1.6792
150+
￥1.4963
500+
￥1.268
3000+
￥1.0478
6000+
￥0.9868

有货

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型号：STN4NF20L 编号：C7603336

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 200V。 ID = 1.0A @VGS=10V。 RDS(ON) ≤ 1.35Ω @VGS=10V。 SOT-223封装。应用：电源。功率因数校正

5+
￥2.1119
50+
￥1.6583
150+
￥1.4639
500+
￥1.2214
2500+
￥1.1134
5000+
￥1.0485

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