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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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1个N沟道 耐压:40V 电流:90A
型号：SI7884BDP-T1-GE3-JSM 编号：C7421711
封装：DFN5060-8L
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

  • 1+

    ￥3.6195 ￥3.81

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    ￥2.907 ￥3.06

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    ￥2.546 ￥2.68

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    ￥2.1945 ￥2.31

  • 500+

    ￥2.033 ￥2.14

  • 1000+

    ￥1.919 ￥2.02
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:34A
    型号：AON7262E 编号：C176755
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：AOS
    数据手册

    • 1+

      ￥3.75

    • 10+

      ￥3.02

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      ￥2.71

    • 100+

      ￥2.31

    • 500+

      ￥1.9

    • 1000+

      ￥1.8
  • 有货
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    60V N沟道增强型功率MOSFET
    型号：STL20N6F7 编号：C3647079
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    STL20N6F7采用先进技术，可实现出色的导通电阻Rps(on)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于
    数据手册

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      ￥3.76

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      ￥2.34

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      ￥2.03

    • 1000+

      ￥1.92
  • 有货
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
    型号：VBE5415 编号：C480957
    封装：TO-252-4L
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用。TO252-4；N+P—Channel沟道,±40V；±50A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
    数据手册

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      ￥3.7715 ￥3.97

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      ￥3.04 ￥3.2

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      ￥2.318 ￥2.44

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      ￥1.881 ￥1.98

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      ￥1.767 ￥1.86
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:45A
    型号：NCEP1545G 编号：C489179
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    采用超级沟槽技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。
    数据手册

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      ￥3.78

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      ￥2.91

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      ￥2.07

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      ￥1.86

    • 1000+

      ￥1.73
  • 有货
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    N沟道 耐压:250V 电流:16A
    型号：AOD458-TP 编号：C48543181
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 1+

      ￥3.838 ￥4.04

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      ￥3.0685 ￥3.23

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      ￥2.0805 ￥2.19

    • 1000+

      ￥1.957 ￥2.06
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
    型号：IPD082N10N3G(UMW) 编号：C18207554
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    MOS管

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      ￥3.85

    • 10+

      ￥3.09

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      ￥2.71

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      ￥2.33

    • 500+

      ￥2.11

    • 1000+

      ￥1.99
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V
    型号：AON7423 编号：C99711
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：AOS
    P沟道
    数据手册

    • 1+

      ￥3.95

    • 10+

      ￥3.2

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      ￥2.47

    • 500+

      ￥2.25

    • 1000+

      ￥2.13
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:48.7A
    型号：IRF4905STRLPBF-ES 编号：C39832215
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-60V，-25A，：22mΩ@-10.0V,-10A，-1.6V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 1+

      ￥3.98

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      ￥2.17

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      ￥1.96

    • 1000+

      ￥1.82
  • 有货
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    N沟道MOS（π-MOSVII）MOSFET
    型号：TK6A80E,S4X(S 编号：C22413233
    封装：TO-220SIS
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用：开关稳压器

    • 1+

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      ￥2.18

    • 1000+

      ￥2.05
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：IAUC100N04S6N022 编号：C535695
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平-AEC Q101认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥4.06

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      ￥2.92
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
    型号：NTD3055-094T4G 编号：C179612
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    设计用于电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用。
    数据手册

    • 1+

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      ￥2.11

    • 1000+

      ￥1.98
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：AON7418 编号：C74384
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：AOS
    MOSFETN-CH30V46A8DFN
    数据手册

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      ￥4.14

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      ￥3.38

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      ￥2.63

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      ￥2.31

    • 1000+

      ￥2.19
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:23A
    型号：AOD2544 编号：C485688
    封装：TO-252
    品牌：AOS
    最新的沟槽功率AlphaMOS (aMOS MV) 技术。极低的导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行了优化。符合RoHS和无卤标准
    数据手册

    • 1+

      ￥4.26

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    • 500+

      ￥2.42

    • 1000+

      ￥2.29
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V
    型号：TPN2R703NL,L1Q(M 编号：C5307666
    封装：TSON-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。 增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥4.28

    • 10+

      ￥3.42

    • 30+

      ￥2.99

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      ￥2.56

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      ￥2.31

    • 1000+

      ￥2.18
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:150V 电流:30A
    型号：CMD5970 编号：C5203726
    封装：TO-252
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.32

    • 10+

      ￥3.85

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      ￥3.03
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:46A
    型号：AOD2810 编号：C454184
    封装：TO-252
    品牌：AOS
    使用沟槽MOSFET技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)、输入电容Ciss和输出电容Coss组合，可将传导和开关功率损耗降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.34

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      ￥3.56

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      ￥2.28

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      ￥2.17
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
    型号：IRF640NSTRLPBF 编号：C23708
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,220V,18A,150mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.36

    • 10+

      ￥3.61

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      ￥3.23

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      ￥2.85

    • 500+

      ￥2.27

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      ￥2.15
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:8.6A
    型号：SI7461DP 编号：C7472880
    封装：PowerPAK-SO-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：RDS(ON) ≤ 15mΩ@VGS =-10V。 RDS(ON) ≤ 20mΩ@VGS =-4.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 DC/DC转换器

    • 1+

      ￥4.74

    • 10+

      ￥4.25

    • 30+

      ￥3.98

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      ￥3.67

    • 500+

      ￥3.53

    • 1000+

      ￥3.47
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
    型号：IRFB4020PBF 编号：C2649
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,18A,80mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.78

    • 10+

      ￥3.88

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      ￥2.98

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      ￥2.71

    • 1000+

      ￥2.58
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
    型号：NCEP40T15GU 编号：C216778
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    NCEP40T15GU采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
    数据手册

    • 1+

      ￥4.78

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      ￥3.77

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      ￥3.27

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      ￥2.78

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      ￥2.48

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      ￥2.32
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:18A 停产
    型号：SI7322DN-T1-GE3 编号：C141551
    封装：PowerPAK1212-8
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：有无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行UIS测试。应用：初级开关。 隔离式DC/DC转换器
    数据手册

    • 1+

      ￥5.07

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      ￥2.85

    • 1000+

      ￥2.71
  • 有货
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    N沟道 耐压:250V 电流:16A
    型号：FQD16N25CTM-TP 编号：C48543191
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：低栅极电荷，可降低开关损耗。应用：适配器。 充电器

    • 1+

      ￥5.1015 ￥5.37

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      ￥4.104 ￥4.32

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    • 1000+

      ￥2.6695 ￥2.81
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:59A
    型号：BSC059N04LS6 编号：C534356
    封装：TDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对同步应用进行优化。 极低导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 额定温度175℃
    数据手册

    • 1+

      ￥5.15

    • 10+

      ￥4.19

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      ￥3.7

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      ￥3.0685 ￥3.23

    • 500+

      ￥2.793 ￥2.94

    • 1000+

      ￥2.6505 ￥2.79
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 100V 50A
    型号：CSD19537Q3 编号：C478469
    封装：VSON-8-EP(3.3x3.3)
    品牌：TI(德州仪器)
    CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:330A
    型号：IRF7480MTRPBF 编号：C152356
    封装：DirectFET
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,40V,217A,1.2mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:1.9A
    型号：BSH108,215 编号：C426798
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用TrenchMOS™1技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。产品供货情况：采用SOT23封装的BSH108。
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    大电流SGT MOSFET 耐压:100V 电流:350A
    型号：SP010N01BLGHTO 编号：C42404759
    封装：TOLL-8
    品牌：Siliup(矽普)
    大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：350A,Rdson：1.3mR

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    N沟道3A 1500V
    型号：MP3N150S 编号：C41433074
    封装：TO-263
    品牌：minos(迈诺斯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1500V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：250W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2Ω@10V,1.5A

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    1个P沟道 耐压:80V 电流:70A
    型号：HSU8119 编号：C22359256
    封装：TO-252-2L
    品牌：HUASHUO(华朔)
    P沟道,80V/70A15mR

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