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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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耐压:30V 电流:50A
型号：AON7403 编号：C5310961
封装：PDFN-8
品牌：TECH PUBLIC(台舟)
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
数据手册

  • 5+

    ￥1.1578

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    ￥0.9976

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    ￥0.7426
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    P沟道 耐压:60V 电流:30A
    型号：AGM60P30AP 编号：C20625923
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM60P30AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥1.1633

    • 50+

      ￥0.9113

    • 150+

      ￥0.8033

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      ￥0.5725
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：AON7401-HXY 编号：C5148678
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款消费级P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流可达50A。专为高效电源转换、负载开关控制及电池管理系统设计，提供出色的能效比和紧凑尺寸，满足现代电子产品对高性能与小型化的需求。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.168405 ￥1.2299

    • 50+

      ￥0.946105 ￥0.9959

    • 150+

      ￥0.850725 ￥0.8955

    • 500+

      ￥0.73188 ￥0.7704

    • 2500+

      ￥0.669085 ￥0.7043

    • 5000+

      ￥0.637355 ￥0.6709
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    N沟道 耐压:40V 电流:120A
    型号：SP40N02GNK 编号：C22385417
    封装：PDFNWB-8L(5x6)
    品牌：Siliup(矽普)
    大电流SGT MOSFET产品

    • 5+

      ￥1.176765 ￥1.2387

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      ￥1.013365 ￥1.0667

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      ￥0.94335 ￥0.993

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      ￥0.87932 ￥0.9256

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      ￥0.84037 ￥0.8846

    • 5000+

      ￥0.817095 ￥0.8601
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    耐压:200V 电流:1A
    型号：IRFL210TRPBF-TP 编号：C41348194
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥1.18674 ￥1.2492

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      ￥1.02714 ￥1.0812

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      ￥0.95874 ￥1.0092

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      ￥0.87343 ￥0.9194

    • 2500+

      ￥0.83543 ￥0.8794

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      ￥0.81263 ￥0.8554
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
    型号：WSP6946 编号：C148408
    封装：SOP-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSP6946是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP6946符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

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      ￥1.21131 ￥1.3459

    • 50+

      ￥0.96183 ￥1.0687

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      ￥0.85491 ￥0.9499

    • 500+

      ￥0.72144 ￥0.8016

    • 3000+

      ￥0.61803 ￥0.6867

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      ￥0.58239 ￥0.6471
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    P沟道 20V 7A
    型号：FDC604P 编号：C5197379
    封装：SOT-163
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2309

    • 50+

      ￥0.9814

    • 150+

      ￥0.8745

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      ￥0.7411

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      ￥0.6124

    • 6000+

      ￥0.5767
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    耐压:60V 电流:30A
    型号：SI7850DP 编号：C18197826
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关。超便携式电子产品的电池管理

    • 5+

      ￥1.2361

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      ￥0.9841

    • 150+

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    • 2500+

      ￥0.6814
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：NCE01P03S 编号：C502846
    封装：SOP-8
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    NCE01P03S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2871

    • 50+

      ￥0.9898

    • 150+

      ￥0.8623

    • 500+

      ￥0.7033

    • 2500+

      ￥0.6325

    • 4000+

      ￥0.59
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:4.3A
    型号：SI2356DS-T1-GE3 编号：C74127
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用：DC/DC转换器。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2886

    • 50+

      ￥0.9996

    • 150+

      ￥0.8757

    • 500+

      ￥0.7212

    • 3000+

      ￥0.6523

    • 6000+

      ￥0.611
  • 有货
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    高性能功率MOSFET器件，深圳实验室配套电路优化&EMC整改服务
    型号：ESJG150N03A 编号：C42420879
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：123A 功率(Pd)：6.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.7mΩ@10V,20.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA N沟道,30V,123A,1.70mΩ@10V

    • 5+

      ￥1.308

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      ￥1.14

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      ￥0.9782

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      ￥0.9382

    • 5000+

      ￥0.9142
  • 有货
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    耐压:60V 电流:14A
    型号：AOD407 编号：C5310926
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3236

    • 50+

      ￥1.0464

    • 150+

      ￥0.9276

    • 500+

      ￥0.7794

    • 2500+

      ￥0.6804

    • 5000+

      ￥0.6408
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:25V 电流:20A
    型号：CSD16301Q2 编号：C140340
    封装：WSON-6(2x2)
    品牌：TI(德州仪器)
    CSD16301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3329

    • 50+

      ￥1.0696

    • 150+

      ￥0.9568

    • 500+

      ￥0.816

    • 3000+

      ￥0.7168

    • 6000+

      ￥0.6791
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:30V 电流:21A
    型号：AGM30P14MBP 编号：C5367089
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM30P14MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3547 ￥1.426

    • 50+

      ￥1.06742 ￥1.1236

    • 150+

      ￥0.9443 ￥0.994

    • 500+

      ￥0.790685 ￥0.8323

    • 2500+

      ￥0.705185 ￥0.7423

    • 5000+

      ￥0.66405 ￥0.699
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
    型号：FDS6681Z(UMW) 编号：C5236690
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=-30V。 Qg = 27nC。 I = 18A(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 5mΩ(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 8mΩ(VGs = 4.5V)。应用：移动设备电池管理。 适配器和充电器开关

    • 5+

      ￥1.3666

    • 50+

      ￥1.0696

    • 150+

      ￥0.9423

    • 500+

      ￥0.7143

    • 3000+

      ￥0.6435

    • 6000+

      ￥0.6011
  • 有货
    • 立即购买
    中低压N型MOSFET
    型号：SP40N03BNK 编号：C41354886
    封装：PDFNWB-8L(5x6)
    品牌：Siliup(矽普)
    中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：40V,电流：100A,RDSON:3.1mR

    • 5+

      ￥1.408

    • 50+

      ￥1.1177

    • 150+

      ￥0.9933

    • 500+

      ￥0.8381

    • 2500+

      ￥0.769

    • 5000+

      ￥0.7275
  • 有货
    • 立即购买
    XRS80N06LD
    型号：XRS80N06LD 编号：C52195549
    封装：PDFN-8L(3.3x3.3)
    品牌：XNRUSEMI(新锐)

    • 5+

      ￥1.4184 ￥1.576

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      ￥1.12356 ￥1.2484

    • 150+

      ￥0.9972 ￥1.108

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      ￥0.83952 ￥0.9328

    • 2500+

      ￥0.76932 ￥0.8548

    • 5000+

      ￥0.7272 ￥0.808
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:40V 电流:8A
    型号：AO4884 编号：C3040599
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：DC-DC转换器。 负载开关。 电源管理
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4278

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      ￥1.1228

    • 150+

      ￥0.9922

    • 500+

      ￥0.8291

    • 3000+

      ￥0.6896

    • 6000+

      ￥0.646
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
    型号：JSM7409B 编号：C2874718
    封装：PDFN3X3-8L
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.44262 ￥1.6972

    • 50+

      ￥1.14274 ￥1.3444

    • 150+

      ￥1.01422 ￥1.1932

    • 500+

      ￥0.853825 ￥1.0045

    • 2500+

      ￥0.782425 ￥0.9205

    • 5000+

      ￥0.739585 ￥0.8701
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：SI2312CDS-T1-GE3 编号：C142518
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟 20V 6A
    数据手册

    • 5+

      ￥1.443

    • 50+

      ￥1.1653

    • 150+

      ￥1.0463

    • 500+

      ￥0.8979

    • 3000+

      ￥0.7299

    • 6000+

      ￥0.6902
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:8A
    型号：NCE6008AS 编号：C341716
    封装：SOP-8
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    NCE6008AS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.4617

    • 10+

      ￥1.124

    • 30+

      ￥0.9793

    • 100+

      ￥0.7987

    • 500+

      ￥0.7183

    • 1000+

      ￥0.67
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:0.7A
    型号：ZXMP10A13FTA 编号：C50185
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET采用了独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合用于高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4725

    • 50+

      ￥1.151

    • 150+

      ￥1.0132

    • 500+

      ￥0.8412

    • 3000+

      ￥0.7287

    • 6000+

      ￥0.6827
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:11.4A
    型号：SI4435DDY-T1-GE3 编号：C10491
    封装：SO-8
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-30V,11.4A,24mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4925

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      ￥1.2134

    • 150+

      ￥1.0939

    • 500+

      ￥0.9447

    • 2500+

      ￥0.8053

    • 5000+

      ￥0.7654
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道60V快速开关MOSFET
    型号：XRS120N06H 编号：C42457059
    封装：TO-252-3L
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能

    • 5+

      ￥1.52748 ￥1.6972

    • 50+

      ￥1.20996 ￥1.3444

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    TPSI7880ADP-T1-GE3
    型号：TPSI7880ADP-T1-GE3 编号：C52817301
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：TX50N06 编号：C448633
    封装：TO-252
    品牌：XDS(芯鼎盛)
    TX50N06 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用
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      ￥1.5447

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
    型号：AOD403-HXY 编号：C4748761
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，拥有30V额定电压和高达80A的强劲电流处理能力。专为高负载、高效能的低压电子设备设计，实现卓越的开关性能与能耗控制，是优化电源管理系统的理想半导体器件选择。
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      ￥1.581448 ￥1.7971

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
    型号：2N7000 编号：C232838
    封装：TO-92-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:20A
    型号：WSF40P04 编号：C377856
    封装：TO-252
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSF40P04是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF40P04符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过功能可靠性认证，确保符合EAS标准。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.62 ￥1.8

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      ￥1.575 ￥1.75

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.7A
    型号：ZXM61N02FTA 编号：C110542
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这新一代的高密度MOSFET采用了一种独特的结构，将低导通电阻和快速开关速度的优势相结合。这使其成为高效、低电压电源管理应用的理想选择。
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      ￥1.6274

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