mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDD4141 编号：C5370995

封装：TO-252-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -40V。 ID = -50A。 RDS(ON) < -13mΩ @ VGS = -10V (Type:9.0mΩ)。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥2.4864
50+
￥1.9875
150+
￥1.7736
500+
￥1.5068
2500+
￥1.388
5000+
￥1.3168

有货

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型号：WSD40L48DN33 编号：C5185332

封装：DFN-8(3x3)

品牌：WINSOK(微硕)

WsD40L48DN33是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。WsD40L48DN33符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.502 ￥2.78
10+
￥1.962 ￥2.18
30+
￥1.728 ￥1.92
100+
￥1.431 ￥1.59
500+
￥1.242 ￥1.38
1000+
￥1.161 ￥1.29

有货

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型号：NCEP4065QU 编号：C502974

封装：DFN3.3x3.3-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCEP4065QU采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的Rds(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

数据手册

5+
￥2.51
50+
￥1.93
150+
￥1.69
500+
￥1.38
2500+
￥1.24
5000+
￥1.15

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型号：SI4946BEY 编号：C3040622

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

1+
￥2.54
10+
￥1.98
30+
￥1.74
100+
￥1.45
500+
￥1.27
1000+
￥1.19

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型号：FDS9945 编号：C4355020

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V, ID = 6A。 RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载/电源开关。接口

数据手册

5+
￥2.5528
50+
￥2.053
150+
￥1.8388
500+
￥1.3438
3000+
￥1.2248
6000+
￥1.1534

有货

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型号：WSF4042 编号：C2758451

封装：TO-252-4

品牌：WINSOK(微硕)

WSF4042是高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF4042符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

数据手册

1+
￥2.5543
10+
￥2.0604
30+
￥1.8487
100+
￥1.5846
500+
￥1.467
1000+
￥1.1417

有货

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型号：AON6508-HXY 编号：C22366646

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON6508 N沟道MOS管选用先进的DFN5X6-8L封装，兼顾小巧体积与高效性能。其额定电压VDSS为30V，最大连续漏极电流高达150A，轻松应对高电压大电流应用场景。尤为突出的是，器件导通电阻仅为2mΩ，确保在高负载条件下仍能维持低功耗和高效能运作。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您优化电路设计、提升系统效能的理想半导体组件。

1+
￥2.565 ￥2.7
10+
￥2.014 ￥2.12
30+
￥1.786 ￥1.88
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￥1.4915 ￥1.57
500+
￥1.3585 ￥1.43
1000+
￥1.273 ￥1.34

有货

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型号：AGMH056N08A 编号：C19193068

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGMH056N08A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

1+
￥2.565 ￥2.7
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￥2.033 ￥2.14
30+
￥1.8145 ￥1.91
100+
￥1.5295 ￥1.61
500+
￥1.311 ￥1.38
1000+
￥1.235 ￥1.3

有货

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型号：CSD25402Q3A 编号：C111356

封装：VSONP-8(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD25402Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、8.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.18
30+
￥1.94
100+
￥1.63
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

有货

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型号：AO4441 编号：C49011427

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。它可用于各种应用。

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￥2.79
10+
￥2.17
30+
￥1.91
100+
￥1.58
500+
￥1.44
1000+
￥1.35

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型号：TPM4016PS8-2 编号：C5197360

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -40V, ID = 12A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V。高功率和大电流处理能力。无铅产品。表面贴装封装

数据手册

1+
￥2.87
10+
￥2.26
30+
￥2
100+
￥1.68
500+
￥1.37
1000+
￥1.28

有货

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型号：TPM10030PK3 编号：C51939659

封装：TO-252-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

1+
￥2.8956 ￥3.81
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￥2.318 ￥3.05
30+
￥2.0292 ￥2.67
100+
￥1.7404 ￥2.29
500+
￥1.5732 ￥2.07
1000+
￥1.482 ￥1.95

有货

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型号：CJU65SN10L 编号：C5116362

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJU65SN10L采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥2.93
10+
￥2.38
30+
￥2.14
100+
￥1.84
500+
￥1.64
1000+
￥1.56

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型号：NCE60H10K 编号：C2992581

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE60H10K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关及通用应用。

数据手册

1+
￥3.02
10+
￥2.32
30+
￥2.02
100+
￥1.65
500+
￥1.48
1000+
￥1.38

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型号：TPSI4896DY-T1-GE3 编号：C42437044

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥3.02
10+
￥2.35
30+
￥2.07
100+
￥1.71
500+
￥1.55
1000+
￥1.46

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型号：TPSPD08P06PG 编号：C5246437

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

符合VTH：3.0标准 SPD08P06PG

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1+
￥3.18
10+
￥2.52
30+
￥2.23
100+
￥1.88
500+
￥1.64
1000+
￥1.54

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型号：IRLR7843TRPBF 编号：C19268133

封装：TO-252-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V，RDS(ON) = 1.6mΩ（VGS = 10V，IDS = 30A 时）。 RDS(ON) = 2.1mΩ（VGS = 4.5V，IDS = 25A 时）。简单的驱动要求。小封装尺寸。表面贴装器件

1+
￥3.21
10+
￥2.85
30+
￥2.67
100+
￥2.49
500+
￥2.38
1000+
￥2.32

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型号：S130N10LF 编号：C19100375

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

DC-DC转换器。电源管理功能。同步整流应用

1+
￥3.23
10+
￥2.57
30+
￥2.24
100+
￥1.91
500+
￥1.74
1000+
￥1.64

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型号：SP012N07GHNK 编号：C22466825

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：Siliup(矽普)

中低压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：120V，电流：80A,Rdson：7mR

1+
￥3.23 ￥3.4
10+
￥2.546 ￥2.68
30+
￥2.2515 ￥2.37
100+
￥1.881 ￥1.98
500+
￥1.7005 ￥1.79
1000+
￥1.6055 ￥1.69

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型号：BSC011N03LS 编号：C129786

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道

数据手册

1+
￥3.24
10+
￥2.54
30+
￥2.24
100+
￥1.87
500+
￥1.7
1000+
￥1.6

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型号：TPH1R403NL 编号：C83440

封装：DFN-8(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N-MOS管 30V150A

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.63
30+
￥2.3
100+
￥1.97
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

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型号：IRF9321TRPbF 编号：C54807

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,15A,7.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥2.71
30+
￥2.42
100+
￥2.12
500+
￥1.73
1000+
￥1.63

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型号：NTF2955PT1G-VB 编号：C710036

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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