mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AGM1010A-F 编号：C19633874

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM1010A-F将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

1+
￥2.4104 ￥2.62
10+
￥1.8952 ￥2.06
30+
￥1.6836 ￥1.83
100+
￥1.4076 ￥1.53
500+
￥1.288 ￥1.4
1000+
￥1.2144 ￥1.32

有货

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型号：XRS60P06F 编号：C42457120

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低导通电阻的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

1+
￥2.412 ￥2.68
10+
￥1.935 ￥2.15
30+
￥1.728 ￥1.92
100+
￥1.476 ￥1.64
500+
￥1.359 ￥1.51
1000+
￥1.287 ￥1.43

有货

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型号：FTZ15N35G 编号：C3031430

封装：SOT-23

品牌：ARK(方舟微)

增强型MOSFET

数据手册

1+
￥2.4415 ￥2.57
10+
￥2.1755 ￥2.29
30+
￥2.033 ￥2.14
100+
￥1.9 ￥2
500+
￥1.824 ￥1.92
1000+
￥1.6055 ￥1.69

有货

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型号：WSF7N40 编号：C3825094

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF7N40 是 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。

数据手册

1+
￥2.475 ￥2.75
10+
￥1.926 ￥2.14
30+
￥1.692 ￥1.88
100+
￥1.404 ￥1.56
500+
￥1.269 ￥1.41
1000+
￥1.188 ￥1.32

有货

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型号：XR150P04 编号：C42457001

封装：TO-252-3L

品牌：XNRUSEMI(新锐)

高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整的功能可靠性认证。

1+
￥2.52 ￥2.8
10+
￥2.016 ￥2.24
30+
￥1.8 ￥2
100+
￥1.53 ￥1.7
500+
￥1.413 ￥1.57
1000+
￥1.341 ￥1.49

有货

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型号：CSD17501Q5A-TP 编号：C52817079

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

1+
￥2.5232 ￥3.32
10+
￥1.976 ￥2.6
30+
￥1.7404 ￥2.29
100+
￥1.4516 ￥1.91
500+
￥1.3224 ￥1.74
1000+
￥1.2388 ￥1.63

有货

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型号：FDS9945 编号：C4355020

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V, ID = 6A。 RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载/电源开关。接口

数据手册

5+
￥2.5547
50+
￥2.0549
150+
￥1.8407
500+
￥1.3457
3000+
￥1.2267
6000+
￥1.1553

有货

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型号：RD3L140SPTL1-TP 编号：C41348094

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥2.565 ￥2.7
10+
￥1.995 ￥2.1
30+
￥1.748 ￥1.84
100+
￥1.4345 ￥1.51
500+
￥1.3015 ￥1.37
1000+
￥1.216 ￥1.28

有货

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型号：STP30NF10 编号：C60609

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,100V,35A,38mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.66
10+
￥2.33
50+
￥2.17
100+
￥2.01
500+
￥1.91
1000+
￥1.86

有货

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型号：WSF18N15 编号：C2758444

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF18N15是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF18N15符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.745 ￥3.05
10+
￥2.565 ￥2.85
30+
￥2.421 ￥2.69
100+
￥2.097 ￥2.33
500+
￥1.899 ￥2.11
1000+
￥1.8 ￥2

有货

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型号：CMD25N20A 编号：C5203926

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些MOSFET采用先进的制造工艺，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合快速的开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。

数据手册

1+
￥2.774 ￥2.92
10+
￥2.1755 ￥2.29
30+
￥1.919 ￥2.02
100+
￥1.6055 ￥1.69
500+
￥1.4725 ￥1.55
1000+
￥1.387 ￥1.46

有货

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型号：12N65-TD 编号：C42422144

封装：TO-220

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

1个N沟道耐压:650V 电流:12A适用于电源开关和信号控制

1+
￥2.82
10+
￥2.18
50+
￥1.91
100+
￥1.57
500+
￥1.42
1000+
￥1.33

有货

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型号：AOD2606-MS 编号：C2982212

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

AOD2606-MS采用先进的VD MOS技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和快速开关。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于低导通电阻RDS(ON)和品质因数（FOM）、极低开关损耗、出色稳定性和一致性的逆变器。

数据手册

1+
￥2.83
10+
￥2.28
30+
￥2.04
100+
￥1.75
500+
￥1.45
1000+
￥1.37

有货

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型号：NCE7560K 编号：C95273

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR

数据手册

5+
￥2.84
50+
￥2.19
150+
￥1.9
500+
￥1.55
2500+
￥1.4

有货

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型号：YJG70G06A 编号：C2908528

封装：PDFN5060-8L

品牌：YANGJIE(扬杰)

采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。采用高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)

数据手册

1+
￥2.87
10+
￥2.33
30+
￥2.1
100+
￥1.81
500+
￥1.39
1000+
￥1.31

有货

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型号：2SJ601 编号：C7472886

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(ON) 14mΩ@VGS = -10V (Typ)。 RDS(ON) 16mΩ@VGS = -4.5V (Typ)。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 DC/DC转换器

1+
￥2.89
10+
￥2.56
30+
￥2.4
100+
￥2.24
500+
￥2.14
1000+
￥2.09

有货

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型号：TMGN10080D 编号：C7422902

封装：TO-252-3L

品牌：TMC(台懋)

N沟道,100V,80A,7.2mΩ@10v

1+
￥2.9165 ￥3.07
10+
￥2.3655 ￥2.49
30+
￥2.128 ￥2.24
100+
￥1.8335 ￥1.93
500+
￥1.5295 ￥1.61
1000+
￥1.444 ￥1.52

有货

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型号：SUD23N06-31-VB 编号：C879189

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.9355 ￥3.09
10+
￥2.3275 ￥2.45
30+
￥2.071 ￥2.18
100+
￥1.748 ￥1.84
500+
￥1.6245 ￥1.71
1000+
￥1.539 ￥1.62

有货

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型号：TPSPD08P06PG 编号：C5246437

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

符合VTH：3.0标准 SPD08P06PG

数据手册

1+
￥3.05
10+
￥2.39
30+
￥2.1
100+
￥1.75
500+
￥1.51
1000+
￥1.41

有货

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型号：BSP149 编号：C7603335

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 200V。 ID = 1.0A @VGS=10V。 RDS(ON) ≤ 1.35Ω @VGS=10V。 SOT-223封装。应用：电源。 PFC

1+
￥3.06
10+
￥2.4
30+
￥2.12
100+
￥1.77
500+
￥1.61
1000+
￥1.52

有货

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型号：IRFR540ZTRPBF-TP 编号：C41407975

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥3.097 ￥3.26
10+
￥2.47 ￥2.6
30+
￥2.1565 ￥2.27
100+
￥1.843 ￥1.94
500+
￥1.653 ￥1.74
1000+
￥1.558 ￥1.64

有货

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型号：SP40N01GTO 编号：C22385347

封装：TOLL-8L

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

1+
￥3.1635 ￥3.33
10+
￥2.4795 ￥2.61
30+
￥2.185 ￥2.3
100+
￥1.8145 ￥1.91
500+
￥1.7955 ￥1.89
1000+
￥1.691 ￥1.78

有货

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型号：NCEP40T11G 编号：C182465

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道,40V,110A,2.4mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.17
10+
￥2.44
30+
￥2.12
100+
￥1.73
500+
￥1.56
1000+
￥1.45

有货

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型号：FDS6681Z 编号：C7603295

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤9.5mΩ@VGS=4V。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。便携式设备

1+
￥3.22
10+
￥2.53
30+
￥2.23
100+
￥1.86
500+
￥1.7
1000+
￥1.6

有货

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型号：SI4401DDY-T1-GE3 编号：C72317

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-40V,-16.1A,0.015Ω@-10V

数据手册

1+
￥3.23
10+
￥2.58
30+
￥2.3
100+
￥1.95
500+
￥1.8
1000+
￥1.7

有货

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型号：JSM014N04QG5 编号：C49206913

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

N沟道高性能低结电容，40V 180A 1.1mΩ@10V

1+
￥3.24
10+
￥2.59
30+
￥2.27
100+
￥1.95
500+
￥1.75
1000+
￥1.65

有货

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型号：TPN2R703NL,L1Q(M 编号：C5307666

封装：TSON-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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