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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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1个N沟道 耐压:1200V 电流:6A
型号：STP8N120K5 编号：C472606
封装：TO-220
品牌：ST(意法半导体)
N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装
数据手册

  • 1+

    ￥10.25

  • 10+

    ￥9.19

  • 50+

    ￥8.53

  • 100+

    ￥7.84

  • 500+

    ￥7.54

  • 1000+

    ￥7.4
  • 有货
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    BUK7Y1R4-40H
    型号：BUK7Y1R4-40H 编号：C6423721
    封装：SOT-669
    品牌：Nexperia(安世)

    • 1+

      ￥10.33

    • 10+

      ￥9.49

    • 30+

      ￥8.96

    • 100+

      ￥8.1674 ￥8.42

    • 500+

      ￥7.9249 ￥8.17

    • 1500+

      ￥7.8279 ￥8.07
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
    型号：BUK7Y1R7-40HX 编号：C503616
    封装：LFPAK-56-5
    品牌：Nexperia(安世)
    采用最新的Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，封装在坚固的LFPAK56封装中。该产品经过全面设计和认证，符合AEC-Q101要求，具有高性能和耐用性。
    数据手册

    • 1+

      ￥11.2

    • 10+

      ￥9.52

    • 30+

      ￥8.47

    • 100+

      ￥7.1683 ￥7.39

    • 500+

      ￥6.7027 ￥6.91

    • 1500+

      ￥6.499 ￥6.7
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:85V 电流:250A
    型号：NCEP85T25D 编号：C181921
    封装：TO-263-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    N沟道，85V，250A，2.6mΩ
    数据手册

    • 1+

      ￥11.71

    • 10+

      ￥9.52

    • 30+

      ￥8.32

    • 100+

      ￥6.96

    • 500+

      ￥6.36

    • 800+

      ￥6.08
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:700V 电流:170mA
    型号：DN2470K4-G 编号：C618541
    封装：TO-252(D-PAK)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    这是一款低阈值、耗尽型、常开型晶体管，采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和经过验证的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
    数据手册

    • 1+

      ￥13.25

    • 10+

      ￥11.38

    • 30+

      ￥10.21

    • 100+

      ￥9.01

    • 500+

      ￥8.47
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V
    型号：PSMN8R9-100BSE,118 编号：C6423734
    封装：D2PAK
    品牌：Nexperia(安世)
    SuperSOA N 沟道增强型 MOSFET，采用 D2PAK 封装，可在 175℃ 下工作。具备低 RDSon 和很强的线性模式（SOA）性能，可与最新的“热插拔”控制器配合使用，能够承受开启时的大量浪涌电流，低 RDSon 可将 I²R 损耗降至最低，并在完全导通时提供最佳效率。

    • 1+

      ￥13.75

    • 10+

      ￥13.08

    • 30+

      ￥12.68

    • 100+

      ￥11.9019 ￥12.27

    • 500+

      ￥11.7273 ￥12.09

    • 800+

      ￥11.64 ￥12
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:400V 电流:16A
    型号：IRFP350PBF 编号：C2680
    封装：TO-247AC
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,400V,16A,300mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥13.87

    • 10+

      ￥11.66

    • 25+

      ￥10.27

    • 100+

      ￥8.86

    • 500+

      ￥8.21

    • 1000+

      ￥7.94
  • 有货
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    耐压:300V 电流:135A
    型号：SP13HF30TO 编号：C42404764
    封装：TOLL
    品牌：Siliup(矽普)
    超结 MOSFET产品，N沟道，耐压：300V，电流：135A, Rdson：13mR，带快恢复

    • 1+

      ￥18.8575 ￥19.85

    • 10+

      ￥16.0455 ￥16.89

    • 30+

      ￥14.3735 ￥15.13

    • 100+

      ￥13.414 ￥14.12

    • 500+

      ￥12.635 ￥13.3

    • 1000+

      ￥12.2835 ￥12.93
  • 有货
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    超结MOS
    型号：SP10HF25TF 编号：C42404763
    封装：TO-247
    品牌：Siliup(矽普)
    超结 MOSFET产品，N沟道，耐压：250V，电流：160A, Rdson：10mR，带快恢复

    • 1+

      ￥19.969 ￥21.02

    • 10+

      ￥16.986 ￥17.88

    • 30+

      ￥15.998 ￥16.84

    • 90+

      ￥14.2025 ￥14.95

    • 510+

      ￥13.3855 ￥14.09

    • 990+

      ￥13.0055 ￥13.69
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:1000V 电流:8.3A
    型号：STW11NK100Z 编号：C126636
    封装：TO-247AC-3
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道
    数据手册

    • 1+

      ￥20.73

    • 10+

      ￥17.92

    • 30+

      ￥16.17

    • 100+

      ￥14.37

    • 500+

      ￥13.55

    • 1000+

      ￥13.2
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:120A
    型号：SUP70101EL-GE3 编号：C5932059
    封装：TO-220AB
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻封装，符合RoHS标准。 最高175℃结温，无卤。 低RDS(on)，可最大限度降低传导损耗。 与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%进行Rg和UIS测试。应用：电池保护。 电机驱动控制

    • 1+

      ￥22.16

    • 10+

      ￥19.07

    • 50+

      ￥17.24

    • 100+

      ￥14.6205 ￥15.39

    • 500+

      ￥13.8035 ￥14.53

    • 1000+

      ￥13.4425 ￥14.15
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:54A
    型号：IPW60R037CSFD 编号：C454260
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolIMOS是一项针对高压功率MOSFET的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。IPW60R037CSFD是一款经过优化的器件，专门针对车载外电动汽车充电细分市场。由于其栅极电荷（Qg）低且开关性能得到改善，该器件在目标市场中具备最高效率
    数据手册

    • 1+

      ￥22.24

    • 10+

      ￥19.47

    • 30+

      ￥15.27

    • 90+

      ￥13.61

    • 510+

      ￥12.84

    • 990+

      ￥12.5
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:120A
    型号：SUM70101EL-GE3 编号：C5156028
    封装：TO-263
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET功率MOSFET封装，热阻低。 最高结温175℃。 低RDS(on)，可最大程度降低传导功率损耗。 与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%汞和UIs测试。应用：电池保护。 电机驱动控制
    数据手册

    • 1+

      ￥25.37

    • 10+

      ￥22.08

    • 30+

      ￥18.36

    • 100+

      ￥15.5705 ￥16.39

    • 500+

      ￥14.706 ￥15.48

    • 800+

      ￥14.3165 ￥15.07
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
    型号：PSMN4R8-100BSEJ 编号：C458260
    封装：D2PAK
    品牌：Nexperia(安世)
    采用D2PAK封装的标准电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。与最新的“热插拔”控制器配合使用，该控制器足够坚固，能够承受开启时的大量浪涌电流，同时具有低RDS(ON)特性，可在持续使用中降低温度并提高效率。非常适合基于48 V背板/电源轨的电信系统
    数据手册

    • 1+

      ￥53.37

    • 10+

      ￥48.62

    • 30+

      ￥45.8

    • 100+

      ￥42.95

    • 500+

      ￥41.64

    • 800+

      ￥41.04
  • 有货
    • 立即购买
    - 20V，2.3A, 4.5V内阻40MΩ
    型号：JTD2302 编号：C42443455
    封装：SOT-23
    品牌：JTD(晶泰达)
    20V，2.3A, 4.5V内阻40MΩ

    • 50+

      ￥0.0611

    • 500+

      ￥0.0476

    • 3000+

      ￥0.0401

    • 6000+

      ￥0.0356

    • 24000+

      ￥0.0317

    • 51000+

      ￥0.0296
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：HSS2N7002K 编号：C518788
    封装：SOT-23
    品牌：HUASHUO(华朔)
    产品材料符合Rohs要求且无卤；ESD保护；低RDS(ON)；可应用于便携式应用,如DSC、PDA、手机等。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0688

    • 500+

      ￥0.06

    • 3000+

      ￥0.0494

    • 6000+

      ￥0.0464

    • 24000+

      ￥0.0439

    • 51000+

      ￥0.0425
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：RC2301A 编号：C5137073
    封装：SOT-23
    品牌：RealChip(正芯半导体)
    特性：20V / -3A，RDS(ON) = 120mΩ（最大值），VGS = -4.5V；RDS(ON) = 150mΩ（最大值），VGS = -2.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用的SOT23表面贴装封装。应用：电源管理。 便携式设备和电池供电系统
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0762

    • 500+

      ￥0.0665

    • 3000+

      ￥0.0585

    • 6000+

      ￥0.0553

    • 24000+

      ￥0.0525
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：8205HA/W 编号：C45662359
    封装：SOT-23-6
    品牌：FM(富满)
    8205HA/W+ DW01-A/J 组成典型锂电保护电路

    • 50+

      ￥0.0884

    • 500+

      ￥0.0772

    • 3000+

      ￥0.0709

    • 6000+

      ￥0.0672

    • 24000+

      ￥0.0639
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
    型号：AO3414-HXY 编号：C6285731
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备2.3A连续电流处理能力。特别设计用于电池管理、电源开关及高效能电子设备中，具有出色的低导通电阻和快速切换性能，实现卓越的功率转换与控制效能。

    • 50+

      ￥0.091865 ￥0.0967

    • 500+

      ￥0.071345 ￥0.0751

    • 3000+

      ￥0.056335 ￥0.0593

    • 6000+

      ￥0.049495 ￥0.0521

    • 24000+

      ￥0.04351 ￥0.0458

    • 51000+

      ￥0.04028 ￥0.0424
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:170mA
    型号：BSS84 编号：C427395
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0965

    • 500+

      ￥0.0775

    • 3000+

      ￥0.0604

    • 6000+

      ￥0.0541

    • 24000+

      ￥0.0486

    • 51000+

      ￥0.0457
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：2N7002-6AF 编号：C48587181
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    N沟道,60V,0.34A,1.3Ω@4.5V

    • 50+

      ￥0.102

    • 500+

      ￥0.08

    • 3000+

      ￥0.0678

    • 6000+

      ￥0.0605

    • 24000+

      ￥0.0541

    • 51000+

      ￥0.0507
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:250mA
    型号：2SK3018W 编号：C41399456
    封装：SOT-323
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:30V 电流:250mA适用于电源开关和信号控制

    • 50+

      ￥0.1045 ￥0.11

    • 500+

      ￥0.081415 ￥0.0857

    • 3000+

      ￥0.06859 ￥0.0722

    • 6000+

      ￥0.060895 ￥0.0641

    • 24000+

      ￥0.054245 ￥0.0571

    • 51000+

      ￥0.050635 ￥0.0533
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:4.3A
    型号：SI2302M-6AF 编号：C48587199
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    N沟道,20V,4.3A,22mΩ@4.5V

    • 50+

      ￥0.1114

    • 500+

      ￥0.0859

    • 3000+

      ￥0.0718

    • 6000+

      ￥0.0633

    • 24000+

      ￥0.0559

    • 51000+

      ￥0.0519
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.8A
    型号：MDD2301 编号：C427391
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1166

    • 200+

      ￥0.106

    • 600+

      ￥0.1002

    • 3000+

      ￥0.0624

    • 9000+

      ￥0.0594

    • 21000+

      ￥0.0578
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    N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
    型号：2SK3019 编号：C47283702
    封装：SOT-523
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 100mA

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    N沟道MOSFET
    型号：2N7002DW 编号：C49009904
    封装：SOT-363
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    高密度单元设计，实现低导通电阻。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。采用SOT-363表面贴装封装。具备2KV（HBM）静电防护

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      ￥0.1439

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    P沟道MOSFET
    型号：AO3407B 编号：C50917811
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

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      ￥0.1627

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：L2N7002KWT1G 编号：C2912011
    封装：SC-70
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 具备ESD保护
    数据手册

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    P沟道 AO3401M-6AF SOT-23
    型号：AO3401M-6AF 编号：C48587197
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    P沟道,-30V,-4.2A,52mΩ@-4.5V

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
    型号：CJBA3134K 编号：C504098
    封装：DFN-3L(1x0.6)
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：无铅产品。 表面贴装封装。 N沟道开关，低导通电阻。 低逻辑电平栅极驱动操作。 栅极具有ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1761

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      ￥0.1412

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