mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSS8402DW-7-F 编号：C156386

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6918
50+
￥0.5709
150+
￥0.5104
500+
￥0.4651
3000+
￥0.4288
6000+
￥0.4107

有货

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型号：40P30 编号：C7499852

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

40P30是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P30符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

5+
￥0.717
50+
￥0.5687
150+
￥0.4945
500+
￥0.4389
2500+
￥0.3659
5000+
￥0.3436

有货

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型号：KIA50N03BD 编号：C455976

封装：TO-252

品牌：KIA

特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。 50A，30V，RDS(on)典型值 = 6.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。快速开关。改善的dv/dt能力

数据手册

5+
￥0.744
50+
￥0.5952
150+
￥0.5208
500+
￥0.465
2500+
￥0.3955
5000+
￥0.3732

有货

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型号：SI2333CDS 编号：C5122040

封装：SOT-23-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.7458
50+
￥0.5927
150+
￥0.5161
500+
￥0.4587
3000+
￥0.3612
6000+
￥0.3382

有货

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型号：AP2716QD 编号：C5443708

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：N-Channel VDD=40V, ID=16A，RDS ON < 22mΩ @VGS = 10V，RDS ON < 30mΩ @VGS = 4.5V。P-Channel VDD=40V, ID=-16A，RDS ON < 54mΩ @VGS = -10V，RDS ON < 70mΩ @VGS = -4.5V。无铅产品。高功率和电流处理能力。表面贴装封装。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

5+
￥0.7814
50+
￥0.605
150+
￥0.5168
500+
￥0.4506
2500+
￥0.4198
5000+
￥0.3933

有货

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型号：IRF7455TR(UMW) 编号：C5338296

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V。 RDS(ON)=7.5mΩ(VGS=10)。 RDS(ON)=9mΩ(VGS=4.5V)。高频同步整流DC-DC转换器。超低栅极阻抗。极低的RDS(ON)=4.5V VGS。全特性雪崩电压和电流

数据手册

5+
￥0.7877
50+
￥0.6857
150+
￥0.642
500+
￥0.5875
3000+
￥0.5632
6000+
￥0.5487

有货

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型号：WPM3407-3/TR 编号：C167139

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道，-30V，-4.4A

数据手册

5+
￥0.7916
50+
￥0.6503
150+
￥0.5478
500+
￥0.4633
2500+
￥0.4489
5000+
￥0.4418

有货

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型号：DMG6602SVT-7 编号：C110497

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.8192
50+
￥0.6624
150+
￥0.584
500+
￥0.5252
3000+
￥0.4221
6000+
￥0.3986

有货

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型号：SI1012CR-T1-GE3 编号：C388850

封装：SC-75A

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET，12V额定。 100% Rg测试。栅源ESD保护：1000V。 RoHS合规，无卤。应用：便携式设备的负载/电源开关。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器

数据手册

5+
￥0.8231
50+
￥0.6656
150+
￥0.5868
500+
￥0.5277
3000+
￥0.4805
6000+
￥0.4569

有货

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型号：NCE3010S 编号：C126152

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道，30V，10A，12毫欧低阻款

数据手册

5+
￥0.8253
50+
￥0.6381
150+
￥0.5445
500+
￥0.4743
2500+
￥0.4181
4000+
￥0.39

有货

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型号：AOD4130 编号：C5350886

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V, ID = 30A。 RDS(ON) < 33mΩ @VGS = 10V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥0.8408
50+
￥0.7299
150+
￥0.6824
500+
￥0.6231
2500+
￥0.5967
5000+
￥0.5808

有货

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型号：JSM4407 编号：C917090

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

数据手册

5+
￥0.84584 ￥1.0573
50+
￥0.678 ￥0.8475
150+
￥0.606 ￥0.7575
500+
￥0.51624 ￥0.6453
3000+
￥0.47624 ￥0.5953
6000+
￥0.45224 ￥0.5653

有货

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型号：AO6604 编号：C5182068

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.8493
50+
￥0.667
150+
￥0.5758
500+
￥0.5075
3000+
￥0.43
6000+
￥0.4026

有货

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型号：AO3404A 编号：C30010

封装：SOT-23

品牌：AOS

N沟道,30V,5A,32mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.8922
50+
￥0.6954
150+
￥0.597
500+
￥0.5232
3000+
￥0.4642
6000+
￥0.4346

有货

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型号：AP25P06K 编号：C2995326

封装：TO-252

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP25P06K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。

数据手册

5+
￥0.9064
50+
￥0.7968
150+
￥0.7498
500+
￥0.6912
2500+
￥0.5724
5000+
￥0.5567

有货

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型号：FDS8949 编号：C22358677

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥0.9116
50+
￥0.7961
150+
￥0.7466
500+
￥0.6848
3000+
￥0.6573

有货

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型号：NTR4170NT1G 编号：C236116

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥0.9289
50+
￥0.7396
150+
￥0.645
500+
￥0.5741
3000+
￥0.5173
6000+
￥0.4889

有货

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型号：SI7423DN-TP 编号：C41348117

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥0.94468 ￥0.9944
50+
￥0.82498 ￥0.8684
150+
￥0.77368 ￥0.8144
500+
￥0.70965 ￥0.747
2500+
￥0.68115 ￥0.717
5000+
￥0.66405 ￥0.699

有货

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型号：BSS126H6327 编号：C534596

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N通道。耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

5+
￥0.9448
50+
￥0.7571
150+
￥0.6632
500+
￥0.5929
3000+
￥0.5365
6000+
￥0.5084

有货

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型号：CR4N65A4K 编号：C2758338

封装：TO-252

品牌：CRMICRO(华润微)

CR4N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.0066
50+
￥0.8001
150+
￥0.7116
500+
￥0.6012
2500+
￥0.5418
5000+
￥0.5122

有货

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型号：AP40P04G 编号：C5443713

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：40V，-40A。 RDS(ON) < 13mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -4.5V。先进沟槽技术。获得无铅产品认证。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

5+
￥1.0171
50+
￥0.8554
150+
￥0.7861
500+
￥0.6996
2500+
￥0.6611
5000+
￥0.638

有货

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型号：TMG0069N04DF 编号：C19189166

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：TMC(台懋)

低RDS(ON)。符合RoHS标准且无卤

5+
￥1.01859 ￥1.0722
50+
￥0.805125 ￥0.8475
150+
￥0.713735 ￥0.7513
500+
￥0.59964 ￥0.6312
2500+
￥0.548815 ￥0.5777
5000+
￥0.51832 ￥0.5456

有货

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型号：IRLR8726T 编号：C5261061

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管具备80A的电流承载能力，能在30V电压下稳定工作。其内阻典型值为5mΩ，VGS为20V。适用于要求高电流、低内阻的应用场景，如电源管理、负载开关等，确保系统高效稳定运行。

数据手册

5+
￥1.02561 ￥1.2066
50+
￥0.819995 ￥0.9647
150+
￥0.73185 ￥0.861
500+
￥0.62186 ￥0.7316
2500+
￥0.511445 ￥0.6017
5000+
￥0.482035 ￥0.5671

有货

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型号：NCE3018AS 编号：C163739

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道，30V,18A,7毫欧。

数据手册

5+
￥1.0369
50+
￥0.8017
150+
￥0.6841
500+
￥0.5959
2500+
￥0.5253
4000+
￥0.49

有货

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型号：WSP4435 编号：C148418

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP4435是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4435符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥1.0458 ￥1.162
50+
￥0.84168 ￥0.9352
150+
￥0.7542 ￥0.838
500+
￥0.64503 ￥0.7167
3000+
￥0.54486 ￥0.6054
6000+
￥0.51561 ￥0.5729

有货

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型号：AGM40P30AP 编号：C7431157

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM40P30AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.0516
50+
￥0.8399
150+
￥0.7492
500+
￥0.636
2500+
￥0.573
5000+
￥0.5428

有货

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型号：KND3508A 编号：C116513

封装：TO-252

品牌：KIA

N沟道,80V,70A,11mΩ@10V,场效应管，MOSFET

数据手册

单价：
￥1.058 / 个

有货

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型号：TPM30NP4S6 编号：C5182069

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.0821
50+
￥0.8553
150+
￥0.7581
500+
￥0.6368
3000+
￥0.5095
6000+
￥0.477

有货

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型号：AON7380-MS 编号：C51908786

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款AON7380-MS是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN3X3-8L先进封装，专为大电流、低损耗应用设计。器件具有30V的漏源电压(VDSS)，能在仅6mR的超低导通电阻(RD(on))下，承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，其卓越的电流处理能力和能效表现，使之成为优化系统性能、降低能耗的理想半导体元件。

5+
￥1.0911
50+
￥0.8643
150+
￥0.7671
500+
￥0.6458
2500+
￥0.5918
5000+
￥0.5594

有货

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型号：FDS6912A-TP 编号：C5350843

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.1299
50+
￥0.8804
150+
￥0.7735
500+
￥0.6401
3000+
￥0.5807
6000+
￥0.545

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