mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTZD3155CT1G 编号：C2940634

封装：SOT-563

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.7987
50+
￥0.6403
150+
￥0.5611
500+
￥0.5017
2500+
￥0.4116
4000+
￥0.3878

有货

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型号：AOD444 编号：C5159781

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻。适用于PWM、负载开关和通用应用。

数据手册

5+
￥0.81
50+
￥0.6401
150+
￥0.5552
500+
￥0.4915
2500+
￥0.4255
5000+
￥0.4

有货

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型号：SP40P08ANJ 编号：C41355039

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：Siliup(矽普)

中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-40V,电流：-36A,RDSON:8mR

5+
￥0.84968 ￥0.8944
50+
￥0.66728 ￥0.7024
150+
￥0.57608 ￥0.6064
500+
￥0.50768 ￥0.5344
2500+
￥0.46436 ￥0.4888
5000+
￥0.437 ￥0.46

有货

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型号：FDS6912A-TP 编号：C5350843

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.8513
50+
￥0.74
150+
￥0.6923
500+
￥0.6328
3000+
￥0.6063
6000+
￥0.5904

有货

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型号：AO6604 编号：C5182068

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.8754
50+
￥0.6931
150+
￥0.6019
500+
￥0.5336
3000+
￥0.4561
6000+
￥0.4288

有货

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型号：IRLMS2002TRPBF 编号：C5123957

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.8816
50+
￥0.7074
150+
￥0.6203
500+
￥0.5549
3000+
￥0.4436
6000+
￥0.4175

有货

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型号：NCE6020AK-ES 编号：C22379637

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

5+
￥0.9139
50+
￥0.6831
150+
￥0.5676
500+
￥0.481

有货

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型号：NCE3020Q 编号：C918240

封装：DFN3.3x3.3-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE3020Q采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。

数据手册

5+
￥0.9269
50+
￥0.7166
150+
￥0.6115
500+
￥0.5327
2500+
￥0.4696
5000+
￥0.438

有货

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型号：AOD413A 编号：C5261059

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，具有40V工作电压及高效能的25A电流承载力。专为低压、高效率开关应用设计，应用于各类消费电子产品中，以实现卓越的电源转换效能与系统稳定性，是优化电路的理想选择。

数据手册

5+
￥0.971375 ￥1.0225
50+
￥0.78603 ￥0.8274
150+
￥0.706705 ￥0.7439
500+
￥0.60762 ￥0.6396
2500+
￥0.52668 ￥0.5544
5000+
￥0.50027 ￥0.5266

有货

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型号：ZXM61P02FTA 编号：C150486

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.9797
50+
￥0.7971
150+
￥0.7059
500+
￥0.6374
3000+
￥0.5827
6000+
￥0.5553

有货

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型号：HSS2N15 编号：C2987707

封装：SOT-23

品牌：HUASHUO(华朔)

HSS2N15是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS2N15符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥0.9918
50+
￥0.7902
150+
￥0.7038
500+
￥0.596
3000+
￥0.536
6000+
￥0.5071

有货

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型号：IRF7309TRPBF 编号：C5123894

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池保护。负载开关

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5+
￥1.0011
50+
￥0.8856
150+
￥0.8361
500+
￥0.7743
3000+
￥0.6572
6000+
￥0.6407

有货

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型号：SI4410DY 编号：C5350861

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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5+
￥1.0023
50+
￥0.8868
150+
￥0.8373
500+
￥0.7755
3000+
￥0.748
6000+
￥0.7315

有货

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型号：AGM150P10S 编号：C22364309

封装：SOP-8

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM150P10S将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.01
50+
￥0.7983
150+
￥0.7076
500+
￥0.5944
3000+
￥0.4999

有货

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型号：BSN20BKR 编号：C118033

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道,60V,0.265A,2.8Ω@10V

数据手册

5+
￥1.013
50+
￥0.8114
150+
￥0.725
500+
￥0.598684 ￥0.6172
3000+
￥0.551833 ￥0.5689
6000+
￥0.523897 ￥0.5401

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型号：KND3508A 编号：C116513

封装：TO-252

品牌：KIA

N沟道,80V,70A,11mΩ@10V,场效应管，MOSFET

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单价：
￥1.0285 / 个

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型号：BMI403NP1136 编号：C42387580

封装：TO-252-4L

品牌：BORN(伯恩半导体)

N沟道+P沟道 Vds=30V ID=45A

5+
￥1.0327
50+
￥0.816
150+
￥0.7231
500+
￥0.6072
2500+
￥0.5556
5000+
￥0.5246

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型号：Si7850DP-HXY 编号：C5148670

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管具有30A的电流承载能力，60V的电压耐受性，内阻典型值为20mΩ，适用于高电流、低内阻需求的场景。其VGS为20V，确保了良好的开关控制性能。适用于多种应用，包括但不限于电源管理、负载开关等。

数据手册

5+
￥1.06343 ￥1.1194
50+
￥0.86089 ￥0.9062
150+
￥0.774155 ￥0.8149
500+
￥0.665855 ￥0.7009
2500+
￥0.549195 ￥0.5781
5000+
￥0.52022 ￥0.5476

有货

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型号：FDC640P 编号：C5197382

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池组。便携式设备

数据手册

5+
￥1.0941
50+
￥0.8724
150+
￥0.7773
500+
￥0.6587
3000+
￥0.5443
6000+
￥0.5126

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型号：AO4266-MS 编号：C3008148

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

AO4266-MS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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5+
￥1.11188 ￥1.1704
50+
￥0.89642 ￥0.9436
150+
￥0.80408 ￥0.8464
500+
￥0.688845 ￥0.7251
3000+
￥0.539125 ￥0.5675
6000+
￥0.508345 ￥0.5351

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型号：IRF9317TR(UMW) 编号：C7588052

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = -30V。 ID = -16A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 6.6mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 10.2mΩ (VGS = -4.5V)。 Industry-Standard SO8 Package。 RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

5+
￥1.1192
50+
￥0.8709
150+
￥0.7645
500+
￥0.6317
3000+
￥0.5726
6000+
￥0.5371

有货

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型号：SSM3K361R,LF 编号：C5444678

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

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5+
￥1.1233
50+
￥0.8713
150+
￥0.7633
500+
￥0.6286
3000+
￥0.5686
6000+
￥0.5326

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型号：AO4441(UMW) 编号：C5447653

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻和超低栅极电荷。 VDS(V) = -60V。 ID = -4A（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 100mΩ（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 130mΩ（VGS = -4.5V）

5+
￥1.126
50+
￥0.8829
150+
￥0.7788
500+
￥0.6488
3000+
￥0.5909
6000+
￥0.5562

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型号：DOD50P06 编号：C41430590

封装：TO-252

品牌：DOINGTER(杜因特)

P管/-60V/-50A/20mΩ/(典型17mΩ)

5+
￥1.1356
50+
￥0.9943
150+
￥0.9337
500+
￥0.8581
2500+
￥0.8043
5000+
￥0.7841

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型号：AP3908GD 编号：C2858409

封装：PDFN5X6-8L

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：N沟道：VDD = 30V，ID = 36A，当VGS = 10V时，RDS(ON) < 13mΩ；当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 19mΩ。 P沟道：VDD = -30V，ID = -25A，当VGS = -10V时，RDS(ON) < 23mΩ；当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 34mΩ。获得无铅产品认证。高功率和电流处理能力。表面贴装封装。应用：PWM应用。负载开关

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