mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CMSA070N10 编号：C41410545

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA070N10采用先进的SGT技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

5+
￥1.979135 ￥2.0833
50+
￥1.559425 ￥1.6415
150+
￥1.379495 ￥1.4521
500+
￥1.155105 ￥1.2159
2500+
￥1.03018 ￥1.0844
5000+
￥0.970235 ￥1.0213

有货

立即购买

型号：WSD2090DN56 编号：C2880521

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD2090DN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD2090DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS保证，并经过完整功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.007 ￥2.23
10+
￥1.61235 ￥1.7915
30+
￥1.44324 ￥1.6036
100+
￥1.23219 ￥1.3691
500+
￥1.13823 ￥1.2647
1000+
￥0.99567 ￥1.1063

有货

立即购买

型号：XR80P04F 编号：C42456984

封装：PDFN5060-8L

品牌：XNRUSEMI(新锐)

高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量（EAS），具备完整功能可靠性认证。

5+
￥2.00889 ￥2.2321
50+
￥1.60992 ￥1.7888
150+
￥1.43892 ￥1.5988
500+
￥1.22562 ￥1.3618
2500+
￥1.13058 ￥1.2562
5000+
￥1.07361 ￥1.1929

有货

立即购买

型号：AON6407 编号：C7603355

封装：DFN-8(5x6)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -30V，ID = -100A。 RDS(ON) < 4.1mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 6.6mΩ @ VGS = -4.5V。先进的沟槽技术。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。无铅。应用：PWM应用。负载开关

1+
￥2.01 ￥2.68
10+
￥1.7925 ￥2.39
30+
￥1.6875 ￥2.25
100+
￥1.5825 ￥2.11
500+
￥1.515 ￥2.02
1000+
￥1.485 ￥1.98

有货

立即购买

型号：IRFR9024N 编号：C5246439

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

IRFR9024NTRTBF Pin to PIN 标准参数Vth:3.0

数据手册

5+
￥2.016
50+
￥1.6128
150+
￥1.44
500+
￥1.2244
2500+
￥1.0541
5000+
￥0.9964

有货

立即购买

型号：SI4401DDY 编号：C5197357

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -40V，ID = 12A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V。高功率和电流处理能力。无铅产品。表面贴装封装

数据手册

5+
￥2.0254
50+
￥1.5818
150+
￥1.3918
500+
￥1.1018
3000+
￥0.9962
6000+
￥0.9328

有货

立即购买

型号：TPIRF7495TRPBF 编号：C42437035

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥2.065
50+
￥1.6215
150+
￥1.4314
500+
￥1.1942
3000+
￥1.0886

有货

立即购买

型号：PMV130ENEAR-JSM 编号：C53114266

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：2.1A 导通电阻(RDS(on))：120mΩ 耗散功率(Pd)：1W 阈值电压(Vgs(th))：2.5V

5+
￥2.082
50+
￥1.6492
150+
￥1.4637
500+
￥1.2323

有货

立即购买

型号：AGM605Q 编号：C5373101

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM605Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥2.10542 ￥2.2885
50+
￥1.664924 ￥1.8097
150+
￥1.47614 ￥1.6045
500+
￥1.24062 ￥1.3485
3000+
￥1.111268 ￥1.2079
6000+
￥1.048248 ￥1.1394

有货

立即购买

型号：TPSI4850EY 编号：C5197348

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V, ID = 9A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V (Typ:12mΩ)。高功率和大电流处理能力。无铅产品。表面贴装封装

数据手册

5+
￥2.1061
50+
￥1.6792
150+
￥1.4963
500+
￥1.268
3000+
￥1.0478
6000+
￥0.9868

有货

立即购买

型号：STN4NF20L 编号：C7603336

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 200V。 ID = 1.0A @VGS=10V。 RDS(ON) ≤ 1.35Ω @VGS=10V。 SOT-223封装。应用：电源。功率因数校正

5+
￥2.1119
50+
￥1.6583
150+
￥1.4639
500+
￥1.2214
2500+
￥1.1134
5000+
￥1.0485

有货

立即购买

型号：FDC5614P 编号：C48167

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-60V,-3A,105mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.1639
50+
￥1.6795
150+
￥1.4719
500+
￥1.2129
3000+
￥1.0976
6000+
￥1.0284

有货

立即购买

型号：RCQ5402 编号：C5137062

封装：DFN5x6-8

品牌：RealChip(正芯半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别调整，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥2.1659
50+
￥1.7123
150+
￥1.5179
500+
￥1.2214
2500+
￥1.1134

有货

立即购买

型号：AO4882 编号：C477943

封装：SOIC-8

品牌：AOS

使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。这是一种通用器件，适用于广泛的功率转换应用。

数据手册

5+
￥2.1727
50+
￥1.7483
150+
￥1.5665
500+
￥1.3396
3000+
￥1.1889

有货

立即购买

型号：TPH1R403NL-JSM 编号：C42449166

封装：DFN5x6-8L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压30V，峰值电流高达150A，特别适用于空间受限且需要高效能开关控制的电路设计，如电源转换、负载开关及电池管理系统等应用。

5+
￥2.2016
50+
￥1.7077
150+
￥1.496
500+
￥1.2319
2500+
￥1.2123

有货

立即购买

型号：CJU40P04A 编号：C3034804

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJU40P04A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用场景。

数据手册

5+
￥2.2357
50+
￥1.8072
150+
￥1.6235
500+
￥1.3944
2500+
￥1.2924

有货

立即购买

型号：SI4401BDY 编号：C5197356

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -40V, ID = 12A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V。高功率和电流处理能力。采用无铅产品。表面贴装封装

数据手册

5+
￥2.2366
50+
￥1.7931
150+
￥1.603
500+
￥1.313
3000+
￥1.2074
6000+
￥1.144

有货

立即购买

型号：SI2336DS-T1-GE3 编号：C727324

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用：DC/DC转换器。升压转换器

数据手册

5+
￥2.2378
50+
￥1.7833
150+
￥1.5885
500+
￥1.3455
3000+
￥1.2373
6000+
￥1.1723

有货

立即购买

型号：XRS130N10HF 编号：C42457068

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：Split Gate Trench MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

1+
￥2.259 ￥2.51
10+
￥2.016 ￥2.24
30+
￥1.899 ￥2.11
100+
￥1.773 ￥1.97
500+
￥1.701 ￥1.89
1000+
￥1.665 ￥1.85

有货

立即购买

型号：NCE40H12K 编号：C148243

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE40H12K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。

数据手册

5+
￥2.27
50+
￥1.75
150+
￥1.52
500+
￥1.24
2500+
￥1.12
5000+
￥1.04

有货

立即购买

型号：IRLR2908TRPBF-TP 编号：C18197829

封装：TO-252-2L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

1+
￥2.27
10+
￥2
30+
￥1.86
100+
￥1.73
500+
￥1.65
1000+
￥1.61

有货

立即购买

型号：AO4618-JSM 编号：C7462819

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

1+
￥2.2792 ￥2.59
10+
￥1.7952 ￥2.04
30+
￥1.584 ￥1.8
100+
￥1.3288 ￥1.51
500+
￥1.2056 ￥1.37
1000+
￥1.1352 ￥1.29

有货

立即购买

型号：FDD4141 编号：C5370995

封装：TO-252-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -40V。 ID = -50A。 RDS(ON) < -13mΩ @ VGS = -10V (Type:9.0mΩ)。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥2.3231
50+
￥1.8241
150+
￥1.6103
500+
￥1.3435
2500+
￥1.2247
5000+
￥1.1534

有货

立即购买

型号：SI4946BEY-T1-E3-VB 编号：C5878845

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；