mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥4.48
30+
￥3.92
100+
￥3.36
500+
￥3.03
1000+
￥2.86

有货

立即购买

型号：CSD18511Q5A 编号：C701747

封装：SON-8(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD18511Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥5.69
10+
￥4.64
30+
￥4.12
100+
￥3.6
500+
￥3.29
1000+
￥3.13

有货

立即购买

型号：PMV15ENEAR 编号：C553080

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥5.71
10+
￥4.74
30+
￥4.26
100+
￥3.78
500+
￥3.49
1000+
￥3.34

有货

立即购买

型号：CSD17575Q3 编号：C529277

封装：VSON-CLIP-8(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD17575Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥5.71
10+
￥4.61
30+
￥4.07
100+
￥3.53
500+
￥2.77
1000+
￥2.6

有货

立即购买

型号：TPHR8504PL,LQ(M1W 编号：C22388172

封装：DFN-8(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥5.84
10+
￥4.67
30+
￥4.09
100+
￥3.51
500+
￥3.16
1000+
￥2.98

有货

立即购买

型号：SP85N01GHTO 编号：C22466786

封装：TOLL-8L

大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：85V，电流：390A,Rdson：1.2mR

1+
￥5.8615 ￥6.17
10+
￥4.6835 ￥4.93
30+
￥4.0945 ￥4.31
100+
￥3.515 ￥3.7
500+
￥3.363 ￥3.54
1000+
￥3.1825 ￥3.35

有货

立即购买

型号：NCEP035N85GU 编号：C2686769

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 QG 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。

数据手册

1+
￥5.93
10+
￥4.68
30+
￥4.06
100+
￥3.44
500+
￥3.08
1000+
￥2.88

有货

立即购买

型号：TPSTD3NK100Z 编号：C42437048

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥5.96
10+
￥4.77
30+
￥4.18
100+
￥3.59
500+
￥3.24
1000+
￥3.06

有货

立即购买

型号：SI7288DP-T1-GE3 编号：C126988

封装：PowerPAKSO-8

N沟道

数据手册

1+
￥5.96
10+
￥4.87
30+
￥4.32
100+
￥3.78
500+
￥2.89
1000+
￥2.73

有货

立即购买

型号：TPSI4090DY-T1-GE3 编号：C53100651

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

1+
￥6.07
10+
￥4.88
30+
￥4.29
100+
￥3.7
500+
￥3.35
1000+
￥3.17

有货

立即购买

型号：SL142N06Q 编号：C18208610

封装：PDFN5x6-8

品牌：Slkor(萨科微)

特性：快速开关速度。可靠且耐用。符合ROHS标准且无卤。 100%进行UIS和Rg测试。应用：开关和同步整流。无刷直流电机

1+
￥6.07
10+
￥4.9
30+
￥4.32
100+
￥3.74
500+
￥3.4
1000+
￥3.22

有货

立即购买

型号：IRF5210STRLPBF 编号：C2622

封装：D2PAK

P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.18
10+
￥5.03
30+
￥4.46
100+
￥3.89
500+
￥3.08
800+
￥2.9

有货

立即购买

型号：MDDG06R01L 编号：C50176503

封装：TOLL

品牌：MDD(辰达半导体)

60V N通道增强模式MOSFET

1+
￥6.23
10+
￥5.02
30+
￥4.41
100+
￥3.81
500+
￥3.45
1000+
￥3.26

有货

立即购买

型号：SP010N01AGHTO 编号：C42460868

封装：TOLL

特性：快速开关。低栅极电荷和导通电阻。先进的分裂栅沟槽技术。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：PWM应用。硬开关和高频电路

1+
￥6.3555 ￥6.69
10+
￥5.2535 ￥5.53
30+
￥4.6455 ￥4.89
100+
￥3.9615 ￥4.17
500+
￥3.724 ￥3.92
1000+
￥3.5815 ￥3.77

有货

立即购买

型号：SQJ459EP-T1_GE3 编号：C3289501

封装：PowerPAKSO-8L

特性：TrenchFET功率MOSFET。100% Rg和UIS测试。AEC-Q101认证。材料分类：如需了解合规定义，请参阅相关文档

1+
￥6.37
10+
￥5.2
30+
￥4.62
100+
￥4.05
500+
￥3.7
1000+
￥3.52

有货

立即购买

型号：IRFP260MPBF 编号：C2679

封装：TO-247AC

N沟道,200V,50A,40mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.54
10+
￥5.42
25+
￥4.06
100+
￥3.5
400+
￥3.17
800+
￥2.99

有货

立即购买

型号：NCE65T260K 编号：C326373

封装：TO-252

品牌：NCE(无锡新洁能)

该系列器件采用先进的沟槽栅超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。

数据手册

1+
￥6.59
10+
￥5.2
30+
￥4.51
100+
￥3.83
500+
￥3.42
1000+
￥3.2

有货

立即购买

型号：BUK7K17-60EX 编号：C478237

封装：LFPAK56D

品牌：Nexperia(安世)

双标准电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56D（双 Power-SO8）。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。

数据手册

1+
￥6.63
10+
￥6.05
30+
￥5.74
100+
￥5.111 ￥5.38
500+
￥4.9685 ￥5.23
1500+
￥4.8925 ￥5.15

有货

立即购买

型号：BSC117N08NS5 编号：C3278730

封装：TDSON-8

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥6.74
10+
￥5.48
30+
￥4.85
100+
￥4.22
500+
￥3.85
1000+
￥3.66

有货

立即购买

型号：SQJ974EP-T1_GE3 编号：C727845

封装：PowerPAK-SO-8-4

1+
￥6.74
10+
￥5.52
30+
￥4.85
100+
￥3.8855 ￥4.09
500+
￥3.5625 ￥3.75
1000+
￥3.42 ￥3.6

有货

立即购买

型号：IRF4905S 编号：C5337969

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

IRF4905S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻RDS(ON)。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，适用于各种其他应用。

1+
￥7.23
10+
￥6.03
30+
￥5.37
100+
￥4.62
500+
￥4.14
800+
￥3.99

有货

立即购买

型号：NCEP40PT15D 编号：C918237

封装：TO-263-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCEP40PT15D采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用

数据手册

1+
￥7.45
10+
￥5.89
30+
￥5.1
100+
￥4.33
500+
￥3.86
800+
￥3.62

有货

立即购买

型号：IPT012N08N5(TOKMAS) 编号：C19626224

封装：HSOF-8

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：表面贴装封装 Super Trench。先进的沟槽单元设计。 MSL1。应用：BMS。无人机

1+
￥7.515 ￥8.35
10+
￥6.156 ￥6.84
30+
￥5.409 ￥6.01
100+
￥4.788 ￥5.32
500+
￥4.41 ￥4.9
1000+
￥4.239 ￥4.71

有货

立即购买

型号：SP020N08GHTO 编号：C45351235

封装：TOLL

大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：200V，电流：150A,Rdson：8mR

1+
￥7.619 ￥8.02
10+
￥6.289 ￥6.62
30+
￥5.5575 ￥5.85
100+
￥4.8735 ￥5.13
500+
￥4.503 ￥4.74
1000+
￥4.3415 ￥4.57

有货

立即购买

型号：SP010P09GHTO 编号：C42404760

封装：TOLL

大电流SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-100V，电流： -150A,Rdson：9mR

1+
￥8.094 ￥8.52
10+
￥6.669 ￥7.02
30+
￥5.8805 ￥6.19
100+
￥4.997 ￥5.26
500+
￥4.826 ￥5.08
1000+
￥4.6455 ￥4.89

有货

立即购买

型号：IRFB3077PBF 编号：C2641

封装：TO-220AB

N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.27
10+
￥7.77
50+
￥6.18
100+
￥5.25
600+
￥4.84
900+
￥4.65

有货

立即购买

型号：SP010N02GHTF 编号：C22385381

封装：TO-247

大电流SGT MOSFET产品

1+
￥9.46
10+
￥7.78
30+
￥7.2
100+
￥6.15
500+
￥5.69

有货

立即购买

型号：DN2540N8-G 编号：C145573

封装：SOT-89

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有所有 MOS 结构的特性，无热失控和热致二次击穿问题。非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

数据手册

1+
￥10.17
10+
￥8.49
30+
￥7.56
100+
￥6.52
500+
￥6.06
1000+
￥5.85

有货

立即购买

型号：SI7469DP-T1-GE3 编号：C467910

封装：PowerPAKSO-8