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价格(含税)

库存

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：WNM2016-3/TR-VB 编号：C6705334

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.39349 ￥0.4142
100+
￥0.31141 ￥0.3278
300+
￥0.27037 ￥0.2846
3000+
￥0.24814 ￥0.2612
6000+
￥0.223535 ￥0.2353
9000+
￥0.211185 ￥0.2223

有货

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P沟道耐压:30V 电流:3.8A

型号：DMG2307L-7 编号：C102620

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道， -30V -3.8A 90mΩ

数据手册

10+
￥0.2647
100+
￥0.2327
300+
￥0.2167
3000+
￥0.2047
6000+
￥0.1951
9000+
￥0.1903

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:100mA

型号：RZM001P02T2L 编号：C308762

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低电压驱动（1.2V），适用于便携式设备。驱动电路简单。内置G-S保护二极管。应用：开关

数据手册

20+
￥0.2669
200+
￥0.2048
600+
￥0.1703
2000+
￥0.1496
8000+
￥0.1316
16000+
￥0.122

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:1.3A

型号：FDN352AP(UMW) 编号：C5252441

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：这些器件非常适合用于需要低在线功率损耗的低压和电池供电应用，采用非常小的外形表面贴装封装。 VDSS(V) = 30V。 ID(VGS = -10V) = -1.3A。 RDSS(O)(VGS = -10V) ≤ 180mΩ。 RDSS(O)(VGS = -4.5V) ≤ 300mΩ。应用：笔记本电脑电源管理

数据手册

10+
￥0.2696
100+
￥0.2136
300+
￥0.1856
3000+
￥0.1451
6000+
￥0.1283
9000+
￥0.1199

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.3A

型号：LP2301LT1G 编号：C77937

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

P沟道,-20V,-2.8A,100mΩ@-4.5V,功能与引脚同SI2301

数据手册

10+
￥0.2726
100+
￥0.2187
300+
￥0.1918
3000+
￥0.1716
6000+
￥0.1554
9000+
￥0.1474

有货

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1个P沟道耐压:12V

型号：LP2305DSLT1G 编号：C172435

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

P沟道,12V,4A,68mΩ@4.5V

数据手册

10+
￥0.2865
100+
￥0.2296
300+
￥0.2012
3000+
￥0.1799
6000+
￥0.1628
9000+
￥0.1543

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：BLM3400 编号：C169245

封装：SOT-23

品牌：BL(上海贝岭)

N沟道，30V,5.8A

数据手册

10+
￥0.2966
100+
￥0.2372
300+
￥0.2075
3000+
￥0.1852
6000+
￥0.1674
9000+
￥0.1585

有货

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P沟道,电流:-3.7A,耐压:-20V

型号：IRLML6402 编号：C2886430

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：VDS = -20V, RDS(ON) ≤ 65mΩ @VGS = -4.5V, ID = -3.7A。超低导通电阻。 P沟道MOSFET。快速开关

数据手册

10+
￥0.29697 ￥0.3126
100+
￥0.237595 ￥0.2501
300+
￥0.207955 ￥0.2189
3000+
￥0.178315 ￥0.1877
6000+
￥0.16055 ￥0.169
9000+
￥0.15162 ￥0.1596

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AP2317A 编号：C2828580

封装：SOT-23-3

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP2317A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

数据手册

10+
￥0.2979
100+
￥0.2655
300+
￥0.2493
3000+
￥0.1881
6000+
￥0.1784
9000+
￥0.1735

有货

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P沟道耐压:20V 电流:3A

型号：SI2301ADS 编号：C2841445

封装：SOT-23-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.3205
100+
￥0.2826
300+
￥0.2636
3000+
￥0.2151
6000+
￥0.2037
9000+
￥0.198

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.4A

型号：TPCJ2101 编号：C708739

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.3242
100+
￥0.2608
300+
￥0.2291
3000+
￥0.1837
6000+
￥0.1647
9000+
￥0.1551

有货

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PMV250EPEAR-JSM

型号：PMV250EPEAR-JSM 编号：C53113952

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：1.5A 导通电阻(RDS(on))：240mΩ@10V,1.3A 耗散功率(Pd)：890mW 阈值电压(Vgs(th))：2.5V

10+
￥0.3531
100+
￥0.2813
300+
￥0.2454
3000+
￥0.2184
6000+
￥0.1969
9000+
￥0.1861

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100mA

型号：2SK3018T106 编号：C113315

封装：SOT-323

品牌：ROHM(罗姆)

N沟道,30V,100mA

数据手册

10+
￥0.3655
100+
￥0.2963
300+
￥0.2616
3000+
￥0.2073
6000+
￥0.1866
9000+
￥0.1762

有货

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耐压:60V 电流:3A

型号：AO3422 编号：C5122003

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：Load/Power Switching。Interfacing Switching。Battery Management for Ultra Small Portable。Logic Level Shift

数据手册

10+
￥0.3685
100+
￥0.2929
300+
￥0.2551
3000+
￥0.2199
6000+
￥0.1972
9000+
￥0.1859

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:6.5A

型号：AP9926 编号：C353066

封装：SOP-8

品牌：ALLPOWER(铨力)

SOP-8塑封封装N沟道PowerTrenchMOS双场效应管。

数据手册

10+
￥0.3948
100+
￥0.2974
300+
￥0.2486
1000+
￥0.2121
4000+
￥0.1829
8000+
￥0.1682

有货

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N沟道MOSFET

型号：TPM2025NP3 编号：C49230916

封装：DFN1006-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

10+
￥0.4322
100+
￥0.3386
300+
￥0.2918
1000+
￥0.2567
5000+
￥0.2286

有货

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耐压:60V 电流:0.5A

型号：BSS83P 编号：C7472872

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电话机中的线路电流中断器。高速和线路变压器驱动器

10+
￥0.4353
100+
￥0.3393
300+
￥0.2913
3000+
￥0.2553
6000+
￥0.2265
9000+
￥0.212

有货

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P沟道耐压:20V 电流:4.1A

型号：DMG2305UX 编号：C2940629

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.4426
50+
￥0.3926
150+
￥0.3677
500+
￥0.3489
3000+
￥0.2848
6000+
￥0.2773

有货

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30V双N沟道MOSFET

型号：PMGD175XNEX-TP 编号：C48543208

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥0.46531 ￥0.4898
50+
￥0.36499 ￥0.3842
150+
￥0.31483 ￥0.3314
500+
￥0.27721 ￥0.2918
3000+
￥0.247095 ￥0.2601
6000+
￥0.23199 ￥0.2442

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:3A

型号：NCE6003Y 编号：C102609

封装：SOT-23-3L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道，60V，3A，105毫欧。

数据手册

5+
￥0.5185
50+
￥0.4009
150+
￥0.3421
1500+
￥0.298
3000+
￥0.2627
4500+
￥0.245

有货

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2个P沟道耐压:30V

型号：CJL2623 编号：C139831

封装：SOT-23-6

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

双P沟 30V 3A

数据手册

5+
￥0.5197
50+
￥0.4231
150+
￥0.3748
500+
￥0.3386
3000+
￥0.2936
6000+
￥0.2791

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:2.6A

型号：AO3409 编号：C88052

封装：SOT-23

P沟 -30V -2.6A

数据手册

5+
￥0.5238
50+
￥0.4229
150+
￥0.3725
500+
￥0.3347
3000+
￥0.2684
6000+
￥0.2532

有货

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耐压:40V 电流:15A

型号：TPNCE4009S 编号：C41348294

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥0.53074 ￥0.7582
50+
￥0.41314 ￥0.5902
150+
￥0.35434 ￥0.5062
500+
￥0.31024 ￥0.4432
3000+
￥0.27496 ￥0.3928
6000+
￥0.25725 ￥0.3675

有货

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双N沟道20V快速开关MOSFET

型号：XR8814A 编号：C42456727

封装：TSSOP-8

品牌：XNRUSEMI(新锐)

是低RDSON trenched NCH MOSFETs，具有强大的ESD保护功能。该产品适用于锂离子电池组应用，符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.53091 ￥0.5899
50+
￥0.42291 ￥0.4699
150+
￥0.36882 ￥0.4098
500+
￥0.32832 ￥0.3648
2500+
￥0.29592 ￥0.3288
5000+
￥0.27972 ￥0.3108

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.3A

型号：AO3481C 编号：C541721

封装：SOT-23-3

沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS标准且无卤

数据手册

5+
￥0.5612
50+
￥0.458
150+
￥0.4064
500+
￥0.3677
3000+
￥0.2993
6000+
￥0.2838

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:1A

型号：1N60G 编号：C347324

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

G表示SOT-223封装

数据手册

5+
￥0.5908
50+
￥0.4547
150+
￥0.3866
500+
￥0.3356
2500+
￥0.2835
5000+
￥0.263

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:1A

型号：1N65G 编号：C404319

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = 650 V。 ID = 1 A。 RDS(ON) = 8.5 Ω

数据手册

5+
￥0.6503
50+
￥0.5146
150+
￥0.4467
500+
￥0.3958
2500+
￥0.3204
5000+
￥0.3

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:2.5A

型号：SSM3K318R,LF 编号：C146333

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)；RDS(ON) = 107 mΩ (max) (@VGS = 10 V)。应用：负载开关。超高速开关

数据手册

5+
￥0.6529
50+
￥0.5089
150+
￥0.4369
500+
￥0.3829
3000+
￥0.3397
6000+
￥0.318

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:1.2A

型号：IRLML2060TRPBF 编号：C67275

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,1.2A,480mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.6816
50+
￥0.5616
150+
￥0.5016
500+
￥0.4566
3000+
￥0.3431
6000+
￥0.3251

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:2.7A

型号：IRLML2030TRPBF 编号：C82054

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,2.7A,100mΩ@2.7A,10V

数据手册

5+
￥0.6891
50+
￥0.5477
150+
￥0.4771
500+
￥0.4241
3000+
￥0.3363
6000+
￥0.3151

有货

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