mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CJ2303 编号：C68491

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道,-30V,-1.9A,190mΩ@-10V

数据手册

20+
￥0.2469
200+
￥0.1956
600+
￥0.1671
3000+
￥0.15
9000+
￥0.1351

有货

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型号：DMG3415U 编号：C7202986

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -20V，ID = -4A。 RDS(ON) < 36mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 49mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD Rating: 2500V HBM。应用：负载/电源开关。接口开关

10+
￥0.2503
100+
￥0.2195
300+
￥0.2041
3000+
￥0.1925
6000+
￥0.1833
9000+
￥0.1787

有货

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型号：PMV65XPER 编号：C28646376

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

10+
￥0.261535 ￥0.2753
100+
￥0.20387 ￥0.2146
300+
￥0.17499 ￥0.1842
3000+
￥0.153425 ￥0.1615
6000+
￥0.13604 ￥0.1432
9000+
￥0.127395 ￥0.1341

有货

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型号：AO3415 编号：C5350989

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.2645
200+
￥0.2013
600+
￥0.1662
3000+
￥0.1451
9000+
￥0.1269
21000+
￥0.117

有货

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型号：AP2317A 编号：C2828580

封装：SOT-23-3

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP2317A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

数据手册

10+
￥0.2823
100+
￥0.2499
300+
￥0.2337
3000+
￥0.1726
6000+
￥0.1629
9000+
￥0.158

有货

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型号：DMN63D8L-7 编号：C338876

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

20+
￥0.2838
200+
￥0.2352
600+
￥0.2081
3000+
￥0.1919
9000+
￥0.1779

有货

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型号：AO3404A 编号：C7603369

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V, ID = 5.8A，RDS(ON) < 31mΩ @ VGS = 10V，RDS(ON) < 43mΩ @ VGS = 4.5V。高功率和电流处理能力。获取无铅产品。表面贴装封装。应用：负载开关。PWM应用

10+
￥0.2868
100+
￥0.2244
300+
￥0.1932
3000+
￥0.1698
6000+
￥0.1511
9000+
￥0.1417

有货

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型号：SI2343CDS-TP 编号：C41348107

封装：SOT-23-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

10+
￥0.305
100+
￥0.2426
300+
￥0.2114
3000+
￥0.188
6000+
￥0.1693
9000+
￥0.1599

有货

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型号：DMP2165UW-7 编号：C388477

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.3136
100+
￥0.2775
300+
￥0.2594
3000+
￥0.2459
6000+
￥0.235
9000+
￥0.2296

有货

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型号：FDN338P 编号：C2890130

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.3331
100+
￥0.2644
300+
￥0.2301
3000+
￥0.1911
6000+
￥0.1705
9000+
￥0.1602

有货

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型号：SSM3K324R,LF 编号：C395455

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册

10+
￥0.3481
100+
￥0.2713
300+
￥0.2329
3000+
￥0.2041
6000+
￥0.1811
9000+
￥0.1696

有货

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型号：AO3422 编号：C5122003

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：Load/Power Switching。Interfacing Switching。Battery Management for Ultra Small Portable。Logic Level Shift

数据手册

10+
￥0.3685
100+
￥0.2929
300+
￥0.2551
3000+
￥0.2199
6000+
￥0.1972
9000+
￥0.1859

有货

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型号：JSM4953 编号：C917085

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。

数据手册

10+
￥0.41905 ￥0.493
100+
￥0.330905 ￥0.3893
300+
￥0.286875 ￥0.3375
3000+
￥0.25381 ￥0.2986
6000+
￥0.227375 ￥0.2675
12000+
￥0.214115 ￥0.2519

有货

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型号：DMP3160L-7 编号：C110540

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4212
100+
￥0.3347
300+
￥0.2914
3000+
￥0.259
6000+
￥0.233
9000+
￥0.22

有货

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型号：2N7002VC 编号：C5310960

封装：SOT-563

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有绿色环保型号。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

数据手册

10+
￥0.431
100+
￥0.3446
300+
￥0.3014
3000+
￥0.2523
6000+
￥0.2264
9000+
￥0.2134

有货

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型号：TPM2025NP3 编号：C49230916

封装：DFN1006-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

10+
￥0.4322
100+
￥0.3386
300+
￥0.2918
1000+
￥0.2567
5000+
￥0.2286
10000+
￥0.2145

有货

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型号：DMG2302U-7 编号：C96613

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

N管 20V 4.2A 汽车级AEC-Q101

数据手册

10+
￥0.4438
100+
￥0.3575
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2819
6000+
￥0.256
9000+
￥0.243

有货

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型号：NDS355N 编号：C19829414

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V，ID = 2A。 RDS(ON) < 90mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 120mΩ @ VGS = 2.5V。应用：负载开关。 PWM应用

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2783
6000+
￥0.2495
9000+
￥0.235

有货

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型号：AO3415M-6AF 编号：C48587102

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-20V,-5A,30mΩ@-4.5V

5+
￥0.4648
50+
￥0.3642
150+
￥0.3138
500+
￥0.2761
3000+
￥0.2459
6000+
￥0.2307

有货

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型号：DMP3056L-7 编号：C150724

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款新一代MOSFET的设计旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4675
100+
￥0.375
300+
￥0.3288
3000+
￥0.2941
6000+
￥0.2664
9000+
￥0.2525

有货

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型号：NTD25P03LG(UMW) 编号：C5354980

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = -30V。 RDS(ON) < 43mΩ(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 52mΩ(VGS = -2.5V)。 Halogen-free。应用：Load Switch。 Notebook Adaptor Switch

5+
￥0.4917
50+
￥0.4308
150+
￥0.4003
500+
￥0.3775
2500+
￥0.3592
5000+
￥0.3501

有货

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型号：4953 编号：C717603

封装：SO-8

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻：VDS = -30V，ID = -5.1A，RDS(ON) ≤ 55mΩ，VGS = -10V。低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用。表面贴装器件

数据手册

5+
￥0.496565 ￥0.5227
50+
￥0.397195 ￥0.4181
150+
￥0.347415 ￥0.3657
500+
￥0.310175 ￥0.3265
3000+
￥0.269895 ￥0.2841
6000+
￥0.25498 ￥0.2684

有货

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型号：NDS0605 编号：C124476

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册