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价格(含税)

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.2A

型号：2N7002 编号：C306856

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,N-channel 60V/20V 0.2A VGS(th)=1V 7.5Ω（MAX)0,SOT-23

数据手册

50+
￥0.1266
500+
￥0.1006
3000+
￥0.0852
6000+
￥0.0765
24000+
￥0.069
51000+
￥0.065

有货

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N沟道超结功率MOSFET II

型号：NCE65TF099D 编号：C502879

封装：TO-263

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供低栅极电荷的出色导通电阻。适合行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC-DC 开关电源要求。

1+
￥13.329 ￥14.81
10+
￥11.106 ￥12.34
30+
￥9.72 ￥10.8
100+
￥8.298 ￥9.22
500+
￥7.65 ￥8.5
800+
￥7.371 ￥8.19

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:220A

型号：AGM15T03LL 编号：C17701044

封装：TOLL-8L

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM15T03LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

1+
￥13.4412 ￥14.61
10+
￥11.4448 ￥12.44
30+
￥10.1936 ￥11.08
100+
￥8.1144 ￥8.82
500+
￥7.544 ￥8.2
1000+
￥7.2864 ￥7.92

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:140A

型号：NCEP15T14T 编号：C2686614

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCEP15T14T采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥14.3925 ￥15.15
10+
￥11.9985 ￥12.63
30+
￥10.4975 ￥11.05
90+
￥8.9585 ￥9.43
510+
￥8.265 ￥8.7
990+
￥7.961 ￥8.38

有货

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耐压:300V 电流:135A

型号：SP13HF30TO 编号：C42404764

封装：TOLL

品牌：Siliup(矽普)

超结 MOSFET产品，N沟道，耐压：300V，电流：135A, Rdson：13mR，带快恢复

1+
￥16.5965 ￥17.47
10+
￥13.984 ￥14.72
30+
￥12.3595 ￥13.01
100+
￥11.2955 ￥11.89
500+
￥10.545 ￥11.1
1000+
￥10.2125 ￥10.75

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:54A

型号：IPW60R037CSFD 编号：C454260

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolIMOS是一项针对高压功率MOSFET的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。IPW60R037CSFD是一款经过优化的器件，专门针对车载外电动汽车充电细分市场。由于其栅极电荷（Qg）低且开关性能得到改善，该器件在目标市场中具备最高效率

数据手册

1+
￥23.44
10+
￥20.53
30+
￥16.1
90+
￥14.34
510+
￥13.54
990+
￥13.17

有货

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耐压:650V 电流:68.5A

型号：IPW65R041CFD 编号：C528753

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥39.22
10+
￥33.75
30+
￥30.49
90+
￥27.2
480+
￥25.69
960+
￥25

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:400mA

型号：BSS138P 编号：C5224269

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.0642
100+
￥0.0541
300+
￥0.0485
3000+
￥0.0397
6000+
￥0.0368
9000+
￥0.0352

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：T2N7002AK-ES 编号：C5224226

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.0655
200+
￥0.0525
600+
￥0.0453
3000+
￥0.041
9000+
￥0.0373
21000+
￥0.0352

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：2N7002 编号：C5224215

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

50+
￥0.0697
500+
￥0.0567
3000+
￥0.0481
6000+
￥0.0438
24000+
￥0.0401
51000+
￥0.0381

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:400mA

型号：BSS138K 编号：C5224263

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.0724
100+
￥0.0594
300+
￥0.0522
3000+
￥0.0475
6000+
￥0.0438
9000+
￥0.0417

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2A

型号：AP2301B 编号：C2763847

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

数据手册

50+
￥0.0796
500+
￥0.069
3000+
￥0.0539
6000+
￥0.0504
24000+
￥0.0473
60000+
￥0.0457

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:2.3A

型号：AO3414-HXY 编号：C6285731

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备2.3A连续电流处理能力。特别设计用于电池管理、电源开关及高效能电子设备中，具有出色的低导通电阻和快速切换性能，实现卓越的功率转换与控制效能。

50+
￥0.09823 ￥0.1034
500+
￥0.07771 ￥0.0818
3000+
￥0.0627 ￥0.066
6000+
￥0.05586 ￥0.0588
24000+
￥0.049875 ￥0.0525
51000+
￥0.046645 ￥0.0491

有货

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N沟道增强型MOS场效应晶体管

型号：2N7002-6AF 编号：C48587181

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,60V,0.34A,1.3Ω@4.5V

50+
￥0.102
500+
￥0.08
3000+
￥0.0678
6000+
￥0.0605
24000+
￥0.0541
51000+
￥0.0507

有货

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BSS84

型号：BSS84 编号：C51898310

封装：SOT-23

品牌：baocheng(宝乘)

漏源电压:60V 连续漏极电流:0.13A 导通电阻:10Ω@5V 耗散功率:225W 阀值电压：2.5V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

50+
￥0.1157
500+
￥0.0892
3000+
￥0.0745
6000+
￥0.0657
24000+
￥0.0581
51000+
￥0.0539

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.3A

型号：NX7002AK-TP 编号：C41408021

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

50+
￥0.118085 ￥0.1243
500+
￥0.09272 ￥0.0976
3000+
￥0.078565 ￥0.0827
6000+
￥0.07011 ￥0.0738
24000+
￥0.062795 ￥0.0661
51000+
￥0.058805 ￥0.0619

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3A

型号：SI2301 编号：C2985938

封装：SOT-23-3L

特性：TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

20+
￥0.1444
200+
￥0.1253
600+
￥0.1146
3000+
￥0.1061
9000+
￥0.1006
21000+
￥0.0976

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:900mA

型号：FDV305N(UMW) 编号：C5290355

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

20V N沟道MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。

数据手册

20+
￥0.1737
200+
￥0.1354
600+
￥0.1142
3000+
￥0.0972
9000+
￥0.0862
21000+
￥0.0802

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:2A

型号：HXY2102EI 编号：C5148642

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-323封装，额定电压为20V，最大连续电流可达2A，专为电子设备的高效电源管理和低功耗开关应用设计。其小巧尺寸与卓越性能相结合，提供出色的系统集成解决方案。

数据手册

20+
￥0.18145 ￥0.191
200+
￥0.148295 ￥0.1561
600+
￥0.12977 ￥0.1366
3000+
￥0.091675 ￥0.0965
9000+
￥0.08208 ￥0.0864
21000+
￥0.07695 ￥0.081

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：2N7002KN3T5G 编号：C5174638

封装：SOT-883

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：60V, 300mA, RDS(ON) = 1.7Ω@VGS = 10V。快速开关。有环保型产品。 2KV HBM ESD 能力。应用：笔记本电脑。智能手机

数据手册

20+
￥0.1905
200+
￥0.1473
600+
￥0.1233
2000+
￥0.1089
10000+
￥0.0916
20000+
￥0.0848

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.4A

型号：WPM2015-3/TR 编号：C6562215

封装：SOT-23-3

特性：TrenchFET功率MOSFET。超高密度单元设计。极低阈值电压。适用于更高直流电流的出色导通电阻。应用：便携式设备的负载开关。DC/DC转换器

20+
￥0.2003
200+
￥0.1779
600+
￥0.1654
3000+
￥0.1419
9000+
￥0.1354
21000+
￥0.1319

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:4A

型号：SI2306A 编号：C347489

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

20+
￥0.2046
200+
￥0.1596
600+
￥0.1346
3000+
￥0.1196
9000+
￥0.1066
21000+
￥0.0996

有货

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P沟道增强型MOSFET 1个P沟道耐压:30V 电流:3.5A

型号：AO3407 编号：C6562206

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：RDS(ON) ≤ 52 mΩ @ VGS =-10 V。 RDS(ON) ≤ 87 mΩ @ VGS =-4.5 V。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：笔记本电脑电源管理。开关应用

20+
￥0.2056
200+
￥0.1627
600+
￥0.1389
3000+
￥0.1196
9000+
￥0.1072
21000+
￥0.1006

有货

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N沟道增强型MOSFET

型号：AO3404-TWGMC 编号：C49438143

封装：SOT-23-3

品牌：TWGMC(迪嘉)

1个N沟道漏源电压30V 连续漏极电流6A 导通电阻18mΩ@10V 应用于MB/VGA/Vcore、负载开关、手持式仪器

20+
￥0.2144
200+
￥0.1685
600+
￥0.143
3000+
￥0.1277
9000+
￥0.1144

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:1.25A

型号：SI2309 编号：C51912420

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

适用于电源开关和信号控制

20+
￥0.219355 ￥0.2309
200+
￥0.173755 ￥0.1829
600+
￥0.150955 ￥0.1589
3000+
￥0.133855 ￥0.1409
9000+
￥0.120175 ￥0.1265
30000+
￥0.113335 ￥0.1193

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:2.5A

型号：SI2308 编号：C5337194

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压系统设计，提供高达3A的连续电流处理能力。具备卓越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制。

数据手册

20+
￥0.22654 ￥0.241
200+
￥0.183112 ￥0.1948
600+
￥0.159048 ￥0.1692
3000+
￥0.13113 ￥0.1395
9000+
￥0.118628 ￥0.1262
21000+
￥0.11186 ￥0.119

有货

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耐压:30V 电流:5.8A

型号：AO3404A 编号：C7603369

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V, ID = 5.8A，RDS(ON) < 31mΩ @ VGS = 10V，RDS(ON) < 43mΩ @ VGS = 4.5V。高功率和电流处理能力。获取无铅产品。表面贴装封装。应用：负载开关。PWM应用

10+
￥0.2307
100+
￥0.2047
300+
￥0.1917
3000+
￥0.182
6000+
￥0.1742
9000+
￥0.1703

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:0.66A

型号：TPM2009EP3 编号：C2844728

封装：DFN1006-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.2444
200+
￥0.1964
600+
￥0.1724
2000+
￥0.1544
10000+
￥0.1243
20000+
￥0.117

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:200mA

型号：MMBF170-7-F 编号：C151058

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

N沟道,60V,500mA,5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.2504
200+
￥0.1968
600+
￥0.167
3000+
￥0.1491
9000+
￥0.1336
21000+
￥0.1252

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:5A

型号：PJM05P40SA 编号：C20417178

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：先进的沟槽技术。符合RoHS和Reach标准。无卤素和锑。湿度敏感度等级1。应用：负载开关。 PWM应用

10+
￥0.2606
100+
￥0.2286
300+
￥0.2126
3000+
￥0.2006
6000+
￥0.191
9000+
￥0.1862

有货

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