mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SUD50P10-43L-E3 编号：C913430

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。符合RoHS指令2002/95/EC

数据手册

1+
￥11.12
10+
￥10.41
30+
￥9.97
100+
￥9.52
500+
￥6.74
1000+
￥6.65

有货

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型号：SI7997DP-T1-GE3 编号：C913432

封装：PowerPAK-SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET PWM优化。100% Rg和UIS测试。应用：笔记本电脑的电池和负载开关

数据手册

1+
￥14.72
10+
￥12.34
30+
￥10.84
100+
￥9.31
500+
￥8.62
1000+
￥8.32

有货

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型号：SIR680LDP-T1-RE3 编号：C3279524

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。初级侧开关

1+
￥15.44
10+
￥13.18
30+
￥11.77
100+
￥9.804 ￥10.32
500+
￥9.177 ￥9.66
1000+
￥8.911 ￥9.38

有货

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型号：GBS65041TOB 编号：C5451736

封装：TO-247

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。由于开关性能和传导性能之间的出色平衡，其在谐振开关拓扑中提供了非常高的效率。超快体二极管使其适用于高开关频率应用，并支持高功率密度应用。

1+
￥16.9575 ￥17.85
10+
￥14.5255 ￥15.29
30+
￥11.856 ￥12.48
90+
￥10.298 ￥10.84
510+
￥9.595 ￥10.1
990+
￥9.291 ￥9.78

有货

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型号：IRFP460LCPBF 编号：C212024

封装：TO-247AC-3

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,500V,20A,0.27Ω@10V

数据手册

1+
￥20.59
10+
￥17.86
25+
￥15.06
100+
￥13.42
500+
￥12.66

有货

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型号：SUM110P06-07L-E3 编号：C500636

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET封装，低热阻

数据手册

1+
￥20.71
10+
￥17.76
30+
￥15.92
100+
￥12.73
500+
￥11.87
800+
￥11.5

有货

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型号：HX2302A 编号：C296295

封装：SOT-23

品牌：HX(恒佳兴)

特性：TrenchFET功率MOSFET

数据手册

50+
￥0.0597
500+
￥0.0461
3000+
￥0.0385
6000+
￥0.0339
24000+
￥0.03
51000+
￥0.0279

有货

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型号：T2N7002AK-ES 编号：C5224226

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.0655
200+
￥0.0525
600+
￥0.0453
3000+
￥0.041
9000+
￥0.0373
21000+
￥0.0352

有货

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型号：BR2N7002K2 编号：C358380

封装：SOT-23

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

SOT-23 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。

数据手册

50+
￥0.0673
500+
￥0.0577
3000+
￥0.0524
6000+
￥0.0493
24000+
￥0.0465
51000+
￥0.045

有货

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型号：2N7002 编号：C5224215

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

50+
￥0.0697
500+
￥0.0567
3000+
￥0.0481
6000+
￥0.0438
24000+
￥0.0401
51000+
￥0.0381

有货

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型号：FSS2301S 编号：C2926138

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

数据手册

50+
￥0.0783
500+
￥0.0621
3000+
￥0.0491
6000+
￥0.0437
24000+
￥0.039
51000+
￥0.0365

有货

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型号：BSN20 编号：C2965526

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

类型 N VDSS(V) 50 ID@TC=69?C(A) 0.3 PD@TC=69?C(W) 0.35 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.49V 3000

数据手册

50+
￥0.11248 ￥0.1184
500+
￥0.089395 ￥0.0941
3000+
￥0.072485 ￥0.0763
6000+
￥0.06479 ￥0.0682
24000+
￥0.05814 ￥0.0612
51000+
￥0.05453 ￥0.0574

有货

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型号：SI2302S 编号：C427388

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻

数据手册

50+
￥0.11324 ￥0.1192
500+
￥0.093005 ￥0.0979
3000+
￥0.070015 ￥0.0737
6000+
￥0.06327 ￥0.0666
24000+
￥0.05738 ￥0.0604
51000+
￥0.054245 ￥0.0571

有货

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型号：FDV305N(UMW) 编号：C5290355

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

20V N沟道MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。

数据手册

20+
￥0.121
200+
￥0.1053
600+
￥0.0966
3000+
￥0.0872
9000+
￥0.0827
21000+
￥0.0802

有货

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型号：TPM2008P3 编号：C708974

封装：DFN1006-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：表面贴装封装。 N沟道开关，低漏源导通电阻。在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.1281
200+
￥0.1113
600+
￥0.1019
2000+
￥0.0963
10000+
￥0.0914
20000+
￥0.0888

有货

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型号：DMN26D0UFB4-7-HXY 编号：C6285768

封装：DFN1006-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品是一款N型场效应管，具有0.7A的电流处理能力和20V的耐压范围。其内阻典型值为220毫欧姆，适用于低功耗电路设计。VGS为10V，确保稳定的开关控制。适用于多种电子设备，提升电源效率和系统稳定性。

20+
￥0.130293 ￥0.1401
200+
￥0.113553 ￥0.1221
600+
￥0.104253 ￥0.1121
2000+
￥0.098673 ￥0.1061
10000+
￥0.09207 ￥0.099
20000+
￥0.089466 ￥0.0962

有货

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型号：SI2300A 编号：C347480

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：V(BR)DSS = 20V。 Ip = 6A。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 34mΩ(VGS = 2.5V)。 TrenchFET Power MOSFET。应用：电池保护。负载开关

数据手册

20+
￥0.1367
200+
￥0.1051
600+
￥0.0876
3000+
￥0.0737
9000+
￥0.0646
21000+
￥0.0597

有货

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型号：KM3139K 编号：C5438457

封装：SOT-723

品牌：KUU

特性：先进的沟槽工艺技术。低阈值电压。快速开关速度。无卤无铅。 ESD保护高达2KV（HBM）。应用：便携式设备的负载开关。电压控制小信号开关

数据手册

20+
￥0.1437
200+
￥0.1113
600+
￥0.0933
2000+
￥0.0825
8000+
￥0.0761
16000+
￥0.0711

有货

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型号：AP3404S 编号：C2875959

封装：SOT-23-3

品牌：ALLPOWER(铨力)

SOT23-3塑封封装 N 道 MOS 场效应管。

数据手册

10+
￥0.1636
100+
￥0.1476
300+
￥0.1395
3000+
￥0.1335

有货

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型号：2N7002KN3T5G 编号：C5174638

封装：SOT-883

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：60V, 300mA, RDS(ON) = 1.7Ω@VGS = 10V。快速开关。有环保型产品。 2KV HBM ESD 能力。应用：笔记本电脑。智能手机

数据手册

20+
￥0.164645 ￥0.1937
200+
￥0.127925 ￥0.1505
600+
￥0.107525 ￥0.1265
2000+
￥0.095285 ￥0.1121
10000+
￥0.08058 ￥0.0948
20000+
￥0.0748 ￥0.088

有货

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型号：SI2301SS-6AF 编号：C48587093

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-20V,-2.3A,90mΩ@-4.5V

20+
￥0.1715
200+
￥0.1323
600+
￥0.1105
3000+
￥0.0974
9000+
￥0.0861
21000+
￥0.0799

有货

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型号：SI2302SS-6AF 编号：C48587099

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,20V,3A,45mΩ@4.5V

20+
￥0.1717
200+
￥0.1324
600+
￥0.1106
3000+
￥0.0975
9000+
￥0.0862
21000+
￥0.08

有货

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型号：CJBA3134K 编号：C504098

封装：DFN-3L(1x0.6)

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：无铅产品。表面贴装封装。 N沟道开关，低导通电阻。低逻辑电平栅极驱动操作。栅极具有ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.1761
200+
￥0.1412
600+
￥0.1218
2000+
￥0.1102
10000+
￥0.1001

有货

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型号：SI2301S 编号：C431492

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低导通电阻（RDS(ON)），在VGS = -4.5V和-3.3V时。 3.3V逻辑电平控制。 P沟道SOT23封装。无铅，符合RoHS标准。应用：高端负载开关。开关电路

数据手册

10+
￥0.1764
100+
￥0.1358
300+
￥0.1133
3000+
￥0.0988
6000+
￥0.087
9000+
￥0.0807

有货

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型号：AO3400M-6AF 编号：C48587194

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,30V,5.8A,25mΩ@4.5V

20+
￥0.1769
200+
￥0.1364
600+
￥0.1139
3000+
￥0.1004
9000+
￥0.0887
21000+
￥0.0824

有货

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型号：HSS3400A 编号：C518774

封装：SOT-23

品牌：HUASHUO(华朔)

HSS3400A 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS3400A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

数据手册

20+
￥0.1809
200+
￥0.1427
600+
￥0.1215
3000+
￥0.1088
9000+
￥0.0978
21000+
￥0.0919

有货

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型号：AO3402A 编号：C347477

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。漏源击穿电压V(BR)DS < 90V。漏极电流ID = 4A。导通电阻RDS(ON) < 52mΩ（VGS = 10V）。导通电阻RDS(ON) < 65mΩ（VGS = 4.5V）。导通电阻RDS(ON) < 85mΩ（VGS = 2.5V）。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册