mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TDSON-8FL

特性：针对同步整流进行优化。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

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￥5.08
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型号：AGM15T13D 编号：C19193078

封装：TO-252

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM15T13D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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型号：BSC190N15NS3G 编号：C534423

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。150℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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型号：NCEP60T15G 编号：C216776

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

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型号：STP75NF75 编号：C13678

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,75V,80A,9.5mΩ@10V

数据手册

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型号：IRFH7004TRPBF 编号：C112334

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全特性电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。符合 RoHS 标准，无铅、无溴、无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：3N120 编号：C42437012

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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型号：SI2343DS-T1-E3 编号：C144996

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-3.1A,0.053Ω@-10V

数据手册

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型号：SI7148DP-TP 编号：C50314330

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：负载开关。高频开关和同步整流。中间直流/直流电源中的有源钳位

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型号：WSF25N20 编号：C92372

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF25N20是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF25N20符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

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型号：IRF9640STRLPBF-VB 编号：C47993897

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道；-200V；-11A；RDS(ON)=500(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-3.5V；采用Trench技术；

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型号：HYG017N10NS1TA 编号：C5205219

封装：TOLL-8L

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：100V/330A。 RDS(ON) = 1.6mΩ（典型值），@VGS = 10V。 100%雪崩测试。可靠耐用。可提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理

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型号：NCE65T260K 编号：C326373

封装：TO-252

品牌：NCE(无锡新洁能)

该系列器件采用先进的沟槽栅超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。

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型号：CSD19537Q3 编号：C478469

封装：VSON-8-EP(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

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￥4.52
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型号：WSD75100DN56 编号：C2758411

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD75100DN56是一款具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD75100DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

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型号：SIR876ADP-T1-GE3 编号：C114889

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：DC/DC初级侧开关。电信/服务器48V，全/半桥DC/DC

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型号：IPT015N10N5(TOKMAS) 编号：C19626223

封装：HSOF-8

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：表面贴装封装，MSL1。先进的沟槽单元设计。应用：BMS。无人机

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￥7.1915 ￥7.57
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型号：SP40N01AAGTO 编号：C42404758

封装：TOLL

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：600A,Rdson：0.55mR

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￥4.313 ￥4.54
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￥3.857 ￥4.06
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￥3.61 ￥3.8

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型号：NTMFS5C410NLT1G 编号：C348540

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40V，0.82 m，330 A，单 N 沟道

数据手册

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￥7.59
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￥6.44
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￥5.8
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￥4.42
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￥4.27

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型号：CJAC110SN10A 编号：C2686821

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJAC110SN10A采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

数据手册

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￥7.72
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￥6.45
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￥4.96
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￥4.6
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型号：XRS200N15TL 编号：C50314149

封装：TOLL-8L

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

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￥7.875 ￥8.75
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￥6.642 ￥7.38
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￥5.202 ￥5.78
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型号：SNCEP023N10LL 编号：C49206904

封装：TOLL-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

N沟道高性能低结电容，100V 380A 1.2mΩ@-10V

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￥8.15
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￥6.71
30+
￥5.92
100+
￥5.02
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￥4.86
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￥4.68

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型号：PMV37ENEAR 编号：C553095

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

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￥8.81
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￥7.73
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￥7.19
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￥6.65
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￥6.33

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型号：SQD50P06-15L_GE3 编号：C3281500

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET封装，低热阻。100%进行Rg和UIS测试。通过AEC-Q101认证

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￥9.27
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￥7.7
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￥5.43
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￥5.23

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型号：BUK6Y19-30PX 编号：C3288625

封装：LFPAK-56

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。本产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用，如反电池保护。

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￥9.5
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￥8.77
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￥8.31
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￥7.85
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￥7.64
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￥7.54

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型号：STP26NM60N 编号：C110593

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,600V,20A,165mΩ@10V

数据手册

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￥10.21
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￥8.69
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￥7.86
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￥6.33
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￥5.91
1000+
￥5.72

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型号：SI7469DP-T1-GE3 编号：C467910

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET

数据手册

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￥10.64
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￥9.13
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￥8.18
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￥7.21
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￥6.77
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型号：SIHG20N50C-E3 编号：C11745

封装：TO-247AC

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,560V,20A,270mΩ@10V

数据手册

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￥10.96
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￥7.9
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￥6.73
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￥6.21
1000+
￥5.98

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型号：SP015N03BGHTF 编号：C22385385

封装：TO-247

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

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￥11.742 ￥12.36
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￥9.88 ￥10.4
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￥9.215 ￥9.7
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￥7.4765 ￥7.87
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￥7.239 ￥7.62

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型号：IRFP4768PBF 编号：C2923

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,93A,17.5mΩ@10V

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