mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SP010N02GHTO 编号：C22385352

封装：TOLL

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

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￥4.7595 ￥5.01
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￥3.857 ￥4.06
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￥2.9545 ￥3.11
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￥2.869 ￥3.02
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￥2.736 ￥2.88

有货

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型号：IPD60R180P7S 编号：C672377

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥4.93
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￥4.01
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￥3.56
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￥3.11
500+
￥2.84
1000+
￥2.7

有货

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型号：AGM15T13D 编号：C19193078

封装：TO-252

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM15T13D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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￥5.02
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￥4.07
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￥3.6
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￥3.13
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￥3.04
1000+
￥2.9

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型号：BSC059N04LS6 编号：C534356

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步应用进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤。额定温度175℃

数据手册

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￥5.15
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￥4.19
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￥3.7
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￥3.0685 ￥3.23
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￥2.793 ￥2.94
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￥2.6505 ￥2.79

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型号：IRFR9310TRPBF 编号：C506580

封装：DPAK(TO-252)

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET采用先进的处理技术，以实现每硅面积的低导通电阻。结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。DPAK设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。直引脚版本（IRFU/SiHFU系列）用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5W。

数据手册

1+
￥5.19
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￥4.1
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￥3.55
100+
￥3.01
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￥2.69
1000+
￥2.52

有货

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型号：AON6884 编号：C125872

封装：DFN-8(5x6)

品牌：AOS

数据手册

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￥5.28
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￥4.28
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￥3.78
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￥3.29
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￥2.99
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￥2.84

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型号：FDS6681Z 编号：C236906

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

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￥5.34
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￥3.85
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￥3.35
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￥3.06
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￥2.91

有货

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型号：NTMFS5C410NLT1G 编号：C348540

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40V，0.82 m，330 A，单 N 沟道

数据手册

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￥5.41
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￥4.43
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￥3.95
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￥3.22
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￥2.93
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￥2.78

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型号：SIRA60DP-T1-GE3 编号：C467954

封装：PowerPAK-SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：同步整流。高功率密度DC/DC VRMs和嵌入式DC/DC

数据手册

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￥5.65
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￥4.67
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￥4.18
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￥3.69
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￥3.05
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￥2.9

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型号：PMV15ENEAR 编号：C553080

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

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￥5.71
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￥4.74
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￥4.26
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￥3.78
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￥3.49
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￥3.34

有货

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型号：CSD88537ND 编号：C117439

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

CSD88537ND 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥5.75
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￥4.96
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￥4.4
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￥3.94
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￥3.79
1000+
￥3.7

有货

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型号：WSF25N20 编号：C92372

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF25N20是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF25N20符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

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￥6
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￥4.96
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￥4.45
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￥3.93
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￥3.24
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￥3.08

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型号：SI7309DN-T1-GE3 编号：C727725

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。低热阻。 PowerPAK 封装，尺寸小，高度仅 1.07mm。应用：CCFL 逆变器。 D 类放大器

数据手册

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￥6.22
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￥5.06
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￥4.48
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￥3.705 ￥3.9
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￥2.4985 ￥2.63
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￥2.337 ￥2.46

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型号：FQD5N60CTM 编号：C467458

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

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￥6.28
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￥5.05
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￥4.44
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￥3.34
500+
￥2.97
1000+
￥2.78

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型号：TPN2R703NL,L1Q(ES) 编号：C49108772

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，80A，2.4mΩ@10V,20A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥6.41
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￥4.6
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￥4
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￥3.64
1000+
￥3.45

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型号：BSC030N08NS5(ES) 编号：C49108769

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，138A，3mΩ@10V,30A，2.7V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥6.41
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￥3.64
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￥3.45

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型号：WGA30N50SE 编号：C17702322

封装：TO-247

品牌：Wild Goose(威谷)

特性：低固有电容。出色的开关特性。扩展的安全工作区。无与伦比的栅极电荷：Qg = 78nC（典型值）。 VDSS = 500V，ID = 30A。 RDS(on)：160mΩ（典型值）@VG = 10V。 100%雪崩测试

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￥6.441 ￥6.78
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￥5.3105 ￥5.59
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￥4.6835 ￥4.93
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￥3.6765 ￥3.87
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￥3.534 ￥3.72

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型号：FDMS86200 编号：C128799

封装：PDFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥6.54
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￥5.35
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￥4.7
100+
￥3.97
500+
￥3.64
1000+
￥3.49

有货

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型号：IRFP260MPBF 编号：C2679

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,50A,40mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.54
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￥5.42
25+
￥4.06
100+
￥3.5
400+
￥3.17
800+
￥2.99

有货

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型号：BSC072N08NS5-TP 编号：C19829610

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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￥6.95
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￥5.69
30+
￥5
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￥4.22
500+
￥3.87
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￥3.71

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型号：IRF4905S 编号：C5337969

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

IRF4905S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻RDS(ON)。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，适用于各种其他应用。

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￥7.23
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￥6.03
30+
￥5.37
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￥4.62
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￥4.14
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￥3.99

有货

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型号：NCEP1580 编号：C503033

封装：TO-220-3L

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。

数据手册

1+
￥7.43
10+
￥6.05
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￥5.28
100+
￥4.42
500+
￥4.04

有货

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型号：SIR626ADP-T1-RE3 编号：C3289490

封装：PowerPAK-SO-8

品牌：VISHAY(威世)

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￥7.86
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￥6.56
30+
￥5.84
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￥5.04
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￥4.68
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￥4.51

有货

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型号：IRFS4229TRLPBF-JSM 编号：C19193726

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

1+
￥8.4265 ￥8.87
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￥7.0585 ￥7.43
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￥6.308 ￥6.64
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￥5.453 ￥5.74
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￥4.617 ￥4.86
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￥4.446 ￥4.68

有货

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型号：PGT08N012H 编号：C48783015

封装：TOLL-8

品牌：HT(金誉)

特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。电机控制和驱动

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￥8.5405 ￥8.99
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￥7.1155 ￥7.49
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￥6.327 ￥6.66
100+
￥5.4435 ￥5.73
500+
￥5.054 ￥5.32
1500+
￥4.8735 ￥5.13

有货

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型号：BUK7Y3R5-40HX 编号：C503614

封装：LFPAK-56-5

品牌：Nexperia(安世)

采用最新沟槽 9 低欧姆超结技术的汽车级 N 沟道 MOSFET，封装于坚固的 LFPAK56 封装中。该产品经过全面设计和认证，符合 AEC-Q101 要求，具有高性能和耐用性。

数据手册

1+
￥9.07
10+
￥7.56
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￥6.73
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￥5.684 ￥5.8
500+
￥5.2724 ￥5.38
1500+
￥5.0862 ￥5.19

有货

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型号：CSD19531Q5A 编号：C2760462

封装：VSONP-8(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD19531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥9.15
10+
￥7.71
30+
￥6.71
100+
￥5.82
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￥5.42
1000+
￥5.24

有货

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型号：SI7461DP-T1-E3 编号：C435837

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

用于开关应用的MOSFET如今已能实现约1 mΩ的芯片导通电阻，且可承受85 A的电流。尽管这些芯片性能相较于几年前已有重大提升，但功率MOSFET封装技术跟上发展步伐也至关重要。显然，封装导致高性能芯片性能下降是不可取的

数据手册

1+
￥9.4
10+
￥7.82
30+
￥6.95
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￥5.96
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￥5.53
1000+
￥5.33

有货

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型号：SIR873DP-T1-GE3 编号：C511490

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。极低的RDS(ON)，可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIS测试。应用：DC/DC电源中的有源钳位。电池保护

数据手册

1+
￥10.41
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￥8.67
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￥7.72
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￥6.64
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￥6.16
1000+
￥5.95

有货

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型号：IRFP240PBF 编号：C2674

封装：TO-247AC

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,200V,20A,180mΩ@10V

数据手册

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￥10.57
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￥8.88
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￥7.82
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￥6.74
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