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1个N沟道耐压:600V 电流:12A

型号：BMF12N60G 编号：C42402387

封装：TO-220F

品牌：BORN(伯恩半导体)

TO-220F厚框架12N60

1+
￥2.91
10+
￥2.3
50+
￥2.03
100+
￥1.7
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

有货

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耐压:30V 电流:16A

型号：IRF9310TRPBF-TP 编号：C7603294

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤9.5mΩ@VGS=4V。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。便携式设备

1+
￥2.92
10+
￥2.26
30+
￥1.98
100+
￥1.63
500+
￥1.48
1000+
￥1.38

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:6.6A

型号：DMP6023LSS-13 编号：C154911

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.01
10+
￥2.45
30+
￥2.2
100+
￥1.9
500+
￥1.77
1000+
￥1.68

有货

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N沟道耐压:100V 电流:8A

型号：TPSI4896DY-T1-GE3 编号：C42437044

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥3.06
10+
￥2.39
30+
￥2.11
100+
￥1.75
500+
￥1.59
1000+
￥1.5

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:8.6A

型号：PMV16XNR 编号：C110920

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

6.8A,N-MOS

数据手册

1+
￥3.11
10+
￥2.5
30+
￥2.23
100+
￥1.91
500+
￥1.76
1000+
￥1.67

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:120A

型号：WSD30L120ADN56 编号：C3825104

封装：DFN5X6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD30L120ADN56是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L120ADN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

数据手册

1+
￥3.267 ￥3.63
10+
￥2.619 ￥2.91
30+
￥2.304 ￥2.56
100+
￥1.98 ￥2.2
500+
￥1.809 ￥2.01
1000+
￥1.71 ￥1.9

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:120A

型号：IPD042P03L3G-HXY 编号：C22367526

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IPD042P03L3G 是一款高性能P沟道MOSFET，采用散热良好的TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。器件提供30V的额定电压VDSS，可承载高达120A的连续电流ID，彰显其卓越的电力处理能力。其独特的3.7mΩ导通电阻RD(on)设计，确保了在高电流下仍能维持极低功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电池管理系统以及大电流负载开关等场景，是您实现高功率、高效能半导体解决方案的理想选择。

1+
￥3.3088 ￥3.76
10+
￥2.6928 ￥3.06
30+
￥2.3936 ￥2.72
100+
￥2.0944 ￥2.38
500+
￥1.9096 ￥2.17
1000+
￥1.8128 ￥2.06

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:12A

型号：NTD3055L104T4G 编号：C10668

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.77
30+
￥2.46
100+
￥2.07
500+
￥1.71
1000+
￥1.6

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:130A

型号：NCEP40T13GU 编号：C191993

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道,40V,130A,2.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.69
30+
￥2.34
100+
￥1.91
500+
￥1.72
1000+
￥1.6

有货

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耐压:40V 电流:200A

型号：SP40N01AGNP 编号：C22385414

封装：PDFNWB-8L(5x6)

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

1+
￥3.501 ￥3.89
10+
￥2.844 ￥3.16
30+
￥2.52 ￥2.8
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￥2.187 ￥2.43
500+
￥1.998 ￥2.22
1000+
￥1.899 ￥2.11

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:130A

型号：AGM40P100A 编号：C5297499

封装：PDFN5x6-8L

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM40P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

1+
￥3.501 ￥3.89
10+
￥2.826 ￥3.14
30+
￥2.529 ￥2.81
100+
￥2.169 ￥2.41
500+
￥1.701 ￥1.89
1000+
￥1.611 ￥1.79

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:40A

型号：WSF50P04 编号：C2880529

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF50P04是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF50P04符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

数据手册

1+
￥3.519 ￥3.91
10+
￥2.862 ￥3.18
30+
￥2.583 ￥2.87
100+
￥2.232 ￥2.48
500+
￥1.746 ￥1.94
1000+
￥1.656 ￥1.84

有货

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N沟道MOSFET

型号：AOD4126 编号：C41407552

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥3.572 ￥3.76
10+
￥2.945 ￥3.1
30+
￥2.622 ￥2.76
100+
￥2.3085 ￥2.43
500+
￥2.128 ￥2.24
1000+
￥2.0235 ￥2.13

有货

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大电流SGT MOSFET 耐压:85V 电流:230A

型号：SP85N02GHTO 编号：C42403239

封装：TOLL-8

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：85V，电流：230A,Rdson：2mR

1+
￥3.6765 ￥3.87
10+
￥2.983 ￥3.14
30+
￥2.6315 ￥2.77
100+
￥2.2895 ￥2.41
500+
￥2.1185 ￥2.23
1000+
￥2.014 ￥2.12

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:50A

型号：CMSA5950A 编号：C5203728

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA5950A采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

数据手册

1+
￥3.743 ￥3.94
10+
￥3.0685 ￥3.23
30+
￥2.736 ￥2.88
100+
￥2.4035 ￥2.53
500+
￥1.957 ￥2.06
1000+
￥1.862 ￥1.96

有货

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N沟道耐压:250V 电流:16A

型号：AOD458-TP 编号：C48543181

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥3.838 ￥4.04
10+
￥3.0685 ￥3.23
30+
￥2.6885 ￥2.83
100+
￥2.3085 ￥2.43
500+
￥2.0805 ￥2.19
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:6.7A

型号：IRF7404TRPBF 编号：C2997

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-20V,-7.7A,40mΩ@-10V

数据手册

1+
￥3.88
10+
￥3.16
30+
￥2.8
100+
￥2.44
500+
￥1.9
1000+
￥1.79

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:80A

型号：CJU80SN10 编号：C3031923

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJU80SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥3.98
10+
￥3.3
30+
￥2.96
100+
￥2.62
500+
￥2.36
1000+
￥2.25

有货

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1个P沟道耐压:20V

型号：AON7423 编号：C99711

封装：DFN-8(3x3)

P沟道

数据手册

1+
￥4.06
10+
￥3.26
30+
￥2.86
100+
￥2.46
500+
￥2.22
1000+
￥2.1

有货

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1个P沟道耐压:150V 电流:30A

型号：CMD5970 编号：C5203726

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。

数据手册

1+
￥4.123 ￥4.34
10+
￥3.6765 ￥3.87
30+
￥3.4485 ￥3.63
100+
￥3.23 ￥3.4
500+
￥2.964 ￥3.12
1000+
￥2.888 ￥3.04

有货

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-20V、5.5mΩ功率MOSFET

型号：CSD25404Q3 编号：C2865523

封装：VSON-CLIP-8(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD25404Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥4.27
10+
￥3.61
30+
￥3.15
100+
￥2.77
500+
￥2.65
1000+
￥2.58

有货

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60V、N沟道功率MOSFET

型号：CSD18543Q3A 编号：C840100

封装：VSONP-8(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD18543Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥4.42
10+
￥3.69
30+
￥3.32
100+
￥2.96
500+
￥2.74
1000+
￥2.63

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:3A

型号：CSD17484F4 编号：C2862245

封装：PicoStar-3

品牌：TI(德州仪器)

CSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥4.47
10+
￥3.56
30+
￥3.11
100+
￥2.66
500+
￥2.39
1000+
￥2.25

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:90A

型号：NCEP6090AGU 编号：C502993

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用超级沟槽技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。

数据手册

1+
￥4.49
10+
￥3.55
30+
￥3.08
100+
￥2.61
500+
￥2.33
1000+
￥2.18

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:42A

型号：IRLR2905TRPBF 编号：C3010

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,42A,27mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.69
10+
￥3.83
30+
￥3.4
100+
￥2.97
500+
￥2.26
1000+
￥2.13

有货

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耐压:60V 电流:8.6A

型号：SI7461DP 编号：C7472880

封装：PowerPAK-SO-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(ON) ≤ 15mΩ@VGS =-10V。 RDS(ON) ≤ 20mΩ@VGS =-4.5V。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 DC/DC转换器

1+
￥4.74
10+
￥4.25
30+
￥3.98
100+
￥3.67
500+
￥3.53
1000+
￥3.47

有货

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N沟道30V快速开关MOSFET

型号：XRS280N03C 编号：C50314140

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：Split Gate Trench MOSFET technology。优秀的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

1+
￥4.743 ￥5.27
10+
￥3.843 ￥4.27
30+
￥3.402 ￥3.78
100+
￥2.961 ￥3.29
500+
￥2.691 ￥2.99
1000+
￥2.556 ￥2.84

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:247A

型号：BSC010N04LS 编号：C501508

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化用于同步整流。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

数据手册

1+
￥4.86
10+
￥3.9
30+
￥3.42
100+
￥2.94
500+
￥2.65
1000+
￥2.5

有货

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N沟道150V快速开关MOSFET

型号：XRS100N15F 编号：C42457107

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

1+
￥4.959 ￥5.51
10+
￥4.068 ￥4.52
30+
￥3.618 ￥4.02
100+
￥3.177 ￥3.53
500+
￥2.916 ￥3.24
1000+
￥2.772 ￥3.08

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:40V 电流:6.8A

型号：SI4554DY-T1-GE3 编号：C727596

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：按照IEC 61249-2-21定义为无卤产品。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：电机驱动

数据手册

1+
￥5.02
10+
￥4.01
30+
￥3.51
100+
￥3.01
500+
￥2.71
1000+
￥2.55

有货

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