mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSC030N08NS5 编号：C501507

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥5.21
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￥4.39
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￥3.81
100+
￥3.33
500+
￥3.18
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￥3.09

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型号：WSF50N10G 编号：C2880528

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 40 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.394V 17.4 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 2.8 Qgd(nC) 4.1 Ciss(pF) 1003.9 Coss(pF) 185.4 Crss(pF) 9.8

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￥3.3
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￥3.2
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￥3.1
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￥3
500+
￥2.93
1000+
￥2.88

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型号：MX10T03AHT 编号：C22468154

封装：TO-263-3L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

100V N沟道 Power MOSFET,电流:186A,耐压:100V

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￥3.31
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￥2.66
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￥2.34
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￥2.02
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￥1.82
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￥1.72

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型号：PMV55ENEAR 编号：C294616

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

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￥3.31
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￥2.65
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￥2.37
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￥2.02
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￥1.86
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￥1.77

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型号：NCE60P82AK 编号：C2686573

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用先进的沟槽技术和设计，可提供低栅极电荷和出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于大电流负载应用。

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￥3.32
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￥2.55
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￥2.23
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￥1.82
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￥1.52

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型号：CMSA015N06 编号：C42428219

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

MOS管，DFN-8 5x6，N场，耐压：60V，电流：240A，10V内阻：1.5mΩ，4.5V内阻：0mΩ，功率：200W，CISS(Typ)：6150PF

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￥3.35
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￥2.63
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￥2.32
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￥1.94
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￥1.77
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￥1.66

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型号：IRF9640PBF-JSM 编号：C20606840

封装：TO-220-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

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￥3.35
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￥2.7
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￥2.37
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￥2.05
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￥1.76

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型号：SIA471DJ-T1-GE3 编号：C5918946

封装：PowerPAKSC-70-6

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。热增强型PowerPAK SC-70封装。 RoHS认证。极低的RDS(on) x面积，可最大限度地减少在卤素限制PCB空间上的功率损耗。为开关应用提供出色的RDS-Qg品质因数（FOM）。 100%进行Rg测试。应用：电池充电和管理。负载开关

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￥3.48
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￥2.44
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￥2.04
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￥1.87
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型号：AGM40P100A 编号：C5297499

封装：PDFN5x6-8L

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM40P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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￥3.501 ￥3.89
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￥2.826 ￥3.14
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￥2.529 ￥2.81
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￥2.169 ￥2.41
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￥1.701 ￥1.89
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￥1.611 ￥1.79

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型号：SI4435DYTRPBF 编号：C67287

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-8A,20mΩ@10V

数据手册

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￥3.52
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￥2.052 ￥2.16
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￥1.6815 ￥1.77

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型号：IRF9540NSTRLPBF 编号：C23380868

封装：TO-263

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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￥3.58
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￥1.94
800+
￥1.84

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型号：IRF610PBF 编号：C2630

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,200V,3.3A,1.5Ω@10V

数据手册

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￥3.62
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￥2.89
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￥2.44
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￥2.05
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￥1.87
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型号：CSD18534Q5A 编号：C115943

封装：SON-8(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

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￥3.66
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￥2.54
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￥2.12
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型号：DMP4013LFG-7 编号：C460203

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥3.86
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￥3.01
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￥2.64
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￥1.98
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￥1.85

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型号：SISA14DN-T1-GE3 编号：C727488

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试

数据手册

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￥3.89
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￥2.79
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￥2.21
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￥2.1

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型号：STF13NM60N 编号：C46175

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,600V,11A,360mΩ@10V

数据手册

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￥3.98
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￥2.76
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500+
￥2.12
1000+
￥1.99

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型号：NCEP6080AG 编号：C182469

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道,60V,80A,4mΩ@10V

数据手册

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￥4.04
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￥3.11
30+
￥2.71
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￥2.21
500+
￥1.99
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￥1.85

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型号：IRF7832TRPBF 编号：C3002

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,20A,4mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.04
10+
￥3.32
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￥2.97
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￥2.61
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￥2.18
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￥2.07

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型号：NCEP6090AGU 编号：C502993

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用超级沟槽技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。

数据手册

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￥4.1
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￥3.24
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￥2.81
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￥2.38
500+
￥2.13
1000+
￥1.99

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型号：IRF9540NSTRLPBF 编号：C33903

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

1+
￥4.24
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￥3.54
30+
￥3.18
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￥2.83
500+
￥2.13
800+
￥2.02

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型号：IRFR1205TRPBF 编号：C81467

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,44A,27mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.28
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￥3.51
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￥3.12
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￥2.73
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￥2.08
1000+
￥1.97

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型号：FDMS86163P 编号：C3647072

封装：DFN-8(4.9x5.7)

品牌：Leiditech(雷卯电子)

FDMS86163P 具备出色的导通电阻（Rps(on)）、低栅极电荷等特性。

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￥4.3795 ￥4.61
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￥3.876 ￥4.08
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￥3.6195 ￥3.81
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￥3.3725 ￥3.55
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￥3.0495 ￥3.21
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￥2.9735 ￥3.13

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型号：SQJ409EP-T1_GE3 编号：C727776

封装：PowerPAK-SO-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试

数据手册

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￥4.42
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￥3.94
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￥3.69
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￥3.45
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￥3.31
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￥3.23

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型号：SI7101DN-T1-GE3 编号：C142572

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET 100% Rg和UIS测试。应用：笔记本适配器开关。笔记本电池管理

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￥4.55
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￥3.62
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￥3.16
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￥2.646 ￥2.7
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￥2.3716 ￥2.42
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￥2.2344 ￥2.28

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型号：XRS100N15F 编号：C42457107

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

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￥4.743 ￥5.27
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￥3.843 ￥4.27
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￥3.402 ￥3.78
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￥2.961 ￥3.29
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￥2.691 ￥2.99
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￥2.556 ￥2.84

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型号：IPD60R180P7S 编号：C672377

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥4.93
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￥4.01
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￥3.56
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￥3.11
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￥2.84
1000+
￥2.7

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型号：AGM15T13D 编号：C19193078

封装：TO-252

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM15T13D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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￥5.02
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￥4.07
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￥3.6
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￥3.13
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￥3.04
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￥2.9

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型号：IRFR9310TRPBF 编号：C506580

封装：DPAK(TO-252)

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET采用先进的处理技术，以实现每硅面积的低导通电阻。结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。DPAK设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。直引脚版本（IRFU/SiHFU系列）用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5W。

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