mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

特性：TrenchFET功率MOSFET。热增强型PowerPAK SC-70封装。小尺寸。低导通电阻。 100% Rg测试。应用：负载开关，用于便携式和手持设备的1.2V电源线

数据手册

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￥2.2254
50+
￥1.7642
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￥1.5665
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￥1.18791 ￥1.3199
3000+
￥1.08909 ￥1.2101
6000+
￥1.02978 ￥1.1442

有货

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型号：SI2302CDS-T1-E3 编号：C141544

封装：SOT-23

特性：TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

5+
￥2.2444
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￥1.7747
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￥1.5734
500+
￥1.3222

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型号：WSF4012 编号：C86420

封装：TO-252-4

品牌：WINSOK(微硕)

WSF4012是高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF4012符合RoHS标准和绿色产品要求，通过全功能可靠性认证，100%保证环境适应性（EAS）。

数据手册

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￥2.2492
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￥1.8056
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￥1.6156
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￥1.3784
500+
￥1.2728
1000+
￥1.144

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型号：AO4618-JSM 编号：C7462819

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

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￥2.2792 ￥2.59
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￥1.7864 ￥2.03
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￥1.5752 ￥1.79
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￥1.32 ￥1.5
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￥1.2056 ￥1.37
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￥1.1352 ￥1.29

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型号：SI9407AEY 编号：C5122044

封装：SOIC-8

应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换

数据手册

5+
￥2.2919
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￥1.8316
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￥1.6344
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￥1.3882
3000+
￥1.1298
6000+
￥1.064

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型号：XRS60P06F 编号：C42457120

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低导通电阻的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

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￥2.295 ￥2.55
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￥1.818 ￥2.02
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￥1.611 ￥1.79
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￥1.359 ￥1.51
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￥1.251 ￥1.39
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￥1.179 ￥1.31

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型号：SI4435FDY-T1-GE3 编号：C727418

封装：SO-8

特性：TrenchFET Gen II p- channel power MOSFET。 100% Rg 测试。应用：适配器开关。负载开关

数据手册

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￥2.35
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￥1.85
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￥1.63
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￥1.292 ￥1.36
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￥1.178 ￥1.24
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￥1.1115 ￥1.17

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型号：IRLR3410TRPBF 编号：C3017

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,17A,105mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.381
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￥1.9153
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￥1.7156
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￥1.255235 ￥1.3213
2000+
￥1.14988 ￥1.2104
4000+
￥1.086705 ￥1.1439

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型号：XR150P04 编号：C42457001

封装：TO-252-3L

品牌：XNRUSEMI(新锐)

高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整的功能可靠性认证。

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￥2.403 ￥2.67
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￥1.908 ￥2.12
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￥1.692 ￥1.88
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￥1.422 ￥1.58
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￥1.305 ￥1.45
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￥1.233 ￥1.37

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型号：AOD2606-MS 编号：C2982212

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

AOD2606-MS采用先进的VD MOS技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和快速开关。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于低导通电阻RDS(ON)和品质因数（FOM）、极低开关损耗、出色稳定性和一致性的逆变器。

数据手册

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￥2.403 ￥2.67
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￥1.908 ￥2.12
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￥1.692 ￥1.88
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￥1.422 ￥1.58
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￥1.305 ￥1.45
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￥1.233 ￥1.37

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型号：HSBB4115 编号：C2828497

封装：PRPAK3x3-8L

品牌：HUASHUO(华朔)

HSBB4115是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB4115符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥2.4331
50+
￥1.8823
150+
￥1.6462
500+
￥1.2505
3000+
￥1.1193
6000+
￥1.0406

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型号：AGM6014A 编号：C5349120

封装：PDFN-8(5x6)

AGM6014A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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￥2.6695 ￥2.81
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￥2.147 ￥2.26
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￥1.919 ￥2.02
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￥1.634 ￥1.72
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￥1.5105 ￥1.59
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￥1.235 ￥1.3

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型号：IRLL110TRPBF 编号：C128228

封装：SOT-223

N沟道

数据手册

1+
￥2.69
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￥2.15
30+
￥1.92
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￥1.63
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￥1.39
1000+
￥1.31

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型号：FQD7P20TM 编号：C5250729

封装：TO-252

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：RDS(ON) < 0.9Ω @ VGS = 10V (典型值0.7Ω)。高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。完全表征雪崩电压和电流。出色的散热封装。应用：电源开关应用。硬开关和高频电路

数据手册

1+
￥2.7455 ￥2.89
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￥2.1945 ￥2.31
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￥1.9665 ￥2.07
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￥1.672 ￥1.76
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￥1.311 ￥1.38
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￥1.2255 ￥1.29

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型号：CSD25402Q3A 编号：C111356

封装：VSONP-8(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD25402Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、8.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

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￥2.75
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￥2.18
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￥1.94
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￥1.63
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

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型号：WSF45P06 编号：C110923

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF45P06是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSF45P06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.772 ￥3.08
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￥2.223 ￥2.47
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￥1.989 ￥2.21
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￥1.701 ￥1.89
500+
￥1.359 ￥1.51
1000+
￥1.278 ￥1.42

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型号：SUD50P10-43L-TP 编号：C41408040

封装：TO-252-3L

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥2.812 ￥2.96
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￥2.185 ￥2.3
30+
￥1.9095 ￥2.01
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￥1.577 ￥1.66
500+
￥1.425 ￥1.5
1000+
￥1.33 ￥1.4

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型号：IRF9310TRPBF-TP 编号：C7603294

封装：SOP-8

特性：RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤9.5mΩ@VGS=4V。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。便携式设备

1+
￥2.92
10+
￥2.26
30+
￥1.98
100+
￥1.63
500+
￥1.48
1000+
￥1.38

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型号：AGM60P90A 编号：C5373095

封装：PDFN-8(5x6)

AGM60P90A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

1+
￥2.926 ￥3.08
10+
￥2.3085 ￥2.43
30+
￥2.033 ￥2.14
100+
￥1.7005 ￥1.79
500+
￥1.5485 ￥1.63
1000+
￥1.463 ￥1.54

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型号：SIR464DP-T1-GE3 编号：C469518

封装：PowerPAKSO-8

特性：无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换。低端开关

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.31
30+
￥2.04
100+
￥1.666 ￥1.7
500+
￥1.4504 ￥1.48
1000+
￥1.3622 ￥1.39

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型号：IRFS7440TRLPBF 编号：C409762

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无铅、无溴和无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.31
30+
￥2.04
100+
￥1.7
500+
￥1.55
800+
￥1.46

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型号：SI4465ADY 编号：C7603378

封装：SOP-8

特性：30V/-15A。 RDS(ON) = 6.8mΩ (max.) @ VGS = -10V。 RDS(ON) = 13mΩ (max.) @ VGS = -4.5V。应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理

1+
￥3.06
10+
￥2.4
30+
￥2.12
100+
￥1.77
500+
￥1.61
1000+
￥1.52

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型号：AOD4189 编号：C485685

封装：TO-252(DPAK)

品牌：AOS

P沟道,-40V,-40A,22mΩ@-10V

数据手册

1+
￥3.07
10+
￥2.48
30+
￥2.22
100+
￥1.91
500+
￥1.54
1000+
￥1.45

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型号：CJU30P10 编号：C3031884

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJU30P10采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥2.56
30+
￥2.3
100+
￥1.98
500+
￥1.78
1000+
￥1.69

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型号：AGM042N10D 编号：C5447818

封装：TO-252

AGM042N10D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

1+
￥3.1924 ￥3.47
10+
￥2.5852 ￥2.81
30+
￥2.2816 ￥2.48
100+
￥1.978 ￥2.15
500+
￥1.7664 ￥1.92
1000+
￥1.6744 ￥1.82

有货

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型号：AGM60P90D 编号：C5464761

封装：TO-252

AGM60P90D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

1+
￥3.2108 ￥3.49
10+
￥2.576 ￥2.8
30+
￥2.254 ￥2.45
100+
￥1.9412 ￥2.11
500+
￥1.8308 ￥1.99
1000+
￥1.7388 ￥1.89

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型号：IRFR320TRPbF 编号：C3009

封装：DPAK(TO-252)

N沟道,400V,3.1A,1.8Ω@10V

数据手册

1+
￥3.22
10+
￥2.55
30+
￥2.26
100+
￥1.9
500+
￥1.74
1000+
￥1.65

有货

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型号：SUD50P04 编号：C5370997

封装：TO-252-3L