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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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描述
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P沟道20V快速开关MOSFET
型号：XR120P02F 编号：C42456927
封装：PDFN-8L(5x6)
品牌：XNRUSEMI(新锐)
高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色生产要求，并通过了全功能可靠性认证。

  • 5+

    ￥1.85778 ￥2.0642

  • 50+

    ￥1.47159 ￥1.6351

  • 150+

    ￥1.30608 ￥1.4512

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    ￥1.09962 ￥1.2218

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    ￥1.00764 ￥1.1196

  • 5000+

    ￥0.95247 ￥1.0583
  • 有货
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    耐压:60V 电流:3A
    型号：BSP315P 编号：C5246415
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    BSP315P标准参数Vth:3.0
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8688

    • 50+

      ￥1.4807

    • 150+

      ￥1.3144

    • 500+

      ￥1.1069

    • 2500+

      ￥0.9683

    • 5000+

      ￥0.9128
  • 有货
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    P沟道 耐压:30V 电流:45A
    型号：WSD30L60DN56 编号：C148397
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：WINSOK(微硕)
    Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 25 ID(A)Max. -45 VGS(th)(v) -2 RDS(ON)(m?)@4.233V 15 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 4.3 Qgd(nC) 10 Ciss(pF) 1550 Coss(pF) 315 Crss(pF) 245
    数据手册

    • 1+

      ￥1.9853

    • 10+

      ￥1.5821

    • 30+

      ￥1.4093

    • 100+

      ￥1.1937

    • 500+

      ￥1.0977

    • 1000+

      ￥1.0401
  • 有货
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    P沟道 耐压:30V 电流:110A
    型号：TW110P03EF 编号：C42417399
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    P沟道/30V/110A

    • 5+

      ￥2.0289

    • 50+

      ￥1.5854

    • 150+

      ￥1.3953

    • 500+

      ￥1.1581

    • 2500+

      ￥1.0525
  • 有货
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    耐压:200V 电流:9A
    型号：FQD10N20CTM-JSM 编号：C18192414
    封装：TO-252
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    N沟道 耐压:200V 电流:9A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,4.5A

    • 1+

      ￥2.125 ￥2.5

    • 10+

      ￥1.649 ￥1.94

    • 30+

      ￥1.4535 ￥1.71

    • 100+

      ￥1.1985 ￥1.41

    • 500+

      ￥1.088 ￥1.28

    • 1000+

      ￥1.02 ￥1.2
  • 有货
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    耐压:60V 电流:4.3A
    型号：ZXMP6A17GTA 编号：C154719
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.1295

    • 50+

      ￥1.6507

    • 150+

      ￥1.4455

    • 1000+

      ￥1.1895

    • 2000+

      ￥1.0755

    • 5000+

      ￥1.007
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:75A
    型号：WSD20L75DN33 编号：C148391
    封装：DFN-8(3.3x3.3)
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD20L75DN33采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.169 ￥2.41

    • 10+

      ￥1.719 ￥1.91

    • 30+

      ￥1.521 ￥1.69

    • 100+

      ￥1.278 ￥1.42

    • 500+

      ￥1.134 ￥1.26

    • 1000+

      ￥1.062 ￥1.18
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:2.3A
    型号：DMP10H400SE-13 编号：C156277
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.1699

    • 50+

      ￥1.7103

    • 150+

      ￥1.5134

    • 500+

      ￥1.2677

    • 2500+

      ￥1.1561

    • 5000+

      ￥1.0904
  • 有货
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    N沟道100V快速开关MOSFET
    型号：XRS75N10F 编号：C42457061
    封装：PDFN5060-8L
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    使用超级沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于各种应用。封装形式为PDFNS060-8L，符合ROHS标准和无卤标准。100%进行DVDS测试和雪崩测试。

    • 5+

      ￥2.187 ￥2.43

    • 50+

      ￥1.737 ￥1.93

    • 150+

      ￥1.539 ￥1.71

    • 500+

      ￥1.296 ￥1.44

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      ￥1.188 ￥1.32

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      ￥1.125 ￥1.25
  • 有货
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V
    型号：WSF4012 编号：C86420
    封装：TO-252-4
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSF4012是高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF4012符合RoHS标准和绿色产品要求，通过全功能可靠性认证，100%保证环境适应性（EAS）。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.2492

    • 10+

      ￥1.8056

    • 30+

      ￥1.6156

    • 100+

      ￥1.3784

    • 500+

      ￥1.2728

    • 1000+

      ￥1.144
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:45A
    型号：NCEP4045GU 编号：C502973
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    NCEP4045GU采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻Rds(on)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
    数据手册

    • 5+

      ￥2.25

    • 50+

      ￥1.73

    • 150+

      ￥1.51

    • 500+

      ￥1.23

    • 2500+

      ￥1.11

    • 5000+

      ￥1.03
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:50V 电流:230mA
    型号：BSS84AKM,315 编号：C549761
    封装：SOT-883
    品牌：Nexperia(安世)
    采用沟槽式MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型SOT883（SC - 101）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.254

    • 50+

      ￥1.9138

    • 150+

      ￥1.768

    • 500+

      ￥1.5861

    • 2500+

      ￥1.5051

    • 5000+

      ￥1.4564
  • 有货
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    P沟道 耐压:250V 电流:0.15A
    型号：BSR92P 编号：C22435042
    封装：SOT-23-3L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥2.2604

    • 50+

      ￥1.8068

    • 150+

      ￥1.6124

    • 500+

      ￥1.3699

    • 3000+

      ￥1.2619

    • 6000+

      ￥1.197
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
    型号：NCE6045G 编号：C502794
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    NCE6045G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3

    • 50+

      ￥1.77

    • 150+

      ￥1.54

    • 500+

      ￥1.26

    • 2500+

      ￥1.13

    • 5000+

      ￥1.05
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：TPCSD25310Q2 编号：C48639043
    封装：DFN2X2-6L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 1+

      ￥2.337 ￥2.46

    • 10+

      ￥1.824 ￥1.92

    • 30+

      ￥1.6055 ￥1.69

    • 100+

      ￥1.33 ￥1.4

    • 500+

      ￥1.2065 ￥1.27

    • 1000+

      ￥1.14 ￥1.2
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:30V 电流:9A
    型号：AO4805 编号：C38943
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-9A,18mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.35

    • 10+

      ￥2.08

    • 30+

      ￥1.97

    • 100+

      ￥1.82

    • 500+

      ￥1.76

    • 1000+

      ￥1.72
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:60V 电流:13A
    型号：IRFR9024NTRPBF 编号：C19829456
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥2.3721

    • 50+

      ￥1.8681

    • 150+

      ￥1.6521

    • 500+

      ￥1.3826

    • 2500+

      ￥1.2626

    • 5000+

      ￥1.1905
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
    型号：NSS085N100S 编号：C7427705
    封装：TO-252
    品牌：NH(纽航)
    低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：适配器和LED电源次级侧同步整流或DC-DC电机驱动。

    • 5+

      ￥2.3898

    • 50+

      ￥1.8903

    • 150+

      ￥1.6763

    • 500+

      ￥1.4092

    • 2500+

      ￥1.2903

    • 5000+

      ￥1.2189
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
    型号：NCE65T1K2K 编号：C181924
    封装：TO-252
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    该系列器件采用先进的沟槽栅超级结技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)），且栅极电荷较低。这款超级结MOSFET符合行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.403 ￥2.67

    • 10+

      ￥1.845 ￥2.05

    • 30+

      ￥1.611 ￥1.79

    • 100+

      ￥1.314 ￥1.46

    • 500+

      ￥1.179 ￥1.31

    • 1000+

      ￥1.098 ￥1.22
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:150A
    型号：IRLR7843TRPBF 编号：C19268133
    封装：TO-252-3L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 30V，RDS(ON) = 1.6mΩ（VGS = 10V，IDS = 30A 时）。 RDS(ON) = 2.1mΩ（VGS = 4.5V，IDS = 25A 时）。 简单的驱动要求。 小封装尺寸。 表面贴装器件

    • 1+

      ￥2.4396 ￥3.21

    • 10+

      ￥2.166 ￥2.85

    • 30+

      ￥2.0292 ￥2.67

    • 100+

      ￥1.8924 ￥2.49

    • 500+

      ￥1.8088 ￥2.38

    • 1000+

      ￥1.7632 ￥2.32
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:85A
    型号：WSF90P03 编号：C148440
    封装：TO-252
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSF90P03是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSF90P03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.45

    • 10+

      ￥2.32

    • 30+

      ￥2.25

    • 100+

      ￥2.1
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:100V 电流:45A
    型号：WSD45N10GDN56 编号：C2990866
    封装：DFN5x6-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 45 VGS(th)(v) 3 RDS(ON)(m?)@4.221V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 12 Qgd(nC) 12 Ciss(pF) 1800 Coss(pF) 215 Crss(pF) 42
    数据手册

    • 1+

      ￥2.475 ￥2.75

    • 10+

      ￥2.196 ￥2.44

    • 30+

      ￥2.079 ￥2.31

    • 100+

      ￥1.926 ￥2.14

    • 500+

      ￥1.521 ￥1.69

    • 1000+

      ￥1.485 ￥1.65
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
    型号：IRLR7843TRPBF-HXY 编号：C6285777
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达120A，专为高功率、大电流应用场景设计，如电源转换器和电机控制器，提供卓越的开关性能与低损耗优势。

    • 1+

      ￥2.499 ￥3.57

    • 10+

      ￥2.156 ￥3.08

    • 30+

      ￥1.988 ￥2.84

    • 100+

      ￥1.82 ￥2.6

    • 500+

      ￥1.232 ￥1.76

    • 1000+

      ￥1.183 ￥1.69
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:30A
    型号：WSD40L48DN33 编号：C5185332
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：WINSOK(微硕)
    WsD40L48DN33是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。WsD40L48DN33符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性认证。
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:9A
    型号：SI4946BEY 编号：C3040622
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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    1个P沟道 耐压:30V
    型号：AOD403 编号：C28969
    封装：TO-252
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-70A,8mΩ@-10V
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    P沟道 100V 30A
    型号：SUD50P10-43L-TP 编号：C41408040
    封装：TO-252-3L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:35A
    型号：SI7129DN-T1-GE3 编号：C727679
    封装：PowerPAK1212-8
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻。 PowerPAK封装，尺寸小，厚度为1.07mm。 100%进行Rg和UIS测试。应用：负载开关。 适配器开关
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    1个N沟道 耐压:82V 电流:95A
    型号：NCE8295AK 编号：C502806
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    NCE8295AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻Rds(ON)。该器件适用于脉冲宽度调制（PWM）、负载开关和通用应用。
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：IPG20N06S4L-26-HXY 编号：C20606274
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。具有60V额定电压及单通道高达50A的连续电流能力，尤其适用于高效电源转换、电动单车电池管理系统以及电机驱动场景，提供卓越的能效表现与可靠的开关性能。

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      ￥2.856 ￥3.36

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