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首页 > 热门关键词 > mosfet驱动芯片
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2个N沟道 耐压:30V 电流:35A
型号：WSD3056DN33 编号：C2758429
封装：DFN-8(3x3)
品牌：WINSOK(微硕)
WsD3056DN33是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻Rps(on)和栅极电荷。WsD3056DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过功能可靠性认证，确保产品质量。
数据手册

  • 5+

    ￥1.03995 ￥1.1555

  • 50+

    ￥0.9171 ￥1.019

  • 150+

    ￥0.86445 ￥0.9605

  • 500+

    ￥0.79875 ￥0.8875

  • 2500+

    ￥0.63783 ￥0.7087

  • 5000+

    ￥0.62028 ￥0.6892
  • 有货
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    N沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：TPIRF8707TRPBF 编号：C42437036
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥1.0655

    • 50+

      ￥0.8438

    • 150+

      ￥0.7487

    • 500+

      ￥0.6301

    • 3000+

      ￥0.5773

    • 6000+

      ￥0.5456
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:7A
    型号：FDC640P 编号：C5197382
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：电池组。 便携式设备
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0941

    • 50+

      ￥0.8724

    • 150+

      ￥0.7773

    • 500+

      ￥0.6587

    • 3000+

      ￥0.5443

    • 6000+

      ￥0.5126
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:4.1A
    型号：IRLML6246TRPBF 编号：C82053
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,20V,4.1A,46mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1176

    • 50+

      ￥0.927

    • 150+

      ￥0.8317

    • 500+

      ￥0.7602

    • 3000+

      ￥0.703

    • 6000+

      ￥0.6744
  • 有货
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    耐压:55V 电流:44A
    型号：IRFR1205TR(UMW) 编号：C5338305
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：D-PAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 典型表面贴装应用中的功率耗散水平高达1.5W。 VDS(V) = 55V。 ID = 44A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 27mΩ(VGS = 10V)
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1304

    • 50+

      ￥0.8829

    • 150+

      ￥0.7768

    • 500+

      ￥0.6444

    • 2500+

      ￥0.5855

    • 5000+

      ￥0.5501
  • 有货
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    P沟道 耐压:55V 电流:19A
    型号：IRF9Z34N(UMW) 编号：C18207547
    封装：TO-220
    品牌：UMW(友台半导体)
    MOS管

    • 5+

      ￥1.1442

    • 50+

      ￥0.9952

    • 150+

      ￥0.9313

    • 500+

      ￥0.8516

    • 2500+

      ￥0.8161

    • 5000+

      ￥0.7948
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:55A
    型号：SP60N08GNK 编号：C22466775
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：Siliup(矽普)
    中低压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：55A,Rdson：7.5mR

    • 5+

      ￥1.166315 ￥1.2277

    • 50+

      ￥0.91732 ￥0.9656

    • 150+

      ￥0.810635 ￥0.8533

    • 500+

      ￥0.67754 ￥0.7132

    • 2500+

      ￥0.66899 ￥0.7042

    • 5000+

      ￥0.63346 ￥0.6668
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:45A
    型号：AGM405AP1 编号：C5340050
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM405AP1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.21527 ￥1.3503

    • 50+

      ￥0.96579 ￥1.0731

    • 150+

      ￥0.85887 ￥0.9543

    • 500+

      ￥0.72549 ￥0.8061

    • 2500+

      ￥0.61983 ￥0.6887

    • 5000+

      ￥0.5841 ￥0.649
  • 有货
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    耐压:30V 电流:15A
    型号：FDS6679AZ 编号：C7603377
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：30V / -15A。 RDS(ON) = 6.8mΩ（最大值），@ VGS = -10V。 RDS(ON) = 13mΩ（最大值），@ VGS = -4.5V。应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理

    • 5+

      ￥1.2419

    • 50+

      ￥1.0739

    • 150+

      ￥1.0019

    • 500+

      ￥0.912

    • 3000+

      ￥0.872

    • 6000+

      ￥0.848
  • 有货
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    100V N沟道增强型MOSFET
    型号：MDDG10R08G 编号：C48615220
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：MDD(辰达半导体)
    100V N通道增强模式MOSFET

    • 5+

      ￥1.242048 ￥1.2938

    • 50+

      ￥1.143552 ￥1.1912

    • 150+

      ￥1.101312 ￥1.1472

    • 500+

      ￥1.048608 ￥1.0923

    • 2500+

      ￥1.025184 ￥1.0679

    • 5000+

      ￥1.011168 ￥1.0533
  • 有货
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A
    型号：WSD3043DN33 编号：C7427493
    封装：DFN3X3-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    WsD3043DN33是高性能沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。WsD3043DN33符合Rohs和绿色产品要求，100%的产品经过全功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥1.2609 ￥1.401

    • 50+

      ￥1.01142 ￥1.1238

    • 150+

      ￥0.9045 ￥1.005

    • 500+

      ￥0.77112 ￥0.8568

    • 2500+

      ￥0.71172 ￥0.7908

    • 5000+

      ￥0.67599 ￥0.7511
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：IRFR024N-JSM 编号：C2874612
    封装：TO-252
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。

    • 5+

      ￥1.29455 ￥1.523

    • 50+

      ￥1.02986 ￥1.2116

    • 150+

      ￥0.916385 ￥1.0781

    • 500+

      ￥0.774775 ￥0.9115

    • 2500+

      ￥0.71179 ￥0.8374

    • 5000+

      ￥0.67388 ￥0.7928
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V
    型号：AON7534 编号：C115844
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：AOS
    N沟
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3164

    • 50+

      ￥1.0392

    • 150+

      ￥0.9204

    • 500+

      ￥0.7722

    • 2500+

      ￥0.6337

    • 5000+

      ￥0.594
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：DOP20N06 编号：C41384533
    封装：TO-220
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/60V/20A/35mΩ/(典型29mΩ)

    • 5+

      ￥1.3479

    • 50+

      ￥1.0696

    • 150+

      ￥0.9504

    • 500+

      ￥0.8016

    • 2500+

      ￥0.7353

    • 5000+

      ￥0.6956
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:100V 电流:38A
    型号：BMQ100N38 编号：C42432421
    封装：DFN3333-8L
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    VDS=100V,ID=38A，DFN3333封装

    • 5+

      ￥1.3971

    • 50+

      ￥1.2081

    • 150+

      ￥1.1271

    • 500+

      ￥1.026

    • 2500+

      ￥0.981

    • 5000+

      ￥0.954
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:7A
    型号：AO4421-GK 编号：C42402296
    封装：SOP-8
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个P沟道 耐压:30V 电流:7A

    • 5+

      ￥1.40011 ￥1.4738

    • 50+

      ￥1.11283 ￥1.1714

    • 150+

      ￥0.98971 ￥1.0418

    • 500+

      ￥0.836095 ￥0.8801

    • 3000+

      ￥0.767695 ￥0.8081

    • 6000+

      ￥0.726655 ￥0.7649
  • 有货
    • 立即购买
    302 2128 2个N沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：MSK7804 编号：C2902916
    封装：DFN-8-EP(3.2x3.1)
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    MSK7804采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.40562 ￥1.5618

    • 50+

      ￥1.23552 ￥1.3728

    • 150+

      ￥1.16262 ￥1.2918

    • 500+

      ￥1.07163 ￥1.1907

    • 2500+

      ￥1.03113 ￥1.1457

    • 5000+

      ￥1.00683 ￥1.1187
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V
    型号：SI4134DY-T1-GE3 编号：C142600
    封装：SO-8
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换。 笔记本系统电源
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4284

    • 50+

      ￥1.1515

    • 150+

      ￥1.0328

    • 500+

      ￥0.8847

    • 2500+

      ￥0.7594

    • 5000+

      ￥0.7199
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:21A
    型号：AGM628MAP 编号：C22364308
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM628MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥1.4362

    • 50+

      ￥1.1338

    • 150+

      ￥1.0042

    • 500+

      ￥0.8425

    • 2500+

      ￥0.7315
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:45A
    型号：ESN21307 编号：C5224307
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-45A，8.5mΩ@-10V,-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.4726

    • 10+

      ￥1.1324

    • 30+

      ￥0.9866

    • 100+

      ￥0.8047

    • 500+

      ￥0.7237

    • 1000+

      ￥0.675
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
    型号：AOD407 编号：C75092
    封装：TO-252
    品牌：AOS
    AOD407采用先进的沟槽技术，可实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性，该器件非常适合大电流负载应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4968

    • 50+

      ￥1.3386

    • 150+

      ￥1.2708

    • 500+

      ￥1.1861

    • 2500+

      ￥1.0324

    • 5000+

      ￥1.0098
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：IRFR1205TR-JSM 编号：C18190116
    封装：TO-252
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

    • 5+

      ￥1.57184 ￥1.9648

    • 50+

      ￥1.22912 ￥1.5364

    • 150+

      ￥1.08224 ￥1.3528

    • 500+

      ￥0.89904 ￥1.1238

    • 2500+

      ￥0.8412 ￥1.0515

    • 5000+

      ￥0.79224 ￥0.9903
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:100V 电流:14.7A
    型号：FQD13N10LTM 编号：C5350889
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：RDS(ON)≤100mΩ@VGS = 10V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流。应用：笔记本电脑的电源管理。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5904

    • 50+

      ￥1.2376

    • 150+

      ￥1.0864

    • 500+

      ￥0.8978

    • 2500+

      ￥0.8138

    • 5000+

      ￥0.7634
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：TM50G03NF 编号：C7463229
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：TMC(台懋)
    N沟道,30V,50A,7mΩ@10v,P沟道,-30V,-45A,10mΩ@-10v

    • 5+

      ￥1.601985 ￥1.6863

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      ￥1.133445 ￥1.1931

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      ￥0.95798 ￥1.0084

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      ￥0.87989 ￥0.9262

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      ￥0.833055 ￥0.8769
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：NCE30P30K 编号：C130106
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    P沟道，30V，30A.
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      ￥1.6174

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      ￥0.7948

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      ￥0.7414
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    N沟道 耐压:40V 电流:15A
    型号：FDS8447-TP 编号：C41348174
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥1.6708

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      ￥1.318

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:65A
    型号：WSF70P03 编号：C148439
    封装：TO-252
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSF70P03是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF70P03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.7064

    • 10+

      ￥1.6

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      ￥1.3
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
    型号：AGM14N10AP 编号：C7466535
    封装：PDFN3.3x3.3-8
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM14N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥1.768995 ￥1.8621

    • 50+

      ￥1.405145 ￥1.4791

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    30N03 1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：MSK30N03DF 编号：C2902918
    封装：DFN-8(3.3x3.3)
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    MSK30N03DF采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.7765 ￥1.87

    • 10+

      ￥1.558 ￥1.64

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      ￥1.349 ￥1.42

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      ￥1.1495 ￥1.21

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      ￥1.121 ￥1.18
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
    型号：AON6508-HXY 编号：C22366646
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    AON6508 N沟道MOS管选用先进的DFN5X6-8L封装，兼顾小巧体积与高效性能。其额定电压VDSS为30V，最大连续漏极电流高达150A，轻松应对高电压大电流应用场景。尤为突出的是，器件导通电阻仅为2mΩ，确保在高负载条件下仍能维持低功耗和高效能运作。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您优化电路设计、提升系统效能的理想半导体组件。

    • 1+

      ￥1.824 ￥1.92

    • 10+

      ￥1.596 ￥1.68

    • 30+

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