mosfet驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRLHS6242TRPBF 编号：C150933

封装：PQFN-6-EP(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,20V,12A,11.7Ω@4.5V

数据手册

5+
￥1.4014
50+
￥1.1292
150+
￥1.0126
500+
￥0.82365 ￥0.867
2500+
￥0.76209 ￥0.8022
4000+
￥0.725135 ￥0.7633

有货

立即购买

型号：NX2301P,215 编号：C191273

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道,20V,2A

数据手册

5+
￥1.4134
50+
￥1.1214
150+
￥0.9963
500+
￥0.8401
3000+
￥0.6799
6000+
￥0.6381

有货

立即购买

型号：FDD6637(UMW) 编号：C7499379

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS = -30V。 RDS(ON) < 11.6mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 18mΩ (VGS = -4.5V)。 RoHS合规。高性能沟槽技术，极低的RDS(ON)。应用：逆变器。电源

5+
￥1.4293
50+
￥1.1182
150+
￥0.9849
500+
￥0.8186
2500+
￥0.7445
5000+
￥0.7

有货

立即购买

型号：AGM628MAP 编号：C22364308

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM628MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.4362
50+
￥1.1338
150+
￥1.0042
500+
￥0.8425
2500+
￥0.7315
5000+
￥0.6883

有货

立即购买

型号：AOD4185 编号：C5261064

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管具有40A的电流承载能力和40V的电压耐受性，内阻典型值为10mΩ，适用于高效能应用。其P型设计确保了良好的电流传导性能，VGS为20V，适用于多种电路设计需求。选择它，可确保电路的稳定性和高效性。

数据手册

5+
￥1.477344 ￥1.6788
50+
￥1.225928 ￥1.3931
150+
￥1.118128 ￥1.2706
500+
￥0.983664 ￥1.1178
2500+
￥0.749232 ￥0.8514
5000+
￥0.71324 ￥0.8105

有货

立即购买

型号：WSF15N10 编号：C82767

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF15N10是一款具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF15N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥1.5049
50+
￥1.2025
150+
￥1.0729
500+
￥0.9112
2500+
￥0.7658
5000+
￥0.7226

有货

立即购买

型号：DMN24H3D5L 编号：C20611858

封装：SOT-23-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.530545 ￥1.6111
50+
￥1.195385 ￥1.2583
150+
￥1.051745 ￥1.1071
500+
￥0.872575 ￥0.9185
3000+
￥0.792775 ￥0.8345
6000+
￥0.7448 ￥0.784

有货

立即购买

型号：AOD4189(UMW) 编号：C5346824

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。凭借TO-252封装出色的热阻，该器件非常适合大电流负载应用。

数据手册

5+
￥1.5349
50+
￥1.2031
150+
￥1.0609
500+
￥0.8835
2500+
￥0.8045
5000+
￥0.7571

有货

立即购买

型号：SP30P03NK 编号：C41355006

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：Siliup(矽普)

中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-30V,电流：-90A,RDSON:3mR

5+
￥1.574245 ￥1.6571
50+
￥1.229585 ￥1.2943
150+
￥1.081765 ￥1.1387
500+
￥0.897465 ￥0.9447
2500+
￥0.849585 ￥0.8943
5000+
￥0.80028 ￥0.8424

有货

立即购买

型号：CJQ60P05 编号：C5441040

封装：SOP-8

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJQ60P05采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

5+
￥1.5773
50+
￥1.2699
150+
￥1.1381
500+
￥0.9737
2500+
￥0.9005
4000+
￥0.8566

有货

立即购买

型号：AGM40P55AP 编号：C5340112

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM40P55AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

5+
￥1.60083 ￥1.7787
50+
￥1.26063 ￥1.4007
150+
￥1.11483 ￥1.2387
500+
￥0.91602 ￥1.0178
2500+
￥0.83502 ￥0.9278
5000+
￥0.78642 ￥0.8738

有货

立即购买

型号：TPM2502NS3L 编号：C20611859

封装：SOT-23-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.6111
50+
￥1.2583
150+
￥1.1071
500+
￥0.9185
3000+
￥0.8345
6000+
￥0.784

有货

立即购买

型号：SP010N07AGNK 编号：C22385421

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

5+
￥1.64445 ￥1.731
50+
￥1.271005 ￥1.3379
150+
￥1.11093 ￥1.1694
500+
￥0.91124 ￥0.9592
2500+
￥0.84455 ￥0.889
5000+
￥0.791255 ￥0.8329

有货

立即购买

型号：ZXMN6A11ZTA-P 编号：C2923352

封装：SOT-89-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 120mΩ @ VGS = 4.5V。高功率和电流处理能力。获得无铅产品认证。表面贴装封装。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥1.697
50+
￥1.3442
150+
￥1.193
1000+
￥0.9135
2000+
￥0.8295
5000+
￥0.7791

有货

立即购买

型号：AOD409(UMW) 编号：C7471849

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。采用TO-252封装，具有出色的热阻，适用于高电流负载应用。 VDS =-60V。 ID =-26A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 48mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 55mΩ（VGS = 4.5V）

5+
￥1.7096
50+
￥1.3371
150+
￥1.1775
500+
￥0.9783
2500+
￥0.8896
5000+
￥0.8364

有货

立即购买

型号：IRLL014NTRPBF 编号：C74066

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,2A,140mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.7468
50+
￥1.3446
150+
￥1.1723
500+
￥0.9104
2500+
￥0.8147
5000+
￥0.7572

有货

立即购买

型号：SI7617DN(ES) 编号：C42412335

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

1+
￥1.79
10+
￥1.56
30+
￥1.46
100+
￥1.34
500+
￥1.28
1000+
￥1.25

有货

立即购买

型号：CMD25P15 编号：C18198747

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

1+
￥1.83
10+
￥1.61
30+
￥1.51
100+
￥1.4
500+
￥1.24
1000+
￥1.21

有货

立即购买

型号：IRFZ44NS 编号：C7587862

封装：TO-263

品牌：minos(迈诺斯)

IRFZ44NS采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可应用于多种领域。

1+
￥1.8349
10+
￥1.4569
30+
￥1.2949
100+
￥1.0928
500+
￥1.0028
800+
￥0.8738

有货

立即购买

型号：WSD6036DN33 编号：C3825102

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：WINSOK(微硕)

WsD6036DN33是一款高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD6036DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证无铅。

数据手册

1+
￥1.83555 ￥2.0395
10+
￥1.46358 ￥1.6262
30+
￥1.3041 ￥1.449
100+
￥1.1052 ￥1.228
500+
￥1.01664 ￥1.1296
1000+
￥0.86679 ￥0.9631

有货

立即购买

型号：IPD068P03L3G(UMW) 编号：C7588049

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=-30V 。 ID =-70A(VGS =-10V) 。 RDS(ON) < 6.8mΩ(VGS =-10V) 。 RDS(ON) < 11mΩ(VGS =-4.5V) 。 175°C工作温度。 100%雪崩测试。无铅；符合RoHS标准，无卤素

5+
￥1.8365
50+
￥1.442
150+
￥1.273
500+
￥1.0621
2500+
￥0.9681
5000+
￥0.9118

有货

立即购买

型号：DMP3013SFV-7 编号：C264098

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.874
50+
￥1.4658
150+
￥1.2908
500+
￥1.0142
2000+
￥0.917
4000+
￥0.8586

有货

立即购买

型号：WSP6024 编号：C719109

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP6024是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP6024符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥1.89414 ￥2.1046
50+
￥1.4859 ￥1.651
150+
￥1.31094 ￥1.4566
500+
￥1.1808 ￥1.312
3000+
￥1.0836 ￥1.204
6000+
￥1.02528 ￥1.1392

有货

立即购买

型号：IRFZ44NS(UMW) 编号：C5199867

封装：TO-263

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 50A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 12mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 4.5V)

数据手册

5+
￥1.9059
50+
￥1.4852
150+
￥1.3049
800+
￥1.0192
2400+
￥0.919
4800+
￥0.8589

有货

立即购买

型号：YJQ40G10A 编号：C919608

封装：DFN3333-8L

品牌：YANGJIE(扬杰)

YJQ40G10A-F1-1100HF

数据手册

5+
￥1.9615
50+
￥1.555
150+
￥1.3807
500+
￥1.1633
2500+
￥1.0665

有货

立即购买

型号：AON6312-ES 编号：C19725102

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，123A，1.7mΩ@10V,20.0A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥1.9852
50+
￥1.5266
150+
￥1.33
500+
￥1.0848
2500+
￥0.9756
5000+
￥0.91

有货

立即购买

型号：WSD30L60DN56 编号：C148397

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：WINSOK(微硕)

Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 25 ID(A)Max. -45 VGS(th)(v) -2 RDS(ON)(m?)@4.233V 15 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 4.3 Qgd(nC) 10 Ciss(pF) 1550 Coss(pF) 315 Crss(pF) 245

数据手册

1+
￥1.9853
10+
￥1.5821
30+
￥1.4093
100+
￥1.1937
500+
￥1.0977
1000+
￥1.0401

有货

立即购买

型号：WSD3070DN33 编号：C148387

封装：DFN-8(3.3x3.3)

品牌：WINSOK(微硕)

特性：100% UIS + Rg 测试。雪崩额定。可靠且耐用。提供无铅和环保器件（符合 RoHS 标准）。应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理

数据手册

1+
￥2.01384 ￥2.2376
10+
￥1.64754 ￥1.8306
30+
￥1.49058 ￥1.6562
100+
￥1.29474 ￥1.4386
500+
￥1.20753 ￥1.3417
1000+
￥0.90693 ￥1.0077

有货

立即购买

型号：WSD2090DN56 编号：C2880521

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD2090DN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD2090DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS保证，并经过完整功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.1068
10+
￥1.6683
30+
￥1.4804
100+
￥1.2459
500+
￥1.1415
1000+
￥1.1136

有货

立即购买

型号：AGM18N10MNA 编号：C42372674

封装：PDFN5x6-8

品牌：AGMSEMI(芯控源)

类型：双N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：35A功率(Pd）：50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：18mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：26nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.08nF@50V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥2.1543
50+
￥1.7007
150+
￥1.5063
500+
￥1.2638
3000+
￥1.0568

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示